砸40億美元，三星將在陸蓋快閃記憶體廠

歐陽

【時報-台北電】韓國官方昨（4）日表示，已經批准三星在中國建造
一座NAND快閃記憶體晶片廠，投資規模約為40億美元，不但將採用20
3 _7 Y5 r; L2 W: \/ u奈米以下的先進製程技術，也是三星在海外所建立的第2座快閃記憶體
# ^+ d. Z+ [/ X! r工廠，反映出中國市場的地位日益重要。
　　韓國官方指出，三星尚未決定廠址，但將在今年內動工興建，預
" T9 O) a9 D+ G/ p9 y計在2013年底前完工營運，投產後的月產能將達到10萬片的規模。
  o; w$ d1 r" H! N& A5 u　　半導體業內人士指出，三星很可能會將新廠設在蘇州，因為蘇州
是三星在韓國本土以外最大的記憶體生產基地，而且三星在當地擁有
完整的產業鏈，包含電腦組裝、測廠、面板等，可以產生群聚效應。

' x9 g( F  N- z5 Z" U6 n　　三星的7.5代面板廠就位在蘇州，去年5月才正式動工興建，也是
- C1 {3 W: u" w; r% e5 K6 d第一家獲得中國政府核准建造的外資高世代面板廠，當初市場上即盛
8 R  R; S' I0 i' }: T+ L傳三星取得中方批准的條件之一，就是要在中國投資建造一座快閃記
憶體廠。
　　三星是目前全球最大的NAND快閃記憶體製造廠，市占率超過40％
# }$ i& F/ V! b  c4 c0 w，並擁有最先進的製程，而韓國官方為了避免技術外洩，對於高科技
+ s0 N; y) a7 q4 r' O企業海外設廠都採取審查制度，三星本身也將成立一個專門委員會對
: |3 l) d3 T/ W/ N於技術嚴格把關。
　　據悉，這次三星新廠採用的20奈米是目前業界的最新製程技術，
2 f3 ]+ C: x2 f' }7 u! Q英特爾與美光合資的IMFT在上個月宣布啟動128GB的20奈米技術量產計
2 a9 m/ B( b+ I9 x2 m3 k. x3 y2 s畫。
; s! c2 M& c4 V2 U( Y　　韓國友利投資證券公司的分析師認為，在中國消費電子市場正日
% h1 C3 k" x6 m  c$ g7 }漸蓬勃的情況下，三星這筆投資來得即時，而且NAND快閃記憶體的利
潤依舊很高，未來市場需求將會隨著智慧手機與平板電腦的普及而逐
9 F0 V3 m! J% e  z; b漸上升。 (新聞來源：工商時報─記者林殿唯／綜合報導)
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歐陽

在中國消費電子市場正日
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