高通下單，聯電拉高資本支出

歐陽

【時報-各報要聞】晶圓代工廠聯電(2303)昨（8）日召開法說會，決
定調升今年資本支出至20億美元，讓與會法人大感意外。聯電執行長
: h8 c. E) C5 _/ c0 i( ]孫世偉表示，因為看好行動裝置晶片需求，且為了承諾客戶提供足夠
的40奈米及28奈米產能，所以才決定提高今年資本支出。

* ^! c- O& y7 M; b9 Q' x4 x　據了解，聯電拉高資本支出，主要原因就是獲得高通、德儀大訂單
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2 Q8 n& y9 c. Y! K4 ]9 W　聯電去年原訂資本支出為18億美元，但實際支出為16億美元，其中
1 }, H* \3 U# \$ ?0 i# e& w2億美元遞延到今年，聯電因獲得高通及德儀等大客戶行動裝置晶片訂
單，要建置足夠的40奈米及28奈米產能，所以今年資本支出合計將拉
2 x! \( \6 z/ M6 \高到20億美元、年增25％。
; j  [9 v" y& D2 e　法人表示，相較於台積電將資本支出由去年的72.86億美元，調降到
今年60億美元，減幅約達18％，聯電在景氣不確定性仍高的此刻，逆
1 E' @* m+ g3 f- z3 }) A勢拉高資本支出，代表聯電已成功提高行動裝置晶片的滲透率，對訂
2 Z/ z2 m8 r* g單掌握度也愈來愈高。
1 E1 S. I- a! @+ B) T　孫世偉昨天表示，聯電樂觀看待未來行動通訊與運算市場的高階晶
片需求，為積極掌握這一絕佳的機會，完整佈建40奈米及28奈米解決
方案，持續與領先客戶合作以爭取更多旗艦產品，並承諾提供充分產
能，所以今年資本支出將增加到20億美元。
6 s& t) d6 v% f( ?. g/ P　孫世偉強調，聯電並不盲目擴充產能，此投資計畫經過審慎評估，
完整考量聯電在不同階段下高階製程成熟程度，以及客戶產能需求，
0 m0 ?: _" e! g" g; j9 J' a# [以現階段28奈米與客戶的合作進展及強烈需求，相信在量產技術就位
, P( n# Y$ p8 g( E後將帶來豐厚的收穫。
, \" H& s4 a8 k0 L5 t- K　聯電預估，今年底40奈米佔營收比重將達15％，28奈米亦可達到5％
，聯電已完成10項28奈米晶片設計定案（tape-out），其中一顆28奈
* t' Y: J1 T! D( P8 c米的ARM架構應用處理器已開始送樣。據了解，這顆晶片是德儀最新款
OMAP 5多核心應用處理器。
　另外，聯電也開始佈建2.5D矽中介層（Interposer）解決方案，並
為客戶完成40奈米及28奈米製程矽中介層設計定案。孫世偉表示，聯
電與封測廠將建立開放式技術平台，以提供最適切的服務，與爾必達
3 t( e1 \" ~* ]9 z3 Z及力成合作的直通矽晶穿孔（TSV）技術已有很好的成果。(新聞來源
) r3 e/ S9 L. G" d2 h* I. p* L6 N2 E：工商時報─記者涂志豪／台北報導)


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歐陽

因為看好行動裝置晶片需求，且為了承諾客戶提供足夠
7 M8 d/ u9 G; Y4 X& b* x的40奈米及28奈米產能，所以才決定提高今年資本支出。

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