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【時報-各報要聞】晶圓代工廠聯電(2303)昨（8）日召開法說會，決
4 j0 W: I! R% x. Q7 P定調升今年資本支出至20億美元，讓與會法人大感意外。聯電執行長
& P! |9 M! U: O# W# H/ w1 o/ J2 m孫世偉表示，因為看好行動裝置晶片需求，且為了承諾客戶提供足夠
0 V0 L2 w1 M" H+ Z. y$ m. Z: K的40奈米及28奈米產能，所以才決定提高今年資本支出。
# P/ |) _. Q0 L3 s! X- X. j
, n O" E7 @7 x 據了解，聯電拉高資本支出，主要原因就是獲得高通、德儀大訂單4 ?+ m' o0 W [+ M7 D* L
。
0 o! D! _6 Q+ [: k: |# o, f5 F3 c 聯電去年原訂資本支出為18億美元，但實際支出為16億美元，其中2 K. G2 w2 ]5 p- B
2億美元遞延到今年，聯電因獲得高通及德儀等大客戶行動裝置晶片訂
: v6 Q$ q* J6 B; Y, ]8 f單，要建置足夠的40奈米及28奈米產能，所以今年資本支出合計將拉
* Z( k7 ^9 h; N& Y高到20億美元、年增25％。8 L) B- z9 X7 l0 y; \" e! N
法人表示，相較於台積電將資本支出由去年的72.86億美元，調降到
. K, W; b8 t C今年60億美元，減幅約達18％，聯電在景氣不確定性仍高的此刻，逆
( h* V! K* d4 } y: ~& u7 q# G7 F9 f勢拉高資本支出，代表聯電已成功提高行動裝置晶片的滲透率，對訂
6 Y( a/ i) D2 D f' F9 v, Y8 ~. S單掌握度也愈來愈高。( W/ }) k' V* n' x9 S
孫世偉昨天表示，聯電樂觀看待未來行動通訊與運算市場的高階晶# U$ f) e9 Q( N; ^. Q1 l6 v
片需求，為積極掌握這一絕佳的機會，完整佈建40奈米及28奈米解決
/ t& N( T$ A v) Q6 O方案，持續與領先客戶合作以爭取更多旗艦產品，並承諾提供充分產% Z" [7 y3 z! n! ]9 Y4 R
能，所以今年資本支出將增加到20億美元。) `9 y! M3 @4 n+ d8 }+ c4 ?
孫世偉強調，聯電並不盲目擴充產能，此投資計畫經過審慎評估，! n4 I" j" Z r" h4 L( l
完整考量聯電在不同階段下高階製程成熟程度，以及客戶產能需求，
" g h; g1 ]' p% o6 }以現階段28奈米與客戶的合作進展及強烈需求，相信在量產技術就位
4 O6 ~* g8 Y- T後將帶來豐厚的收穫。
# y" V! o3 D0 G& @8 _ 聯電預估，今年底40奈米佔營收比重將達15％，28奈米亦可達到5％
+ M* p- ?) [/ R$ Z: q: o9 s1 k \，聯電已完成10項28奈米晶片設計定案（tape-out），其中一顆28奈
2 U+ |4 h5 v* q( V% {米的ARM架構應用處理器已開始送樣。據了解，這顆晶片是德儀最新款! O7 d2 ?+ i% h! T) C
OMAP 5多核心應用處理器。, C( b* j4 l) `0 v; z( s, R
另外，聯電也開始佈建2.5D矽中介層（Interposer）解決方案，並
7 b4 {( L g9 p5 E, ]; e為客戶完成40奈米及28奈米製程矽中介層設計定案。孫世偉表示，聯
' C/ U! F# B6 ?% w5 z8 L& M2 M電與封測廠將建立開放式技術平台，以提供最適切的服務，與爾必達3 I6 e) e: L$ u; a
及力成合作的直通矽晶穿孔（TSV）技術已有很好的成果。(新聞來源 j5 }! `/ n% F
：工商時報─記者涂志豪／台北報導)
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發表於 2012-2-9 09:12:47
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發表於 2012-2-11 20:35:51