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【時報-各報要聞】晶圓代工廠聯電(2303)昨（8）日召開法說會，決( K1 i4 D# K. n* s6 U& x1 r
定調升今年資本支出至20億美元，讓與會法人大感意外。聯電執行長
6 z& H0 A9 p) A4 B孫世偉表示，因為看好行動裝置晶片需求，且為了承諾客戶提供足夠- F1 ?* E; @( Y8 q8 y) \6 ~
的40奈米及28奈米產能，所以才決定提高今年資本支出。
4 K: ~0 y+ t D9 U' I! c0 E' X# ~* \+ x) ?* A( ?
據了解，聯電拉高資本支出，主要原因就是獲得高通、德儀大訂單
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聯電去年原訂資本支出為18億美元，但實際支出為16億美元，其中
2 A& I& O, O- B7 Z6 K3 m2億美元遞延到今年，聯電因獲得高通及德儀等大客戶行動裝置晶片訂5 x- y: P. V* g3 q
單，要建置足夠的40奈米及28奈米產能，所以今年資本支出合計將拉
8 h9 N, Y/ P, c2 r- w2 h Q8 I高到20億美元、年增25％。
5 c/ {- q7 a; z 法人表示，相較於台積電將資本支出由去年的72.86億美元，調降到
! M! {" O5 @4 T/ ?今年60億美元，減幅約達18％，聯電在景氣不確定性仍高的此刻，逆! s! p7 \. J+ S/ u4 f& O" f% s
勢拉高資本支出，代表聯電已成功提高行動裝置晶片的滲透率，對訂
' g) L" z6 ?7 ]% Y. ?單掌握度也愈來愈高。/ {$ i* Z- S4 K4 j
孫世偉昨天表示，聯電樂觀看待未來行動通訊與運算市場的高階晶
5 { e7 \! E5 [, b片需求，為積極掌握這一絕佳的機會，完整佈建40奈米及28奈米解決3 M6 Q. s3 t& m+ N
方案，持續與領先客戶合作以爭取更多旗艦產品，並承諾提供充分產, Y# j5 ?! g' M3 U) y3 q
能，所以今年資本支出將增加到20億美元。
4 F' v1 F9 _4 C+ ?* W& T/ I 孫世偉強調，聯電並不盲目擴充產能，此投資計畫經過審慎評估，
- ~- h7 o, ^1 G" p1 T: F5 ~. d M& ?完整考量聯電在不同階段下高階製程成熟程度，以及客戶產能需求，1 Y K1 T$ e1 e U! l' @3 Y2 \
以現階段28奈米與客戶的合作進展及強烈需求，相信在量產技術就位
% E, D1 S( Q- }" H( f' O: u後將帶來豐厚的收穫。
0 \& J0 m8 Q% e$ @ 聯電預估，今年底40奈米佔營收比重將達15％，28奈米亦可達到5％# L1 I9 K) y& z7 l% g/ Y/ N
，聯電已完成10項28奈米晶片設計定案（tape-out），其中一顆28奈9 n: e/ ]$ E7 n/ S3 Z9 t
米的ARM架構應用處理器已開始送樣。據了解，這顆晶片是德儀最新款) {# a* F) u: ^. c( t9 D/ C' y
OMAP 5多核心應用處理器。
7 {( S# L6 d/ B x" ~ 另外，聯電也開始佈建2.5D矽中介層（Interposer）解決方案，並& k. G& O; A( }5 [! J$ q3 _2 [- u
為客戶完成40奈米及28奈米製程矽中介層設計定案。孫世偉表示，聯& S6 M3 A4 |' l7 I
電與封測廠將建立開放式技術平台，以提供最適切的服務，與爾必達
; b0 J8 F5 T0 ^' P9 f+ s2 r及力成合作的直通矽晶穿孔（TSV）技術已有很好的成果。(新聞來源- h: l2 h1 H' h& O
：工商時報─記者涂志豪／台北報導)) a. z; o( F# P) o6 x! X& @
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發表於 2012-2-9 09:12:47
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發表於 2012-2-11 20:35:51