高通下單，聯電拉高資本支出

歐陽

【時報-各報要聞】晶圓代工廠聯電(2303)昨（8）日召開法說會，決
) o/ R; M! l. I$ P4 C  U) e/ ~定調升今年資本支出至20億美元，讓與會法人大感意外。聯電執行長
+ _4 n$ F$ X8 l" f4 N- M2 m孫世偉表示，因為看好行動裝置晶片需求，且為了承諾客戶提供足夠
5 f5 a# w. X* M, M$ e% P0 B的40奈米及28奈米產能，所以才決定提高今年資本支出。

　據了解，聯電拉高資本支出，主要原因就是獲得高通、德儀大訂單
。
　聯電去年原訂資本支出為18億美元，但實際支出為16億美元，其中
2億美元遞延到今年，聯電因獲得高通及德儀等大客戶行動裝置晶片訂
# k: l4 X3 }+ _9 X8 W" V) \( j單，要建置足夠的40奈米及28奈米產能，所以今年資本支出合計將拉
6 s" D- t6 B& d0 v) Z高到20億美元、年增25％。
$ H$ U' [2 ~% e/ t　法人表示，相較於台積電將資本支出由去年的72.86億美元，調降到
+ A/ d, c* F; {) u& P- x7 c今年60億美元，減幅約達18％，聯電在景氣不確定性仍高的此刻，逆
% f, d3 S+ }  [6 a勢拉高資本支出，代表聯電已成功提高行動裝置晶片的滲透率，對訂
單掌握度也愈來愈高。
　孫世偉昨天表示，聯電樂觀看待未來行動通訊與運算市場的高階晶
! B2 }) o( |7 R+ h片需求，為積極掌握這一絕佳的機會，完整佈建40奈米及28奈米解決
方案，持續與領先客戶合作以爭取更多旗艦產品，並承諾提供充分產
能，所以今年資本支出將增加到20億美元。
$ N5 ]& K+ O. _　孫世偉強調，聯電並不盲目擴充產能，此投資計畫經過審慎評估，
* H4 G; z3 N, l9 ]' ]5 A完整考量聯電在不同階段下高階製程成熟程度，以及客戶產能需求，
8 d" C, N+ h9 A" F以現階段28奈米與客戶的合作進展及強烈需求，相信在量產技術就位
後將帶來豐厚的收穫。
1 d: n7 f, x% K, [' ?( ?( N　聯電預估，今年底40奈米佔營收比重將達15％，28奈米亦可達到5％
，聯電已完成10項28奈米晶片設計定案（tape-out），其中一顆28奈
) V: H8 B, c- F9 y) r! U& W2 l5 f* L- c米的ARM架構應用處理器已開始送樣。據了解，這顆晶片是德儀最新款
: y( F( }5 n" H$ `$ h( Y2 q0 aOMAP 5多核心應用處理器。
　另外，聯電也開始佈建2.5D矽中介層（Interposer）解決方案，並
/ k0 q8 K% K; ~/ j2 J: G1 }為客戶完成40奈米及28奈米製程矽中介層設計定案。孫世偉表示，聯
電與封測廠將建立開放式技術平台，以提供最適切的服務，與爾必達
及力成合作的直通矽晶穿孔（TSV）技術已有很好的成果。(新聞來源
9 P6 L" q9 p5 I- {: r5 G：工商時報─記者涂志豪／台北報導)

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威廉

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歐陽

因為看好行動裝置晶片需求，且為了承諾客戶提供足夠
. N/ M, O" h9 v6 E. m6 u! S8 o  h的40奈米及28奈米產能，所以才決定提高今年資本支出。
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