- UID
- 4355
- 閱讀權限
- 45
- 精華
- 0
- 威望
- 3
- 貢獻
- 3897
- 活力
- 11257
- 金幣
- 44043
- 日誌
- 9
- 記錄
- 37
- 最後登入
- 2017-12-9
- 社區
- 臺灣
- 文章
- 9422
- 在線時間
- 1428 小時
|
【時報-各報要聞】晶圓代工廠聯電(2303)昨（8）日召開法說會，決
/ i! Y+ g. Y- X6 Z定調升今年資本支出至20億美元，讓與會法人大感意外。聯電執行長
0 L) K3 ^% v8 c$ K5 [孫世偉表示，因為看好行動裝置晶片需求，且為了承諾客戶提供足夠, b6 ?7 `% g' V
的40奈米及28奈米產能，所以才決定提高今年資本支出。
" }6 m! D% p4 B* T- V, d0 V
. o& s6 t s' D& r' a# t 據了解，聯電拉高資本支出，主要原因就是獲得高通、德儀大訂單' s! @) L) h# c; T# X
。* f/ U/ i* P" D$ \8 S
聯電去年原訂資本支出為18億美元，但實際支出為16億美元，其中+ W3 Z! i& ]% h# D# q
2億美元遞延到今年，聯電因獲得高通及德儀等大客戶行動裝置晶片訂
! d8 M0 d& I' V3 t8 Z9 @單，要建置足夠的40奈米及28奈米產能，所以今年資本支出合計將拉
7 V# G6 L$ x3 }/ ?4 A$ l高到20億美元、年增25％。
/ C6 W( a4 a) M2 z* u- w. P7 y: Y 法人表示，相較於台積電將資本支出由去年的72.86億美元，調降到3 Z5 s( w. w' q# s& B; z
今年60億美元，減幅約達18％，聯電在景氣不確定性仍高的此刻，逆
; T' s/ j# L* ~2 l! h# C1 n- _7 ]勢拉高資本支出，代表聯電已成功提高行動裝置晶片的滲透率，對訂
. f: u( t/ f1 I9 k" }單掌握度也愈來愈高。
9 }$ @9 c1 t) J; c" ^" ~' }6 h 孫世偉昨天表示，聯電樂觀看待未來行動通訊與運算市場的高階晶
+ j w+ |+ r* j片需求，為積極掌握這一絕佳的機會，完整佈建40奈米及28奈米解決: @& U8 i y( d- ~% v/ u
方案，持續與領先客戶合作以爭取更多旗艦產品，並承諾提供充分產
" ?3 u) s1 X2 i0 W能，所以今年資本支出將增加到20億美元。; o' @$ \( E8 r) L( c
孫世偉強調，聯電並不盲目擴充產能，此投資計畫經過審慎評估，+ t8 Y& ?; d3 n2 z7 ^
完整考量聯電在不同階段下高階製程成熟程度，以及客戶產能需求，
0 Y* i% j% J L" {0 \以現階段28奈米與客戶的合作進展及強烈需求，相信在量產技術就位
( c! i7 R( n/ x後將帶來豐厚的收穫。
( M* ~! S$ V& j% g! X 聯電預估，今年底40奈米佔營收比重將達15％，28奈米亦可達到5％' b0 Y2 v' ]( G$ Z n0 G# x7 r
，聯電已完成10項28奈米晶片設計定案（tape-out），其中一顆28奈4 L& {" e# Y" z& M8 B1 S
米的ARM架構應用處理器已開始送樣。據了解，這顆晶片是德儀最新款
) z2 K" E* \# _7 ?! ^; d& NOMAP 5多核心應用處理器。
9 b" o5 s4 c! Z* C 另外，聯電也開始佈建2.5D矽中介層（Interposer）解決方案，並
% b' p& ]6 s% E! T q7 S4 o為客戶完成40奈米及28奈米製程矽中介層設計定案。孫世偉表示，聯0 X/ b8 S8 k# U$ ^ P5 [" I, C
電與封測廠將建立開放式技術平台，以提供最適切的服務，與爾必達8 l8 S& B5 b. O0 Z
及力成合作的直通矽晶穿孔（TSV）技術已有很好的成果。(新聞來源
" T! u& @6 }8 Y! z：工商時報─記者涂志豪／台北報導)# X# d! R% m! k) K$ i% {
( {" M+ F( {4 s) _& J* c
3 O& G& w \; O( i1 Q1 S' x5 R
5 p) {0 T' ~5 M- Z8 U$ y, { |
|
發表於 2012-2-9 09:12:47
收藏
讚
發表於 2012-2-11 20:35:51