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- 2017-12-9
 
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【時報-各報要聞】晶圓二哥聯電(2303),28奈米接單傳出捷報。設備
- r2 m8 S0 `% x6 P; [/ g6 E業者指出,聯電28奈米進展順利,在拿下德儀(TI)次世代ARM架構處
5 G' m1 P: f0 u1 ^+ a8 A理器OMAP 5代工訂單後,日前再度成功突破台積電在28奈米市場設下
( Y' Q( U. L6 A6 m的進入障礙,拿下手機晶片大廠高通(Qualcomm)的28奈米整合型基
1 H2 l4 Y c9 {4 c: f4 q- J頻晶片代工訂單。1 i" X( |* {9 z8 m2 U% Y8 j
8 f/ F4 h; T- r. j
2008年底金融海嘯發生後,聯電決定調整營運模式,不再與台積: j# b- q C5 I: c+ O+ A8 k5 \# ?
電進行製程競賽,朝向客戶導向的晶圓專工解決方案提供者(Custom
2 z$ f e' _, uer-Driven Foundry Solutions)的方向發展。但聯電並沒有因此停止
* Z1 `! P# V- v0 R" `2 c先進製程研發,2008年底已產出業界第一個全功能28奈米製程SRAM晶& } J+ S) n) Y+ b2 V9 x' m: G. K
片,多晶矽氮氧化矽(Poly/SiON)及高介電金屬閘極(HKMG)等兩種" U% ]/ D5 |) O7 l3 G
技術亦在去年獲得驗證通過。
: W9 |9 n$ U; ~3 _$ Z0 J4 J/ C 聯電去年一整年都在佈建28奈米生態系統,包括與電子設計自動: o& I F M5 w/ G' N, T9 V
化工具(EDA)、矽智財(IP)等獨立第三方(third party)業者深) u! _% f8 d& K
度合作,並與英商安謀(ARM)簽訂長期合作協議,在28奈米HKMG製程% Z: o" X: O! ~; ^
中整合安謀的ARM Artisan實體矽智財(Physical IP)等。
7 B( Y5 t- w0 k D& ]0 m 聯電雖然28奈米進度仍落後台積電約半年時間,但今年卻可望是
# s+ b" {/ d* X28奈米投資開始收成的一年,除了已確定成為德儀次世代ARM架構應用2 z8 d- E7 t7 X
處理器OMAP 5的最大晶圓代工廠,上半年就會進入量產,設備業者近
- }4 i. Q" z2 Q( X5 r+ x% B& V7 H期傳出,聯電也搶下高通28奈米整合型基頻晶片代工訂單,本季下旬6 X2 Z. W7 u" q, h; s$ G1 L
就會進入生產準備期。
8 C {0 Q* J% o; g# L# k 聯電雖然是高通晶圓代工廠之一,但接單量一直不高,也不是先9 z% X+ M( T1 x* F0 z' S9 M( V
進製程晶片主要代工廠,但聯電此次卻成功自對手手中搶下28奈米代
4 n& z" e4 f: z% c0 x9 v2 c工訂單,擠進高通的先進製程晶圓代工廠行列,業者認為,這代表聯6 {" r6 [ R* e- P# }
電在28奈米世代穩扎穩打的佈局策略十分成功。對此,聯電低調表示
2 r- W5 y; F3 a! X! @+ V4 b,對客戶及接單一向不予評論。
. Q. g+ ~8 [: r/ e0 C 法人認為,高通今年3G基頻晶片策略在於攻下中國、印度等新興$ V& i$ t) O; [0 Q$ ^
市場,需要龐大的低成本多頻多模基頻晶片產能支援,台積電的晶圓% b# X" ~9 r: Y( j1 h
代工價格高,聯電在報價上較有彈性,產能支援上也沒有台積電那麼" i0 T3 ]/ Y. p9 ~
緊,應該是此次成功搶下高通28奈米訂單的重要關鍵。 (新聞來源:
: I# x0 y8 r2 K4 i+ u" G1 U8 G+ ]工商時報─記者涂志豪/台北報導)
: e; A. m) d/ _% m7 |7 E% g) I2 ^( ]
: j- j7 u! f7 M9 h) X0 a1 _( b) k a: e' p1 P
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