高通下單，聯電拉高資本支出

歐陽

【時報-各報要聞】晶圓代工廠聯電(2303)昨（8）日召開法說會，決
" Y+ ^9 P0 V* H' y定調升今年資本支出至20億美元，讓與會法人大感意外。聯電執行長
孫世偉表示，因為看好行動裝置晶片需求，且為了承諾客戶提供足夠
: |2 b0 C4 H9 J$ _3 E  I的40奈米及28奈米產能，所以才決定提高今年資本支出。

　據了解，聯電拉高資本支出，主要原因就是獲得高通、德儀大訂單
: {1 W: t' V* L! k$ m# s。
　聯電去年原訂資本支出為18億美元，但實際支出為16億美元，其中
  V+ U3 ^" i1 d7 U  M2億美元遞延到今年，聯電因獲得高通及德儀等大客戶行動裝置晶片訂
單，要建置足夠的40奈米及28奈米產能，所以今年資本支出合計將拉
. {- y& ~% i3 g. Y) @! ^* ^高到20億美元、年增25％。
　法人表示，相較於台積電將資本支出由去年的72.86億美元，調降到
$ A$ _5 z7 N; f9 N1 F# p8 _今年60億美元，減幅約達18％，聯電在景氣不確定性仍高的此刻，逆
勢拉高資本支出，代表聯電已成功提高行動裝置晶片的滲透率，對訂
單掌握度也愈來愈高。
　孫世偉昨天表示，聯電樂觀看待未來行動通訊與運算市場的高階晶
7 R* @( b/ y) Z- Z+ q片需求，為積極掌握這一絕佳的機會，完整佈建40奈米及28奈米解決
方案，持續與領先客戶合作以爭取更多旗艦產品，並承諾提供充分產
) `# W3 ~& `, ^0 V2 t* ^" |能，所以今年資本支出將增加到20億美元。
　孫世偉強調，聯電並不盲目擴充產能，此投資計畫經過審慎評估，
: e( Q' U" S1 ]( c. k完整考量聯電在不同階段下高階製程成熟程度，以及客戶產能需求，
- x# `& Y, I+ N7 Z; \4 ?以現階段28奈米與客戶的合作進展及強烈需求，相信在量產技術就位
後將帶來豐厚的收穫。
　聯電預估，今年底40奈米佔營收比重將達15％，28奈米亦可達到5％
9 f  A6 F2 ^( p* U8 H2 D) o3 b，聯電已完成10項28奈米晶片設計定案（tape-out），其中一顆28奈
米的ARM架構應用處理器已開始送樣。據了解，這顆晶片是德儀最新款
OMAP 5多核心應用處理器。
　另外，聯電也開始佈建2.5D矽中介層（Interposer）解決方案，並
1 E) w+ R6 i6 ?  P: y5 w為客戶完成40奈米及28奈米製程矽中介層設計定案。孫世偉表示，聯
電與封測廠將建立開放式技術平台，以提供最適切的服務，與爾必達
5 v( Z# a# Z/ F及力成合作的直通矽晶穿孔（TSV）技術已有很好的成果。(新聞來源
：工商時報─記者涂志豪／台北報導)
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威廉

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歐陽

因為看好行動裝置晶片需求，且為了承諾客戶提供足夠
的40奈米及28奈米產能，所以才決定提高今年資本支出。