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- 2017-12-9
 
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【時報-各報要聞】晶圓二哥聯電(2303),28奈米接單傳出捷報。設備
" E8 d) {: D3 ~) Q8 O3 j; `業者指出,聯電28奈米進展順利,在拿下德儀(TI)次世代ARM架構處) R- h% R( G6 n ]7 x
理器OMAP 5代工訂單後,日前再度成功突破台積電在28奈米市場設下
5 }. i) S9 E$ j4 I的進入障礙,拿下手機晶片大廠高通(Qualcomm)的28奈米整合型基& G+ @$ d0 N. U6 f9 u7 S
頻晶片代工訂單。* }8 T0 c1 l% m6 c$ j; M/ i
$ c) d9 j9 E$ [- N 2008年底金融海嘯發生後,聯電決定調整營運模式,不再與台積3 P# f( c. s" r. i3 Q+ d2 ^
電進行製程競賽,朝向客戶導向的晶圓專工解決方案提供者(Custom5 N8 n) `. T/ W# g% ]5 x3 k4 @
er-Driven Foundry Solutions)的方向發展。但聯電並沒有因此停止
6 G2 H. k' d. U6 m6 X& S" V$ l先進製程研發,2008年底已產出業界第一個全功能28奈米製程SRAM晶
+ D. k8 a& I1 g P; f4 w3 n7 K片,多晶矽氮氧化矽(Poly/SiON)及高介電金屬閘極(HKMG)等兩種/ r B, K) b. \$ p9 r8 W, w
技術亦在去年獲得驗證通過。
1 m2 r9 W: R4 |2 q. X/ V* M3 Q 聯電去年一整年都在佈建28奈米生態系統,包括與電子設計自動
& O# H% m9 K; o$ g5 [化工具(EDA)、矽智財(IP)等獨立第三方(third party)業者深
/ K) |/ c8 B+ p0 h1 j) q/ p- |度合作,並與英商安謀(ARM)簽訂長期合作協議,在28奈米HKMG製程 W/ f' D) @/ J# l! i0 w- v4 N" B
中整合安謀的ARM Artisan實體矽智財(Physical IP)等。$ y: e# Y# G6 v9 k+ y
聯電雖然28奈米進度仍落後台積電約半年時間,但今年卻可望是
9 O" e( G' S: A o+ p0 Y28奈米投資開始收成的一年,除了已確定成為德儀次世代ARM架構應用
( ]1 z, i A+ t/ H處理器OMAP 5的最大晶圓代工廠,上半年就會進入量產,設備業者近! C# O7 |9 ~+ y4 l [4 s$ X
期傳出,聯電也搶下高通28奈米整合型基頻晶片代工訂單,本季下旬
9 g: ?' [! ~# q. b: l3 ?. w% [# ]就會進入生產準備期。
1 A$ U' B* ]( Y; @( ^8 W2 k" U* M 聯電雖然是高通晶圓代工廠之一,但接單量一直不高,也不是先
# K$ B& m5 u3 p' Z2 j0 |8 X進製程晶片主要代工廠,但聯電此次卻成功自對手手中搶下28奈米代
+ i5 a E' b, c* b工訂單,擠進高通的先進製程晶圓代工廠行列,業者認為,這代表聯
. R' O) U) k" Z& k9 a& A電在28奈米世代穩扎穩打的佈局策略十分成功。對此,聯電低調表示$ t2 ], d0 K: B# _
,對客戶及接單一向不予評論。
- g! j% s. l: E% i 法人認為,高通今年3G基頻晶片策略在於攻下中國、印度等新興
% f0 g8 m* F8 T) g市場,需要龐大的低成本多頻多模基頻晶片產能支援,台積電的晶圓
9 z" r/ E4 w- k0 O! y. t2 {代工價格高,聯電在報價上較有彈性,產能支援上也沒有台積電那麼
& s& ]. @! j* a6 @緊,應該是此次成功搶下高通28奈米訂單的重要關鍵。 (新聞來源:
/ M( y ~/ Y. P3 [4 _/ n工商時報─記者涂志豪/台北報導)
- Q1 T* W' [" B- B3 q5 T# J0 T0 |* v6 y3 M
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