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- 2017-12-9
 
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【時報-各報要聞】晶圓二哥聯電(2303),28奈米接單傳出捷報。設備
3 |, h9 j/ k. Q: a業者指出,聯電28奈米進展順利,在拿下德儀(TI)次世代ARM架構處, H, ?" ?7 g0 o
理器OMAP 5代工訂單後,日前再度成功突破台積電在28奈米市場設下5 k/ x* h- a6 e. p' K
的進入障礙,拿下手機晶片大廠高通(Qualcomm)的28奈米整合型基
2 n$ O$ f! G" v3 t# z7 g7 Z8 _頻晶片代工訂單。) n. D# i. a" U. w# x5 ~
% c/ L( v2 F6 m2 o, ~9 W9 ^% z 2008年底金融海嘯發生後,聯電決定調整營運模式,不再與台積
+ D5 m& g. P" X2 V* v8 @: a1 r5 K電進行製程競賽,朝向客戶導向的晶圓專工解決方案提供者(Custom
7 M' J) K2 p+ h7 F' ker-Driven Foundry Solutions)的方向發展。但聯電並沒有因此停止3 B4 ^1 B% u& e& B6 e
先進製程研發,2008年底已產出業界第一個全功能28奈米製程SRAM晶" ^4 |. P; {1 G# j$ Y/ F. r% S
片,多晶矽氮氧化矽(Poly/SiON)及高介電金屬閘極(HKMG)等兩種
$ D% @: x' [: r8 u* _+ j技術亦在去年獲得驗證通過。
5 e) C$ b8 H( O/ t% t 聯電去年一整年都在佈建28奈米生態系統,包括與電子設計自動( |" L! C7 N B
化工具(EDA)、矽智財(IP)等獨立第三方(third party)業者深
@) O, i7 ]+ P- N; O4 n9 p度合作,並與英商安謀(ARM)簽訂長期合作協議,在28奈米HKMG製程) o# @3 I$ t" E- _
中整合安謀的ARM Artisan實體矽智財(Physical IP)等。9 X$ e: c5 G) _1 O
聯電雖然28奈米進度仍落後台積電約半年時間,但今年卻可望是. d% t( A. c4 e+ l8 B# y% J; O
28奈米投資開始收成的一年,除了已確定成為德儀次世代ARM架構應用 z1 c1 p9 J5 \$ _! C/ b1 ~: q
處理器OMAP 5的最大晶圓代工廠,上半年就會進入量產,設備業者近) E2 z( q! _2 \1 W5 |6 v4 D
期傳出,聯電也搶下高通28奈米整合型基頻晶片代工訂單,本季下旬! u Q) U4 o/ m. w
就會進入生產準備期。
% N5 L: w) H- K) A2 L! M 聯電雖然是高通晶圓代工廠之一,但接單量一直不高,也不是先) y4 f2 N' n, F9 Z
進製程晶片主要代工廠,但聯電此次卻成功自對手手中搶下28奈米代
! C4 T [4 l' V工訂單,擠進高通的先進製程晶圓代工廠行列,業者認為,這代表聯
# M$ K' W# g* m$ D V電在28奈米世代穩扎穩打的佈局策略十分成功。對此,聯電低調表示
3 s* K0 x! D; S" D; _5 b,對客戶及接單一向不予評論。
+ P7 o8 L5 p; R$ ]9 k- _3 B1 f 法人認為,高通今年3G基頻晶片策略在於攻下中國、印度等新興
2 x6 n) Y5 B- X9 z/ M9 {" ]市場,需要龐大的低成本多頻多模基頻晶片產能支援,台積電的晶圓. h! m3 ?4 ?0 f- I1 |
代工價格高,聯電在報價上較有彈性,產能支援上也沒有台積電那麼
3 }/ t& |2 _$ M6 Z5 W緊,應該是此次成功搶下高通28奈米訂單的重要關鍵。 (新聞來源:+ f% j) L$ H, M' Y9 ~
工商時報─記者涂志豪/台北報導)
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