高通下單，聯電拉高資本支出

歐陽

【時報-各報要聞】晶圓代工廠聯電(2303)昨（8）日召開法說會，決
) R0 X7 X: z1 W# k: N3 E定調升今年資本支出至20億美元，讓與會法人大感意外。聯電執行長
) b/ Y) z. c" g$ t  H0 T  D0 L孫世偉表示，因為看好行動裝置晶片需求，且為了承諾客戶提供足夠
4 r0 t! G9 G- Z3 Q# b2 ~的40奈米及28奈米產能，所以才決定提高今年資本支出。
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　據了解，聯電拉高資本支出，主要原因就是獲得高通、德儀大訂單
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　聯電去年原訂資本支出為18億美元，但實際支出為16億美元，其中
2億美元遞延到今年，聯電因獲得高通及德儀等大客戶行動裝置晶片訂
單，要建置足夠的40奈米及28奈米產能，所以今年資本支出合計將拉
! Z0 a' H- n( W6 G1 C9 B' U% ?高到20億美元、年增25％。
　法人表示，相較於台積電將資本支出由去年的72.86億美元，調降到
今年60億美元，減幅約達18％，聯電在景氣不確定性仍高的此刻，逆
) J7 @5 I* O$ R0 |* R勢拉高資本支出，代表聯電已成功提高行動裝置晶片的滲透率，對訂
0 C* i5 U4 u! F( s' B, N1 L# w4 W單掌握度也愈來愈高。
: n0 S8 o& H: a  u3 z/ d　孫世偉昨天表示，聯電樂觀看待未來行動通訊與運算市場的高階晶
片需求，為積極掌握這一絕佳的機會，完整佈建40奈米及28奈米解決
方案，持續與領先客戶合作以爭取更多旗艦產品，並承諾提供充分產
! @4 O) `3 B" u( B2 e' {- I! L+ d能，所以今年資本支出將增加到20億美元。
　孫世偉強調，聯電並不盲目擴充產能，此投資計畫經過審慎評估，
完整考量聯電在不同階段下高階製程成熟程度，以及客戶產能需求，
以現階段28奈米與客戶的合作進展及強烈需求，相信在量產技術就位
後將帶來豐厚的收穫。
3 T3 I- j3 f/ `: ^! {　聯電預估，今年底40奈米佔營收比重將達15％，28奈米亦可達到5％
+ S6 j# O+ E! |$ a, T0 M0 Q& s，聯電已完成10項28奈米晶片設計定案（tape-out），其中一顆28奈
# W) Y) S% \5 X# l( n+ X米的ARM架構應用處理器已開始送樣。據了解，這顆晶片是德儀最新款
+ M( W- {; }8 j/ r+ QOMAP 5多核心應用處理器。
' s4 D3 u/ Y0 a/ s% N* O) ]　另外，聯電也開始佈建2.5D矽中介層（Interposer）解決方案，並
9 m1 p( l* P  g; S# S9 y  F2 o為客戶完成40奈米及28奈米製程矽中介層設計定案。孫世偉表示，聯
9 {% ]' X- E8 Q$ {6 F電與封測廠將建立開放式技術平台，以提供最適切的服務，與爾必達
9 G& ?' u+ I' f: j% ^及力成合作的直通矽晶穿孔（TSV）技術已有很好的成果。(新聞來源
：工商時報─記者涂志豪／台北報導)

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威廉

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歐陽

因為看好行動裝置晶片需求，且為了承諾客戶提供足夠
的40奈米及28奈米產能，所以才決定提高今年資本支出。