砸40億美元，三星將在陸蓋快閃記憶體廠

歐陽

【時報-台北電】韓國官方昨（4）日表示，已經批准三星在中國建造
, F/ G! K5 I" n& i, M一座NAND快閃記憶體晶片廠，投資規模約為40億美元，不但將採用20
2 I- W8 l2 ~3 F- b4 k奈米以下的先進製程技術，也是三星在海外所建立的第2座快閃記憶體
9 d4 G7 o0 |2 a% S) J& {2 t% I工廠，反映出中國市場的地位日益重要。
1 k9 ?# i7 A/ N: M( g* O　　韓國官方指出，三星尚未決定廠址，但將在今年內動工興建，預
: k8 d; i  i# \計在2013年底前完工營運，投產後的月產能將達到10萬片的規模。
  @6 W" n$ X7 Z" T　　半導體業內人士指出，三星很可能會將新廠設在蘇州，因為蘇州
9 O9 b' ]* i0 [2 k是三星在韓國本土以外最大的記憶體生產基地，而且三星在當地擁有
8 Q2 y. X# k3 ^. Y完整的產業鏈，包含電腦組裝、測廠、面板等，可以產生群聚效應。

+ _+ h0 V- v% s　　三星的7.5代面板廠就位在蘇州，去年5月才正式動工興建，也是
第一家獲得中國政府核准建造的外資高世代面板廠，當初市場上即盛
傳三星取得中方批准的條件之一，就是要在中國投資建造一座快閃記
憶體廠。
8 U% N  G, }& {2 _3 u　　三星是目前全球最大的NAND快閃記憶體製造廠，市占率超過40％
, k: @4 Z# P  G0 @3 `，並擁有最先進的製程，而韓國官方為了避免技術外洩，對於高科技
" I1 n( X8 y1 g$ N企業海外設廠都採取審查制度，三星本身也將成立一個專門委員會對
於技術嚴格把關。
　　據悉，這次三星新廠採用的20奈米是目前業界的最新製程技術，
英特爾與美光合資的IMFT在上個月宣布啟動128GB的20奈米技術量產計
畫。
( }6 i% \* L$ W6 _　　韓國友利投資證券公司的分析師認為，在中國消費電子市場正日
漸蓬勃的情況下，三星這筆投資來得即時，而且NAND快閃記憶體的利
' c5 x" L% d6 m. {潤依舊很高，未來市場需求將會隨著智慧手機與平板電腦的普及而逐
漸上升。 (新聞來源：工商時報─記者林殿唯／綜合報導)
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歐陽

在中國消費電子市場正日
漸蓬勃的情況下，三星這筆投資來得即時，而且NAND快閃記憶體的利
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漸上升。