砸40億美元，三星將在陸蓋快閃記憶體廠

歐陽

【時報-台北電】韓國官方昨（4）日表示，已經批准三星在中國建造
" W3 V3 r9 T' c* T& D' g* v一座NAND快閃記憶體晶片廠，投資規模約為40億美元，不但將採用20
奈米以下的先進製程技術，也是三星在海外所建立的第2座快閃記憶體
* T0 `. ^2 p  ?4 W工廠，反映出中國市場的地位日益重要。
　　韓國官方指出，三星尚未決定廠址，但將在今年內動工興建，預
! x) Z$ i4 S: Y$ X5 ?4 L# x, z# a& Q計在2013年底前完工營運，投產後的月產能將達到10萬片的規模。
　　半導體業內人士指出，三星很可能會將新廠設在蘇州，因為蘇州
是三星在韓國本土以外最大的記憶體生產基地，而且三星在當地擁有
. v+ P8 a9 D5 M  ^* ?8 e, {完整的產業鏈，包含電腦組裝、測廠、面板等，可以產生群聚效應。
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　　三星的7.5代面板廠就位在蘇州，去年5月才正式動工興建，也是
第一家獲得中國政府核准建造的外資高世代面板廠，當初市場上即盛
傳三星取得中方批准的條件之一，就是要在中國投資建造一座快閃記
憶體廠。
% i; N! K3 L8 e/ y' o2 X; k0 Y　　三星是目前全球最大的NAND快閃記憶體製造廠，市占率超過40％
8 T& S! J/ V0 v4 b- {9 p0 J3 q' q，並擁有最先進的製程，而韓國官方為了避免技術外洩，對於高科技
企業海外設廠都採取審查制度，三星本身也將成立一個專門委員會對
於技術嚴格把關。
' o+ C/ c4 X/ M9 O　　據悉，這次三星新廠採用的20奈米是目前業界的最新製程技術，
1 }# Z0 E( D! e# T& g( {$ l英特爾與美光合資的IMFT在上個月宣布啟動128GB的20奈米技術量產計
7 z2 N) w9 Q% j7 f0 e( C9 Z- g4 o畫。
　　韓國友利投資證券公司的分析師認為，在中國消費電子市場正日
漸蓬勃的情況下，三星這筆投資來得即時，而且NAND快閃記憶體的利
潤依舊很高，未來市場需求將會隨著智慧手機與平板電腦的普及而逐
3 I% `: X! y7 h% s  C5 s漸上升。 (新聞來源：工商時報─記者林殿唯／綜合報導)
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歐陽

在中國消費電子市場正日
# V: E8 \, U/ `! ]漸蓬勃的情況下，三星這筆投資來得即時，而且NAND快閃記憶體的利
潤依舊很高，未來市場需求將會隨著智慧手機與平板電腦的普及而逐
漸上升。