高通下單，聯電拉高資本支出

歐陽

【時報-各報要聞】晶圓代工廠聯電(2303)昨（8）日召開法說會，決
定調升今年資本支出至20億美元，讓與會法人大感意外。聯電執行長
' G; N! v  ?4 `; ~: t$ h$ h孫世偉表示，因為看好行動裝置晶片需求，且為了承諾客戶提供足夠
! {6 V/ o0 Y8 Y的40奈米及28奈米產能，所以才決定提高今年資本支出。
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1 g* ]. y3 w5 F) X) W& x　據了解，聯電拉高資本支出，主要原因就是獲得高通、德儀大訂單
。
　聯電去年原訂資本支出為18億美元，但實際支出為16億美元，其中
2億美元遞延到今年，聯電因獲得高通及德儀等大客戶行動裝置晶片訂
單，要建置足夠的40奈米及28奈米產能，所以今年資本支出合計將拉
+ C$ X$ w6 o5 X2 c, P高到20億美元、年增25％。
0 w2 U) U0 B" P  ?( s　法人表示，相較於台積電將資本支出由去年的72.86億美元，調降到
今年60億美元，減幅約達18％，聯電在景氣不確定性仍高的此刻，逆
; Q+ [! u3 K: L勢拉高資本支出，代表聯電已成功提高行動裝置晶片的滲透率，對訂
單掌握度也愈來愈高。
　孫世偉昨天表示，聯電樂觀看待未來行動通訊與運算市場的高階晶
6 m1 }! |0 U1 M! U: I* O& a( _片需求，為積極掌握這一絕佳的機會，完整佈建40奈米及28奈米解決
$ A- x0 l8 ]4 m5 J6 w; ~方案，持續與領先客戶合作以爭取更多旗艦產品，並承諾提供充分產
能，所以今年資本支出將增加到20億美元。
　孫世偉強調，聯電並不盲目擴充產能，此投資計畫經過審慎評估，
1 A' |  M7 H. N7 {# T' v完整考量聯電在不同階段下高階製程成熟程度，以及客戶產能需求，
- i6 p$ r/ c: T6 t* l% I% q以現階段28奈米與客戶的合作進展及強烈需求，相信在量產技術就位
後將帶來豐厚的收穫。
* i1 j: d; U# O) [6 M' ]　聯電預估，今年底40奈米佔營收比重將達15％，28奈米亦可達到5％
7 G- Z! S1 b4 \2 i( y  G/ U，聯電已完成10項28奈米晶片設計定案（tape-out），其中一顆28奈
米的ARM架構應用處理器已開始送樣。據了解，這顆晶片是德儀最新款
OMAP 5多核心應用處理器。
& U- y: _1 \, x. X: p. s　另外，聯電也開始佈建2.5D矽中介層（Interposer）解決方案，並
" \4 o4 j5 V; }6 x為客戶完成40奈米及28奈米製程矽中介層設計定案。孫世偉表示，聯
. K3 b; t% k/ A5 B" J電與封測廠將建立開放式技術平台，以提供最適切的服務，與爾必達
+ z8 r9 E/ f6 `( r$ I/ U& Q" u及力成合作的直通矽晶穿孔（TSV）技術已有很好的成果。(新聞來源
：工商時報─記者涂志豪／台北報導)

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歐陽

因為看好行動裝置晶片需求，且為了承諾客戶提供足夠
的40奈米及28奈米產能，所以才決定提高今年資本支出。
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威廉

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