高通下單，聯電拉高資本支出

歐陽

【時報-各報要聞】晶圓代工廠聯電(2303)昨（8）日召開法說會，決
# w. Y, F* B  P/ d+ {& _定調升今年資本支出至20億美元，讓與會法人大感意外。聯電執行長
孫世偉表示，因為看好行動裝置晶片需求，且為了承諾客戶提供足夠
的40奈米及28奈米產能，所以才決定提高今年資本支出。
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　據了解，聯電拉高資本支出，主要原因就是獲得高通、德儀大訂單
。
　聯電去年原訂資本支出為18億美元，但實際支出為16億美元，其中
4 v. p, a3 F5 c7 m0 b0 N2億美元遞延到今年，聯電因獲得高通及德儀等大客戶行動裝置晶片訂
2 n/ O1 M! x) x- f% T2 i, s! b單，要建置足夠的40奈米及28奈米產能，所以今年資本支出合計將拉
高到20億美元、年增25％。
　法人表示，相較於台積電將資本支出由去年的72.86億美元，調降到
! L2 |( a7 r/ R6 {; [今年60億美元，減幅約達18％，聯電在景氣不確定性仍高的此刻，逆
7 X, {& y$ B: ?2 V% A- |2 i" J7 g# I; U勢拉高資本支出，代表聯電已成功提高行動裝置晶片的滲透率，對訂
9 _: Z7 j# j; [. [: V單掌握度也愈來愈高。
8 \( q( ~) Q- u1 h% f- P; k) N　孫世偉昨天表示，聯電樂觀看待未來行動通訊與運算市場的高階晶
片需求，為積極掌握這一絕佳的機會，完整佈建40奈米及28奈米解決
方案，持續與領先客戶合作以爭取更多旗艦產品，並承諾提供充分產
能，所以今年資本支出將增加到20億美元。
- L  e9 l  W2 J: S: D8 r' k　孫世偉強調，聯電並不盲目擴充產能，此投資計畫經過審慎評估，
7 ~1 c! O' {5 }. z* m完整考量聯電在不同階段下高階製程成熟程度，以及客戶產能需求，
以現階段28奈米與客戶的合作進展及強烈需求，相信在量產技術就位
! E4 ]; O( e9 {後將帶來豐厚的收穫。
8 K- }  N8 r. x; O　聯電預估，今年底40奈米佔營收比重將達15％，28奈米亦可達到5％
，聯電已完成10項28奈米晶片設計定案（tape-out），其中一顆28奈
1 K2 C0 i. v$ q9 Y- e, w- z1 s  Z米的ARM架構應用處理器已開始送樣。據了解，這顆晶片是德儀最新款
OMAP 5多核心應用處理器。
　另外，聯電也開始佈建2.5D矽中介層（Interposer）解決方案，並
. n* _  F. Z4 J2 C* D為客戶完成40奈米及28奈米製程矽中介層設計定案。孫世偉表示，聯
0 w, }: d  ^( ^1 o% [$ Q  d1 r電與封測廠將建立開放式技術平台，以提供最適切的服務，與爾必達
及力成合作的直通矽晶穿孔（TSV）技術已有很好的成果。(新聞來源
/ _1 }. d* Z" k4 @! m" o/ j$ O：工商時報─記者涂志豪／台北報導)
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歐陽

因為看好行動裝置晶片需求，且為了承諾客戶提供足夠
$ p1 @, z, w+ a2 B% U! w的40奈米及28奈米產能，所以才決定提高今年資本支出。
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威廉

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