高通下單，聯電拉高資本支出

歐陽

【時報-各報要聞】晶圓代工廠聯電(2303)昨（8）日召開法說會，決
定調升今年資本支出至20億美元，讓與會法人大感意外。聯電執行長
孫世偉表示，因為看好行動裝置晶片需求，且為了承諾客戶提供足夠
) V5 w+ ~5 \0 T+ @" [3 y/ Z+ I的40奈米及28奈米產能，所以才決定提高今年資本支出。

7 H4 l. H; ^0 p/ n$ p6 k- w- ?　據了解，聯電拉高資本支出，主要原因就是獲得高通、德儀大訂單
。
　聯電去年原訂資本支出為18億美元，但實際支出為16億美元，其中
/ Z, h7 w4 h( J  f2億美元遞延到今年，聯電因獲得高通及德儀等大客戶行動裝置晶片訂
單，要建置足夠的40奈米及28奈米產能，所以今年資本支出合計將拉
  M2 r/ r) K; n& k% \高到20億美元、年增25％。
& v( R5 D9 A; M2 ?' k　法人表示，相較於台積電將資本支出由去年的72.86億美元，調降到
1 O( e: J& h0 `7 t今年60億美元，減幅約達18％，聯電在景氣不確定性仍高的此刻，逆
勢拉高資本支出，代表聯電已成功提高行動裝置晶片的滲透率，對訂
0 M, C/ w# ^% e$ v% C- C: F3 u8 Z$ B單掌握度也愈來愈高。
% D8 f$ A% |0 N# T　孫世偉昨天表示，聯電樂觀看待未來行動通訊與運算市場的高階晶
片需求，為積極掌握這一絕佳的機會，完整佈建40奈米及28奈米解決
' j; E9 m. M" ~- P% g2 N方案，持續與領先客戶合作以爭取更多旗艦產品，並承諾提供充分產
; q7 j+ V" ^/ _2 n能，所以今年資本支出將增加到20億美元。
- a2 \* a  l/ T　孫世偉強調，聯電並不盲目擴充產能，此投資計畫經過審慎評估，
1 \! o9 U- ^8 n! f& v完整考量聯電在不同階段下高階製程成熟程度，以及客戶產能需求，
以現階段28奈米與客戶的合作進展及強烈需求，相信在量產技術就位
後將帶來豐厚的收穫。
　聯電預估，今年底40奈米佔營收比重將達15％，28奈米亦可達到5％
/ H0 v7 U+ M1 t; @，聯電已完成10項28奈米晶片設計定案（tape-out），其中一顆28奈
米的ARM架構應用處理器已開始送樣。據了解，這顆晶片是德儀最新款
6 c8 ~7 F: E9 aOMAP 5多核心應用處理器。
　另外，聯電也開始佈建2.5D矽中介層（Interposer）解決方案，並
為客戶完成40奈米及28奈米製程矽中介層設計定案。孫世偉表示，聯
7 |6 ^; J1 w" X! W( Q" m/ J電與封測廠將建立開放式技術平台，以提供最適切的服務，與爾必達
5 D7 s7 D7 x# f, o" j/ j及力成合作的直通矽晶穿孔（TSV）技術已有很好的成果。(新聞來源
：工商時報─記者涂志豪／台北報導)
, E8 Q0 a/ Z/ u" V9 I


9 k8 x: n% l- h' r9 N

歐陽

因為看好行動裝置晶片需求，且為了承諾客戶提供足夠
的40奈米及28奈米產能，所以才決定提高今年資本支出。

威廉

感謝分享....