砸40億美元，三星將在陸蓋快閃記憶體廠

歐陽

【時報-台北電】韓國官方昨（4）日表示，已經批准三星在中國建造
一座NAND快閃記憶體晶片廠，投資規模約為40億美元，不但將採用20
奈米以下的先進製程技術，也是三星在海外所建立的第2座快閃記憶體
7 L  Q" n( o2 X$ d& C  C! p5 f$ Y- a8 S工廠，反映出中國市場的地位日益重要。
　　韓國官方指出，三星尚未決定廠址，但將在今年內動工興建，預
計在2013年底前完工營運，投產後的月產能將達到10萬片的規模。
3 t6 q1 W4 u7 M. v; a" z3 N　　半導體業內人士指出，三星很可能會將新廠設在蘇州，因為蘇州
是三星在韓國本土以外最大的記憶體生產基地，而且三星在當地擁有
完整的產業鏈，包含電腦組裝、測廠、面板等，可以產生群聚效應。
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. V/ T; J( b2 c( A0 M　　三星的7.5代面板廠就位在蘇州，去年5月才正式動工興建，也是
0 L9 T+ |" l( N! d+ R5 I第一家獲得中國政府核准建造的外資高世代面板廠，當初市場上即盛
; x% U/ _( O1 p" `傳三星取得中方批准的條件之一，就是要在中國投資建造一座快閃記
憶體廠。
　　三星是目前全球最大的NAND快閃記憶體製造廠，市占率超過40％
，並擁有最先進的製程，而韓國官方為了避免技術外洩，對於高科技
# r  ^0 V1 ^2 D2 d企業海外設廠都採取審查制度，三星本身也將成立一個專門委員會對
. k3 [. n  U- b3 u2 \# I於技術嚴格把關。
* S, k% \0 `+ @/ E" }" y　　據悉，這次三星新廠採用的20奈米是目前業界的最新製程技術，
) L+ `+ v$ v* H9 H& Q英特爾與美光合資的IMFT在上個月宣布啟動128GB的20奈米技術量產計
畫。
; K1 [3 W, }( n* @. v' c　　韓國友利投資證券公司的分析師認為，在中國消費電子市場正日
漸蓬勃的情況下，三星這筆投資來得即時，而且NAND快閃記憶體的利
+ }; s, E( g! \潤依舊很高，未來市場需求將會隨著智慧手機與平板電腦的普及而逐
. p3 }. F0 A* h* V漸上升。 (新聞來源：工商時報─記者林殿唯／綜合報導)
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歐陽

在中國消費電子市場正日
漸蓬勃的情況下，三星這筆投資來得即時，而且NAND快閃記憶體的利
潤依舊很高，未來市場需求將會隨著智慧手機與平板電腦的普及而逐
漸上升。