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- 2017-12-9
 
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【時報-各報要聞】晶圓二哥聯電(2303),28奈米接單傳出捷報。設備
/ b9 O% Y: v; {" F5 ?% W業者指出,聯電28奈米進展順利,在拿下德儀(TI)次世代ARM架構處+ r7 @' A. I8 T& ]9 {
理器OMAP 5代工訂單後,日前再度成功突破台積電在28奈米市場設下
( Z. u' B; q) d# y( p& W的進入障礙,拿下手機晶片大廠高通(Qualcomm)的28奈米整合型基, M5 i6 x |- Z$ Y, o; ?# K6 F
頻晶片代工訂單。
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1 n- Z3 r8 t: n& Q& o 2008年底金融海嘯發生後,聯電決定調整營運模式,不再與台積
( h* u. o7 K3 J電進行製程競賽,朝向客戶導向的晶圓專工解決方案提供者(Custom
9 U* a6 | d4 J3 i/ Rer-Driven Foundry Solutions)的方向發展。但聯電並沒有因此停止$ o- B* H2 C+ d/ `5 X- k9 b" S- N# A
先進製程研發,2008年底已產出業界第一個全功能28奈米製程SRAM晶1 x6 Q2 W \9 T
片,多晶矽氮氧化矽(Poly/SiON)及高介電金屬閘極(HKMG)等兩種2 ~3 d. M/ S6 E; b
技術亦在去年獲得驗證通過。7 T7 d5 {: O9 a3 N
聯電去年一整年都在佈建28奈米生態系統,包括與電子設計自動
# L! u8 S* b+ C% s1 m2 p/ x化工具(EDA)、矽智財(IP)等獨立第三方(third party)業者深* h$ {2 I5 `% I; Z* ^% d- s
度合作,並與英商安謀(ARM)簽訂長期合作協議,在28奈米HKMG製程& V6 M$ e: A! U4 l: Z7 m
中整合安謀的ARM Artisan實體矽智財(Physical IP)等。* i- t# `( ~" G
聯電雖然28奈米進度仍落後台積電約半年時間,但今年卻可望是
9 k$ N1 |8 X! s/ k# {& X2 K ]28奈米投資開始收成的一年,除了已確定成為德儀次世代ARM架構應用6 ~/ E0 r9 W5 I/ P; r) Q
處理器OMAP 5的最大晶圓代工廠,上半年就會進入量產,設備業者近
' n0 e$ N: t8 A( Q0 {期傳出,聯電也搶下高通28奈米整合型基頻晶片代工訂單,本季下旬
0 r! }8 d; q6 W! S- T; s/ \就會進入生產準備期。
, N) _# v8 |, @' Q0 ~ 聯電雖然是高通晶圓代工廠之一,但接單量一直不高,也不是先# p0 Q# `) Q7 l) r
進製程晶片主要代工廠,但聯電此次卻成功自對手手中搶下28奈米代
6 I) w/ A4 h- g$ O- {: p工訂單,擠進高通的先進製程晶圓代工廠行列,業者認為,這代表聯3 S' P' a- M. |
電在28奈米世代穩扎穩打的佈局策略十分成功。對此,聯電低調表示8 ?7 ~. \8 v3 `
,對客戶及接單一向不予評論。
8 l6 Q* ^) L/ n& ^2 c* V 法人認為,高通今年3G基頻晶片策略在於攻下中國、印度等新興
( M* ^" {. {( @4 o/ F市場,需要龐大的低成本多頻多模基頻晶片產能支援,台積電的晶圓
, H4 X$ I, ?0 q2 Y$ D1 X代工價格高,聯電在報價上較有彈性,產能支援上也沒有台積電那麼. S4 O* `- ~% ?3 j' k9 ^
緊,應該是此次成功搶下高通28奈米訂單的重要關鍵。 (新聞來源:
[& `# @$ C5 C' g7 T7 [" p' z( X工商時報─記者涂志豪/台北報導)0 f# \6 u; ~5 o r' L/ E" T0 Z
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