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【時報-台北電】韓國官方昨(4)日表示,已經批准三星在中國建造0 O# D9 H; Y1 q! ^3 s4 K
一座NAND快閃記憶體晶片廠,投資規模約為40億美元,不但將採用204 C8 z4 l' y1 f ^7 b; B
奈米以下的先進製程技術,也是三星在海外所建立的第2座快閃記憶體: d1 \, p3 b4 |# K- b6 D: R
工廠,反映出中國市場的地位日益重要。, n8 K! W: R4 w* \
韓國官方指出,三星尚未決定廠址,但將在今年內動工興建,預
) S! W3 M, k4 ` F- S* F3 ~計在2013年底前完工營運,投產後的月產能將達到10萬片的規模。
* j) q) I, n2 }! a# ^ 半導體業內人士指出,三星很可能會將新廠設在蘇州,因為蘇州0 b+ y& E" ]2 C5 W/ f
是三星在韓國本土以外最大的記憶體生產基地,而且三星在當地擁有
1 W J* e9 T( h5 s完整的產業鏈,包含電腦組裝、測廠、面板等,可以產生群聚效應。; F, P" d& }1 C" q. {
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三星的7.5代面板廠就位在蘇州,去年5月才正式動工興建,也是$ H, q- k/ C1 g3 e3 `' |& Z
第一家獲得中國政府核准建造的外資高世代面板廠,當初市場上即盛
+ h+ _2 f: D' T傳三星取得中方批准的條件之一,就是要在中國投資建造一座快閃記( y9 Q) ]" c- l9 ]" R: f( n) c% y
憶體廠。- D1 f9 Q7 W1 G2 V+ s3 t4 I( J
三星是目前全球最大的NAND快閃記憶體製造廠,市占率超過40%' ~8 T. n- s4 S" Z) r
,並擁有最先進的製程,而韓國官方為了避免技術外洩,對於高科技8 W" n. Q2 x, e( s$ j" x9 j S$ d
企業海外設廠都採取審查制度,三星本身也將成立一個專門委員會對9 i/ A) I3 S2 c/ |* s( U/ f; J
於技術嚴格把關。3 K! g- g4 ^. o& {: y7 ?% a
據悉,這次三星新廠採用的20奈米是目前業界的最新製程技術, ^ \ S5 T7 F; `1 Y
英特爾與美光合資的IMFT在上個月宣布啟動128GB的20奈米技術量產計
6 O9 \8 o/ V. F9 Y畫。4 ]( F5 Z) g* r8 n* G v0 L: d
韓國友利投資證券公司的分析師認為,在中國消費電子市場正日' z2 p# [: Z% F
漸蓬勃的情況下,三星這筆投資來得即時,而且NAND快閃記憶體的利! q4 U: n7 r5 \5 k
潤依舊很高,未來市場需求將會隨著智慧手機與平板電腦的普及而逐- F1 `; z/ r0 q# ]% Y2 S8 c: h' D
漸上升。 (新聞來源:工商時報─記者林殿唯/綜合報導)
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