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【時報-台北電】韓國官方昨(4)日表示,已經批准三星在中國建造
, F/ G! K5 I" n& i, M一座NAND快閃記憶體晶片廠,投資規模約為40億美元,不但將採用20
2 I- W8 l2 ~3 F- b4 k奈米以下的先進製程技術,也是三星在海外所建立的第2座快閃記憶體
9 d4 G7 o0 |2 a% S) J& {2 t% I工廠,反映出中國市場的地位日益重要。
1 k9 ?# i7 A/ N: M( g* O 韓國官方指出,三星尚未決定廠址,但將在今年內動工興建,預
: k8 d; i i# \計在2013年底前完工營運,投產後的月產能將達到10萬片的規模。
@6 W" n$ X7 Z" T 半導體業內人士指出,三星很可能會將新廠設在蘇州,因為蘇州
9 O9 b' ]* i0 [2 k是三星在韓國本土以外最大的記憶體生產基地,而且三星在當地擁有
8 Q2 y. X# k3 ^. Y完整的產業鏈,包含電腦組裝、測廠、面板等,可以產生群聚效應。 |4 k' b* h5 |7 V$ S( s6 k
+ _+ h0 V- v% s 三星的7.5代面板廠就位在蘇州,去年5月才正式動工興建,也是& I P& ]% E! B+ u8 {0 G" i
第一家獲得中國政府核准建造的外資高世代面板廠,當初市場上即盛3 Y5 J! v2 W% m4 w/ U7 B( N# u1 f$ M p) _
傳三星取得中方批准的條件之一,就是要在中國投資建造一座快閃記# O, q: R5 N$ a6 p
憶體廠。
8 U% N G, }& {2 _3 u 三星是目前全球最大的NAND快閃記憶體製造廠,市占率超過40%
, k: @4 Z# P G0 @3 `,並擁有最先進的製程,而韓國官方為了避免技術外洩,對於高科技
" I1 n( X8 y1 g$ N企業海外設廠都採取審查制度,三星本身也將成立一個專門委員會對5 b" T6 j m [6 U9 j
於技術嚴格把關。& `2 |4 Z1 k4 d( p9 H6 F
據悉,這次三星新廠採用的20奈米是目前業界的最新製程技術,& x: p) o, u5 A8 \
英特爾與美光合資的IMFT在上個月宣布啟動128GB的20奈米技術量產計) r! {1 Z6 P$ f2 Q# f
畫。
( }6 i% \* L$ W6 _ 韓國友利投資證券公司的分析師認為,在中國消費電子市場正日- N7 p1 [ k7 D2 A! j
漸蓬勃的情況下,三星這筆投資來得即時,而且NAND快閃記憶體的利
' c5 x" L% d6 m. {潤依舊很高,未來市場需求將會隨著智慧手機與平板電腦的普及而逐$ T4 a0 S" b( Q( |* n
漸上升。 (新聞來源:工商時報─記者林殿唯/綜合報導)
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