砸40億美元，三星將在陸蓋快閃記憶體廠

歐陽

【時報-台北電】韓國官方昨（4）日表示，已經批准三星在中國建造
一座NAND快閃記憶體晶片廠，投資規模約為40億美元，不但將採用20
7 i8 ]4 \" b/ N4 C% D: d! P, S: O奈米以下的先進製程技術，也是三星在海外所建立的第2座快閃記憶體
7 n# r1 b9 h1 ]; O5 H工廠，反映出中國市場的地位日益重要。
　　韓國官方指出，三星尚未決定廠址，但將在今年內動工興建，預
* p4 L* A1 I: |5 o計在2013年底前完工營運，投產後的月產能將達到10萬片的規模。
: ?% E& R: [  @# K7 l9 h( m  x' S　　半導體業內人士指出，三星很可能會將新廠設在蘇州，因為蘇州
7 ~6 ?9 P! d% w8 c; I是三星在韓國本土以外最大的記憶體生產基地，而且三星在當地擁有
! U1 O, }; j+ @0 Q0 ?. N$ M* j# j完整的產業鏈，包含電腦組裝、測廠、面板等，可以產生群聚效應。

, u8 h6 H0 P6 ^# P+ M1 w　　三星的7.5代面板廠就位在蘇州，去年5月才正式動工興建，也是
! W0 q& _% v$ P9 W第一家獲得中國政府核准建造的外資高世代面板廠，當初市場上即盛
( k# h4 K" e& |傳三星取得中方批准的條件之一，就是要在中國投資建造一座快閃記
憶體廠。
# A, A) j' b, E, _9 J3 z　　三星是目前全球最大的NAND快閃記憶體製造廠，市占率超過40％
，並擁有最先進的製程，而韓國官方為了避免技術外洩，對於高科技
: b( f' K/ Z. D企業海外設廠都採取審查制度，三星本身也將成立一個專門委員會對
於技術嚴格把關。
　　據悉，這次三星新廠採用的20奈米是目前業界的最新製程技術，
2 _1 ^7 \1 [7 j- K英特爾與美光合資的IMFT在上個月宣布啟動128GB的20奈米技術量產計
畫。
　　韓國友利投資證券公司的分析師認為，在中國消費電子市場正日
. n  v' N  m& p1 O7 N漸蓬勃的情況下，三星這筆投資來得即時，而且NAND快閃記憶體的利
  ]/ ?$ |; ~7 V0 I3 h8 p潤依舊很高，未來市場需求將會隨著智慧手機與平板電腦的普及而逐
0 y( Q* l+ [. G9 Y' \- [1 T0 p9 `漸上升。 (新聞來源：工商時報─記者林殿唯／綜合報導)
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歐陽

在中國消費電子市場正日
漸蓬勃的情況下，三星這筆投資來得即時，而且NAND快閃記憶體的利
潤依舊很高，未來市場需求將會隨著智慧手機與平板電腦的普及而逐
漸上升。