砸40億美元，三星將在陸蓋快閃記憶體廠

歐陽

【時報-台北電】韓國官方昨（4）日表示，已經批准三星在中國建造
) B/ q* d3 ~3 n* n# q* l一座NAND快閃記憶體晶片廠，投資規模約為40億美元，不但將採用20
奈米以下的先進製程技術，也是三星在海外所建立的第2座快閃記憶體
4 y, S; I1 v" V$ j& H7 o+ k& ]工廠，反映出中國市場的地位日益重要。
* W, }1 v# F9 t) R$ n4 g) F$ C　　韓國官方指出，三星尚未決定廠址，但將在今年內動工興建，預
$ [' p0 g* K7 g% w' N  I# D計在2013年底前完工營運，投產後的月產能將達到10萬片的規模。
& M$ g6 }1 ?+ J* ]( @　　半導體業內人士指出，三星很可能會將新廠設在蘇州，因為蘇州
1 H4 e/ Z: e+ w+ B! F* t是三星在韓國本土以外最大的記憶體生產基地，而且三星在當地擁有
完整的產業鏈，包含電腦組裝、測廠、面板等，可以產生群聚效應。

　　三星的7.5代面板廠就位在蘇州，去年5月才正式動工興建，也是
- T( k2 o4 L+ `, A第一家獲得中國政府核准建造的外資高世代面板廠，當初市場上即盛
傳三星取得中方批准的條件之一，就是要在中國投資建造一座快閃記
. Q+ f4 i) A- x! L憶體廠。
　　三星是目前全球最大的NAND快閃記憶體製造廠，市占率超過40％
" L3 N6 E  L' u( ~& y6 f7 M，並擁有最先進的製程，而韓國官方為了避免技術外洩，對於高科技
企業海外設廠都採取審查制度，三星本身也將成立一個專門委員會對
於技術嚴格把關。
: s& \$ b1 `* |1 _* y1 ?　　據悉，這次三星新廠採用的20奈米是目前業界的最新製程技術，
英特爾與美光合資的IMFT在上個月宣布啟動128GB的20奈米技術量產計
畫。
　　韓國友利投資證券公司的分析師認為，在中國消費電子市場正日
漸蓬勃的情況下，三星這筆投資來得即時，而且NAND快閃記憶體的利
潤依舊很高，未來市場需求將會隨著智慧手機與平板電腦的普及而逐
漸上升。 (新聞來源：工商時報─記者林殿唯／綜合報導)
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歐陽

在中國消費電子市場正日
漸蓬勃的情況下，三星這筆投資來得即時，而且NAND快閃記憶體的利
4 L, Y2 K0 D6 O# m) v潤依舊很高，未來市場需求將會隨著智慧手機與平板電腦的普及而逐
8 t% a* C0 i& Y: S3 E3 M, t漸上升。