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- 2017-12-9
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【時報-各報要聞】晶圓二哥聯電(2303),28奈米接單傳出捷報。設備
4 X! \: d5 k7 z+ s4 ]0 T業者指出,聯電28奈米進展順利,在拿下德儀(TI)次世代ARM架構處
/ q1 w! r1 q+ Q4 k9 N3 G1 `7 @理器OMAP 5代工訂單後,日前再度成功突破台積電在28奈米市場設下( L8 C' C0 f+ l( B# F( {1 h
的進入障礙,拿下手機晶片大廠高通(Qualcomm)的28奈米整合型基. B) r/ a/ ]+ q" e
頻晶片代工訂單。
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2008年底金融海嘯發生後,聯電決定調整營運模式,不再與台積
W! x! u2 F# O: Z電進行製程競賽,朝向客戶導向的晶圓專工解決方案提供者(Custom( P( z# l& y0 F
er-Driven Foundry Solutions)的方向發展。但聯電並沒有因此停止
) `, k1 _6 s; c" W" o先進製程研發,2008年底已產出業界第一個全功能28奈米製程SRAM晶' k [% | F( N3 u. V, y
片,多晶矽氮氧化矽(Poly/SiON)及高介電金屬閘極(HKMG)等兩種
5 h) a1 _. U( B2 L# X* a; `技術亦在去年獲得驗證通過。$ u" I* m, L* ^6 K8 x3 `* ?
聯電去年一整年都在佈建28奈米生態系統,包括與電子設計自動
: U1 \+ s/ s9 N, @# a$ K r$ ^化工具(EDA)、矽智財(IP)等獨立第三方(third party)業者深
# I7 {8 P K( m1 N7 y) B* X7 [度合作,並與英商安謀(ARM)簽訂長期合作協議,在28奈米HKMG製程
& S, f! S; N9 S8 _8 q. Q& p中整合安謀的ARM Artisan實體矽智財(Physical IP)等。
% p. k8 d8 j* G9 ?# P; J5 | 聯電雖然28奈米進度仍落後台積電約半年時間,但今年卻可望是& N @* k# Q' ]2 ]' G
28奈米投資開始收成的一年,除了已確定成為德儀次世代ARM架構應用
8 i% D3 T% u8 Z處理器OMAP 5的最大晶圓代工廠,上半年就會進入量產,設備業者近- h& M# n% P. F4 [$ K& z; ?( C
期傳出,聯電也搶下高通28奈米整合型基頻晶片代工訂單,本季下旬: B1 Z7 j% Y) k% M
就會進入生產準備期。
8 k& U' J8 [6 r6 Y 聯電雖然是高通晶圓代工廠之一,但接單量一直不高,也不是先3 j w% N2 I( Q
進製程晶片主要代工廠,但聯電此次卻成功自對手手中搶下28奈米代2 t% R$ k5 g0 n$ |: t+ d
工訂單,擠進高通的先進製程晶圓代工廠行列,業者認為,這代表聯
$ H/ l' v5 v4 x7 J電在28奈米世代穩扎穩打的佈局策略十分成功。對此,聯電低調表示
" m/ c1 z* g! ?! |. t5 T% l,對客戶及接單一向不予評論。$ z( _& E: e% ~$ _2 y
法人認為,高通今年3G基頻晶片策略在於攻下中國、印度等新興+ R, S: t( J1 Y
市場,需要龐大的低成本多頻多模基頻晶片產能支援,台積電的晶圓
( ?/ t; |+ K) X, t6 i. P- b代工價格高,聯電在報價上較有彈性,產能支援上也沒有台積電那麼
/ i0 F! H- g5 F7 {; ^) a緊,應該是此次成功搶下高通28奈米訂單的重要關鍵。 (新聞來源:5 c2 A1 Z9 X% H: Z' q
工商時報─記者涂志豪/台北報導)
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