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【時報-各報要聞】晶圓代工廠聯電(2303)昨(8)日召開法說會,決
7 T0 B, `8 S4 v7 M& e* ?1 c0 B定調升今年資本支出至20億美元,讓與會法人大感意外。聯電執行長+ r, A4 {+ u$ G9 F* a6 R
孫世偉表示,因為看好行動裝置晶片需求,且為了承諾客戶提供足夠# \0 b w, I2 F( R7 u8 S0 F. Q
的40奈米及28奈米產能,所以才決定提高今年資本支出。
8 V& w9 Y2 w& e, h( p, X: N# ~6 W7 |' L; D
據了解,聯電拉高資本支出,主要原因就是獲得高通、德儀大訂單
. z8 ~ X7 S+ b& s5 t。
' H5 Z9 h* t/ K7 J1 G 聯電去年原訂資本支出為18億美元,但實際支出為16億美元,其中; C, o* X7 K/ M P, X$ D4 i% m; n) x
2億美元遞延到今年,聯電因獲得高通及德儀等大客戶行動裝置晶片訂) }1 M* z, h) o1 R- D
單,要建置足夠的40奈米及28奈米產能,所以今年資本支出合計將拉
% [( Z: r6 ]9 _$ m [- v' O高到20億美元、年增25%。. n% _5 ~6 w9 S+ o, H' m* X
法人表示,相較於台積電將資本支出由去年的72.86億美元,調降到
* c7 I1 r! L2 ^0 c6 _今年60億美元,減幅約達18%,聯電在景氣不確定性仍高的此刻,逆
7 W2 b. w1 P3 Y% R3 j1 y勢拉高資本支出,代表聯電已成功提高行動裝置晶片的滲透率,對訂8 E0 ~! {( D# v1 Y1 ?
單掌握度也愈來愈高。
' M. T: `* m, o1 L* |7 e" b/ o 孫世偉昨天表示,聯電樂觀看待未來行動通訊與運算市場的高階晶
2 s8 T8 b( b) l8 l. B9 W: n片需求,為積極掌握這一絕佳的機會,完整佈建40奈米及28奈米解決$ `" [( H: E6 e, e7 {
方案,持續與領先客戶合作以爭取更多旗艦產品,並承諾提供充分產; l% }6 W% J6 P, j, l
能,所以今年資本支出將增加到20億美元。
- g( y, i% q' ^ 孫世偉強調,聯電並不盲目擴充產能,此投資計畫經過審慎評估,% T( s* ^* Y8 a8 F! n
完整考量聯電在不同階段下高階製程成熟程度,以及客戶產能需求,; Y h4 `1 g5 |8 M5 `) V
以現階段28奈米與客戶的合作進展及強烈需求,相信在量產技術就位
4 L) o/ v6 @3 S" B4 e5 I後將帶來豐厚的收穫。
. v6 G5 y# G. ~! u0 b) S6 S 聯電預估,今年底40奈米佔營收比重將達15%,28奈米亦可達到5%
% ^. J5 Z6 M; {,聯電已完成10項28奈米晶片設計定案(tape-out),其中一顆28奈 _- Y6 a& T% I8 Q$ B) m
米的ARM架構應用處理器已開始送樣。據了解,這顆晶片是德儀最新款9 \& [# \; R0 ~% a& r6 x
OMAP 5多核心應用處理器。
/ z- v4 [4 m! T* h 另外,聯電也開始佈建2.5D矽中介層(Interposer)解決方案,並
& ^$ S0 Q) f2 {# R為客戶完成40奈米及28奈米製程矽中介層設計定案。孫世偉表示,聯% z) u, O! t8 O) |; w, S% U8 h
電與封測廠將建立開放式技術平台,以提供最適切的服務,與爾必達; z* S7 } ]! Y" M' J: `0 g! b- A
及力成合作的直通矽晶穿孔(TSV)技術已有很好的成果。(新聞來源
7 x" `3 |) B o n0 y:工商時報─記者涂志豪/台北報導)
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