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- 2017-12-9
 
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【時報-各報要聞】晶圓二哥聯電(2303),28奈米接單傳出捷報。設備9 T" @1 e- N1 f' C v2 {; q% Q
業者指出,聯電28奈米進展順利,在拿下德儀(TI)次世代ARM架構處
, ~! v% e0 Q, a! k& L2 I* ^+ M理器OMAP 5代工訂單後,日前再度成功突破台積電在28奈米市場設下* ]* d3 X5 `& N9 \; D- H% n
的進入障礙,拿下手機晶片大廠高通(Qualcomm)的28奈米整合型基
* W5 F! ^$ d+ U8 _頻晶片代工訂單。. E& @3 l+ h: j% ^0 u( ]
) W: n+ _ m2 F& M* K
2008年底金融海嘯發生後,聯電決定調整營運模式,不再與台積( l8 m* W* _* |. g. D M% g
電進行製程競賽,朝向客戶導向的晶圓專工解決方案提供者(Custom
7 ^) m# U% d4 ~8 j- N5 Ber-Driven Foundry Solutions)的方向發展。但聯電並沒有因此停止: l2 C& Q' R. e0 S& K& M
先進製程研發,2008年底已產出業界第一個全功能28奈米製程SRAM晶: q0 N# V2 M* q1 U
片,多晶矽氮氧化矽(Poly/SiON)及高介電金屬閘極(HKMG)等兩種+ M; F" L% w+ A
技術亦在去年獲得驗證通過。
$ J% X5 R) `* S1 I" T 聯電去年一整年都在佈建28奈米生態系統,包括與電子設計自動
0 i. S1 @/ P' c% @- d, r9 B8 ^化工具(EDA)、矽智財(IP)等獨立第三方(third party)業者深( Q8 q6 v% ]1 ]5 Y
度合作,並與英商安謀(ARM)簽訂長期合作協議,在28奈米HKMG製程
8 I; U6 u+ e3 [8 T0 d. ~中整合安謀的ARM Artisan實體矽智財(Physical IP)等。' e$ w0 S" G4 K( J! V' v5 \5 Y' [
聯電雖然28奈米進度仍落後台積電約半年時間,但今年卻可望是# U/ J; d x4 ]8 J
28奈米投資開始收成的一年,除了已確定成為德儀次世代ARM架構應用
4 d2 m# A/ W2 t# U2 W9 \( `處理器OMAP 5的最大晶圓代工廠,上半年就會進入量產,設備業者近
0 x1 R, \" }* s+ z) {; G" a期傳出,聯電也搶下高通28奈米整合型基頻晶片代工訂單,本季下旬' w k A8 P! I" ~# _+ l
就會進入生產準備期。7 Q! H$ v3 c1 V* i
聯電雖然是高通晶圓代工廠之一,但接單量一直不高,也不是先
6 q9 v0 y1 Q/ d; ^進製程晶片主要代工廠,但聯電此次卻成功自對手手中搶下28奈米代
$ s: N! w; a- a4 j" Q/ |# T/ r z工訂單,擠進高通的先進製程晶圓代工廠行列,業者認為,這代表聯 ~" _, s( o0 i: t% U& r) f6 r) T
電在28奈米世代穩扎穩打的佈局策略十分成功。對此,聯電低調表示0 ]7 a( \) w, G! S6 s+ P
,對客戶及接單一向不予評論。
3 k1 z8 |' |% b) D. h 法人認為,高通今年3G基頻晶片策略在於攻下中國、印度等新興
' P; r& a* C$ J4 F市場,需要龐大的低成本多頻多模基頻晶片產能支援,台積電的晶圓; O4 v1 Q5 t& i/ v. |
代工價格高,聯電在報價上較有彈性,產能支援上也沒有台積電那麼/ A% M' P* U: d/ J' Z) ?- F4 u
緊,應該是此次成功搶下高通28奈米訂單的重要關鍵。 (新聞來源:
5 Z) m: D* M" H8 B) J工商時報─記者涂志豪/台北報導)
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