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- 2017-12-9
 
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【時報-台北電】韓國官方昨(4)日表示,已經批准三星在中國建造8 Y1 w" k; [5 X* M4 U+ g8 s
一座NAND快閃記憶體晶片廠,投資規模約為40億美元,不但將採用20% J+ R7 a: d5 v1 T# ?
奈米以下的先進製程技術,也是三星在海外所建立的第2座快閃記憶體" j2 \5 M3 ?9 [8 ?- h0 I
工廠,反映出中國市場的地位日益重要。# L' z0 _9 R6 x' W; _7 E# q, }
韓國官方指出,三星尚未決定廠址,但將在今年內動工興建,預
2 _2 c! N5 e- \% ~- |! h計在2013年底前完工營運,投產後的月產能將達到10萬片的規模。5 s5 V M5 D0 z9 M) [! L5 H! e9 w
半導體業內人士指出,三星很可能會將新廠設在蘇州,因為蘇州
, C w2 x8 u& G& |是三星在韓國本土以外最大的記憶體生產基地,而且三星在當地擁有
1 I+ k% ]" n, X6 H6 A. R- t完整的產業鏈,包含電腦組裝、測廠、面板等,可以產生群聚效應。
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0 Z: [9 q9 L1 R& y9 d 三星的7.5代面板廠就位在蘇州,去年5月才正式動工興建,也是3 m9 y5 }: M; u5 |# D4 K
第一家獲得中國政府核准建造的外資高世代面板廠,當初市場上即盛
) c+ j2 c& B- v: H& k傳三星取得中方批准的條件之一,就是要在中國投資建造一座快閃記
! }# r' J) ~1 V: J憶體廠。2 R5 y) T# ?5 @/ v& k
三星是目前全球最大的NAND快閃記憶體製造廠,市占率超過40%0 j q4 r5 {8 ]: f* w
,並擁有最先進的製程,而韓國官方為了避免技術外洩,對於高科技5 g& T+ q0 p0 s0 V; \6 n( o
企業海外設廠都採取審查制度,三星本身也將成立一個專門委員會對9 K: n2 O- {8 t" d' k
於技術嚴格把關。8 F6 h" p( F2 U% o$ n8 o0 p4 N
據悉,這次三星新廠採用的20奈米是目前業界的最新製程技術,7 Q' Z* S+ x' M2 Y
英特爾與美光合資的IMFT在上個月宣布啟動128GB的20奈米技術量產計" y, R; D4 l% a/ ]0 D) a& A+ l
畫。
/ L5 _+ @5 y7 T# A" O 韓國友利投資證券公司的分析師認為,在中國消費電子市場正日
, E0 q9 Z1 [- [% ?0 H- N漸蓬勃的情況下,三星這筆投資來得即時,而且NAND快閃記憶體的利* M' a& x) c9 T; j
潤依舊很高,未來市場需求將會隨著智慧手機與平板電腦的普及而逐
, U2 B! t( t) E8 B漸上升。 (新聞來源:工商時報─記者林殿唯/綜合報導)
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