高通下單，聯電拉高資本支出

歐陽

【時報-各報要聞】晶圓代工廠聯電(2303)昨（8）日召開法說會，決
定調升今年資本支出至20億美元，讓與會法人大感意外。聯電執行長
孫世偉表示，因為看好行動裝置晶片需求，且為了承諾客戶提供足夠
1 n( U1 k- P( |+ k% g3 I: v6 a7 ~的40奈米及28奈米產能，所以才決定提高今年資本支出。

# B. R7 l2 M& U; d　據了解，聯電拉高資本支出，主要原因就是獲得高通、德儀大訂單
。
, B1 ^$ w! [! C  Q; C6 s　聯電去年原訂資本支出為18億美元，但實際支出為16億美元，其中
/ j* p2 J5 M. ]) [2億美元遞延到今年，聯電因獲得高通及德儀等大客戶行動裝置晶片訂
% f) h2 D$ |2 k* W! w. ]1 ~單，要建置足夠的40奈米及28奈米產能，所以今年資本支出合計將拉
# r8 P1 b+ u' f3 j, a: P/ U高到20億美元、年增25％。
! U- O  Q: M3 k; V: B( J　法人表示，相較於台積電將資本支出由去年的72.86億美元，調降到
今年60億美元，減幅約達18％，聯電在景氣不確定性仍高的此刻，逆
: ~+ o- m: O0 e2 B4 M# K勢拉高資本支出，代表聯電已成功提高行動裝置晶片的滲透率，對訂
單掌握度也愈來愈高。
: i. @. U4 D0 D' T. w+ `　孫世偉昨天表示，聯電樂觀看待未來行動通訊與運算市場的高階晶
5 s* X7 J# H3 X3 r9 u3 {6 C片需求，為積極掌握這一絕佳的機會，完整佈建40奈米及28奈米解決
  A7 d/ w$ \7 a* j. M+ q9 y方案，持續與領先客戶合作以爭取更多旗艦產品，並承諾提供充分產
能，所以今年資本支出將增加到20億美元。
/ n3 ~9 j% q% B& Z　孫世偉強調，聯電並不盲目擴充產能，此投資計畫經過審慎評估，
; G( K: L, ~8 B% T$ x4 L完整考量聯電在不同階段下高階製程成熟程度，以及客戶產能需求，
以現階段28奈米與客戶的合作進展及強烈需求，相信在量產技術就位
後將帶來豐厚的收穫。
! v8 a. c8 \1 `8 b+ O) |　聯電預估，今年底40奈米佔營收比重將達15％，28奈米亦可達到5％
，聯電已完成10項28奈米晶片設計定案（tape-out），其中一顆28奈
米的ARM架構應用處理器已開始送樣。據了解，這顆晶片是德儀最新款
OMAP 5多核心應用處理器。
4 e( ~  N9 A2 Y4 m& N$ t( o　另外，聯電也開始佈建2.5D矽中介層（Interposer）解決方案，並
+ m7 M! K: m4 P9 R5 [為客戶完成40奈米及28奈米製程矽中介層設計定案。孫世偉表示，聯
/ N. H6 c! @9 t# H0 k1 ]& A# v電與封測廠將建立開放式技術平台，以提供最適切的服務，與爾必達
及力成合作的直通矽晶穿孔（TSV）技術已有很好的成果。(新聞來源
0 u! J8 [3 C+ s% G( s9 t3 t* D+ e：工商時報─記者涂志豪／台北報導)

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歐陽

因為看好行動裝置晶片需求，且為了承諾客戶提供足夠
: s* q7 `, b; Q! {- F8 k的40奈米及28奈米產能，所以才決定提高今年資本支出。

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