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【時報-各報要聞】晶圓二哥聯電(2303),28奈米接單傳出捷報。設備
: @% A/ E- z8 i7 T ~( J6 k! _業者指出,聯電28奈米進展順利,在拿下德儀(TI)次世代ARM架構處. V% r6 n0 K* M! ~
理器OMAP 5代工訂單後,日前再度成功突破台積電在28奈米市場設下
9 X- |2 y8 n* x# B ^9 B: H的進入障礙,拿下手機晶片大廠高通(Qualcomm)的28奈米整合型基& U; n% l- T- x) X" ~- D* T
頻晶片代工訂單。% c0 j5 l- `/ x4 r, `, t
* N: ?" f8 t( v& @$ R
2008年底金融海嘯發生後,聯電決定調整營運模式,不再與台積
9 C4 T& ~) V! C電進行製程競賽,朝向客戶導向的晶圓專工解決方案提供者(Custom
$ Y; b" x: k2 I# ]$ `8 g- {. p0 Ber-Driven Foundry Solutions)的方向發展。但聯電並沒有因此停止
0 [ T/ Z: [4 F2 u先進製程研發,2008年底已產出業界第一個全功能28奈米製程SRAM晶
/ b. c% @" F0 a e5 K0 ^片,多晶矽氮氧化矽(Poly/SiON)及高介電金屬閘極(HKMG)等兩種8 p/ [/ _% o! M! ^1 `& \, v4 J6 s
技術亦在去年獲得驗證通過。* h$ }0 X# ]* |# u$ r
聯電去年一整年都在佈建28奈米生態系統,包括與電子設計自動$ B$ Z. K1 R/ S9 |8 v* t
化工具(EDA)、矽智財(IP)等獨立第三方(third party)業者深
1 |3 A8 r, W' y6 \5 w. R度合作,並與英商安謀(ARM)簽訂長期合作協議,在28奈米HKMG製程
/ q p& _7 o$ ]- ?9 P' F中整合安謀的ARM Artisan實體矽智財(Physical IP)等。 \5 A) I! z& e2 ~ B6 j/ _ {
聯電雖然28奈米進度仍落後台積電約半年時間,但今年卻可望是1 t2 j6 S' ]5 s2 l4 H. R
28奈米投資開始收成的一年,除了已確定成為德儀次世代ARM架構應用
! ^7 f. @/ ?7 r6 O7 h+ `處理器OMAP 5的最大晶圓代工廠,上半年就會進入量產,設備業者近
' S) _7 @3 `& M2 E' W期傳出,聯電也搶下高通28奈米整合型基頻晶片代工訂單,本季下旬3 \9 @0 K5 r# V3 _" f
就會進入生產準備期。
% t1 N6 ^+ ?! i( [, L 聯電雖然是高通晶圓代工廠之一,但接單量一直不高,也不是先
, f- N6 E- y3 j6 O1 B進製程晶片主要代工廠,但聯電此次卻成功自對手手中搶下28奈米代
" d6 L. d1 _* }& Q4 l; m工訂單,擠進高通的先進製程晶圓代工廠行列,業者認為,這代表聯 H7 ]$ \6 H: ?1 O3 J) i2 T
電在28奈米世代穩扎穩打的佈局策略十分成功。對此,聯電低調表示3 N+ @! Z0 E1 n
,對客戶及接單一向不予評論。
8 M& W H) {% a" b0 a# N- C- I' ` 法人認為,高通今年3G基頻晶片策略在於攻下中國、印度等新興1 b6 Z& I3 a4 j7 {( q
市場,需要龐大的低成本多頻多模基頻晶片產能支援,台積電的晶圓
`* W8 |! L5 b' u# _: F代工價格高,聯電在報價上較有彈性,產能支援上也沒有台積電那麼
7 Y* M9 h, E4 c: X$ W8 L緊,應該是此次成功搶下高通28奈米訂單的重要關鍵。 (新聞來源:5 v3 u4 ]$ L7 ?8 ]' ?, [! ~' x7 |
工商時報─記者涂志豪/台北報導)
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