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【時報-各報要聞】晶圓代工廠聯電(2303)昨(8)日召開法說會,決
' {( [, a, N8 ~, a+ N8 [定調升今年資本支出至20億美元,讓與會法人大感意外。聯電執行長" d! g$ e. i/ X9 O( n. P& R9 N6 h
孫世偉表示,因為看好行動裝置晶片需求,且為了承諾客戶提供足夠+ V1 p# p1 t3 y( B3 Q9 l, O% F1 t
的40奈米及28奈米產能,所以才決定提高今年資本支出。
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據了解,聯電拉高資本支出,主要原因就是獲得高通、德儀大訂單" u3 O( p, c9 a4 P) s# `2 t* a, H
。
; l( H9 u4 ~5 [5 j 聯電去年原訂資本支出為18億美元,但實際支出為16億美元,其中8 G; v' }: j. m' N! n2 y
2億美元遞延到今年,聯電因獲得高通及德儀等大客戶行動裝置晶片訂
5 A) P% r- n; E$ _3 A+ W' q3 E單,要建置足夠的40奈米及28奈米產能,所以今年資本支出合計將拉: I6 n+ X- i% J& V# F3 [' d' j7 A
高到20億美元、年增25%。
* w2 N0 l5 Q; C 法人表示,相較於台積電將資本支出由去年的72.86億美元,調降到
3 M" q( k. Z1 G3 K c9 F9 ] [7 b! I今年60億美元,減幅約達18%,聯電在景氣不確定性仍高的此刻,逆
- |5 p5 Y0 z" p勢拉高資本支出,代表聯電已成功提高行動裝置晶片的滲透率,對訂
: Q/ q: |; R3 V7 Q k2 l單掌握度也愈來愈高。
; N" G- R. W3 a* w. ^: [ 孫世偉昨天表示,聯電樂觀看待未來行動通訊與運算市場的高階晶/ G, D g! |' p2 U, h. w, V; P
片需求,為積極掌握這一絕佳的機會,完整佈建40奈米及28奈米解決
: b$ t# A* a+ W5 `. b7 p! p方案,持續與領先客戶合作以爭取更多旗艦產品,並承諾提供充分產
* w7 \: S# e2 C# K0 F s$ x能,所以今年資本支出將增加到20億美元。# M2 L; ]7 A9 J
孫世偉強調,聯電並不盲目擴充產能,此投資計畫經過審慎評估,# y4 l+ O8 W7 x% A6 X
完整考量聯電在不同階段下高階製程成熟程度,以及客戶產能需求,
' V9 }# X# J: K5 K4 P' Y9 K/ ^以現階段28奈米與客戶的合作進展及強烈需求,相信在量產技術就位
% v; p8 y0 X' J後將帶來豐厚的收穫。* x( Z# x: N6 p- n; Y, I
聯電預估,今年底40奈米佔營收比重將達15%,28奈米亦可達到5%) f& _( X6 n- h7 g6 } H
,聯電已完成10項28奈米晶片設計定案(tape-out),其中一顆28奈
' [, ?! h3 c4 u3 |米的ARM架構應用處理器已開始送樣。據了解,這顆晶片是德儀最新款3 x0 D; z0 ^0 m+ q) V
OMAP 5多核心應用處理器。+ [1 ]* u, Y1 I4 J: ?4 {7 F. X
另外,聯電也開始佈建2.5D矽中介層(Interposer)解決方案,並7 l6 I* i2 e2 S f
為客戶完成40奈米及28奈米製程矽中介層設計定案。孫世偉表示,聯
. M/ Q, u I ^$ C y! ?電與封測廠將建立開放式技術平台,以提供最適切的服務,與爾必達
3 y; h c7 x4 K% v4 p; p及力成合作的直通矽晶穿孔(TSV)技術已有很好的成果。(新聞來源
! q: y8 v p0 Z+ o* p/ F:工商時報─記者涂志豪/台北報導)4 h$ C( P3 W3 @6 Y, _
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