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【時報-各報要聞】晶圓代工廠聯電(2303)昨（8）日召開法說會，決1 A9 Z9 T' ?2 A) Y* j& \& z
定調升今年資本支出至20億美元，讓與會法人大感意外。聯電執行長+ r! E0 i% d9 j D0 D7 |1 [
孫世偉表示，因為看好行動裝置晶片需求，且為了承諾客戶提供足夠0 L" \6 V8 k1 N) s
的40奈米及28奈米產能，所以才決定提高今年資本支出。
1 E j. R1 O1 a: c4 L- @; e$ g8 E* h- A) k8 U3 ^1 @) W/ V6 {
據了解，聯電拉高資本支出，主要原因就是獲得高通、德儀大訂單
% I t! T, T4 d: |& W8 A E1 T。, g: t% r2 v; l( y
聯電去年原訂資本支出為18億美元，但實際支出為16億美元，其中
! J5 _! c* R8 q: a3 S) }2億美元遞延到今年，聯電因獲得高通及德儀等大客戶行動裝置晶片訂
; {3 Q7 A% M1 f9 v9 R/ Z( W- c單，要建置足夠的40奈米及28奈米產能，所以今年資本支出合計將拉: c$ c! ?! \% Z5 y7 J
高到20億美元、年增25％。
* ~# l1 |! Z K( K0 @4 k4 ~# F 法人表示，相較於台積電將資本支出由去年的72.86億美元，調降到
/ x' K2 |1 B" s3 W+ U2 _# g% I今年60億美元，減幅約達18％，聯電在景氣不確定性仍高的此刻，逆
$ y) ?8 y, _' F勢拉高資本支出，代表聯電已成功提高行動裝置晶片的滲透率，對訂
1 N* C& n B5 s6 \$ J6 t% M9 ?9 l單掌握度也愈來愈高。
9 c: |+ t2 N/ C! B' j- C 孫世偉昨天表示，聯電樂觀看待未來行動通訊與運算市場的高階晶# B* S8 j2 u) B
片需求，為積極掌握這一絕佳的機會，完整佈建40奈米及28奈米解決
f2 a" ?1 L3 D" K) k% h( O ^( @+ Y方案，持續與領先客戶合作以爭取更多旗艦產品，並承諾提供充分產
2 F/ k# K/ K9 R0 r& Z: [1 b能，所以今年資本支出將增加到20億美元。
( u) U; H5 |: }4 M! { 孫世偉強調，聯電並不盲目擴充產能，此投資計畫經過審慎評估，
1 F) h, o+ o2 y1 a0 _' z9 N完整考量聯電在不同階段下高階製程成熟程度，以及客戶產能需求，: Q9 Y: o) U! |2 i8 R& W7 t% _3 e
以現階段28奈米與客戶的合作進展及強烈需求，相信在量產技術就位
! O+ x7 f; D* l2 `0 e5 N, m後將帶來豐厚的收穫。
* I2 e5 s8 I7 g$ E 聯電預估，今年底40奈米佔營收比重將達15％，28奈米亦可達到5％
; \7 ~9 _2 W5 y/ \; ~* v6 f，聯電已完成10項28奈米晶片設計定案（tape-out），其中一顆28奈$ ~% a& Z! X8 s0 v2 s8 s; v* q
米的ARM架構應用處理器已開始送樣。據了解，這顆晶片是德儀最新款
- a$ M! v" `3 {8 O% FOMAP 5多核心應用處理器。
: D8 y1 t n' H( [7 d3 J( _' W 另外，聯電也開始佈建2.5D矽中介層（Interposer）解決方案，並! B( I1 U6 U; l( y$ D6 W7 H& D' n- {" O
為客戶完成40奈米及28奈米製程矽中介層設計定案。孫世偉表示，聯
/ A& V% ]# p2 T! D' M9 g9 @電與封測廠將建立開放式技術平台，以提供最適切的服務，與爾必達
/ s4 f! g. J$ ~( Q- Q' k- ^. {( B及力成合作的直通矽晶穿孔（TSV）技術已有很好的成果。(新聞來源+ b- C8 H& E2 m, l" Z8 {1 M
：工商時報─記者涂志豪／台北報導)2 }2 }2 K7 n9 S2 _
+ G& u3 T; J. J, v+ c5 x, @ L# s" o9 h5 `; `
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發表於 2012-2-9 09:12:47
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