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【時報-各報要聞】晶圓代工廠聯電(2303)昨（8）日召開法說會，決
C2 D3 O( W( b6 j0 Y6 o3 h定調升今年資本支出至20億美元，讓與會法人大感意外。聯電執行長
; y h% Q/ s/ g0 J: a孫世偉表示，因為看好行動裝置晶片需求，且為了承諾客戶提供足夠
! u& k9 r& h X1 y1 |! n的40奈米及28奈米產能，所以才決定提高今年資本支出。0 n+ H( f0 z; ]2 g, H0 B* U1 ]0 I& @$ Z
+ X( N" c9 `- W& {0 ] 據了解，聯電拉高資本支出，主要原因就是獲得高通、德儀大訂單- l& |, g$ T$ F' ?% c4 o
。
* M2 k; X- m+ ^$ ? 聯電去年原訂資本支出為18億美元，但實際支出為16億美元，其中- p3 Z) U" x: C Y
2億美元遞延到今年，聯電因獲得高通及德儀等大客戶行動裝置晶片訂
$ D2 e/ e; A' a" l. a+ V) J O單，要建置足夠的40奈米及28奈米產能，所以今年資本支出合計將拉: @: @$ [2 C$ N
高到20億美元、年增25％。
# O6 }& b9 n# I' B: ~ 法人表示，相較於台積電將資本支出由去年的72.86億美元，調降到! M9 {2 ?5 Y. B
今年60億美元，減幅約達18％，聯電在景氣不確定性仍高的此刻，逆
+ w2 c' ~# M% H: S+ z勢拉高資本支出，代表聯電已成功提高行動裝置晶片的滲透率，對訂2 {/ q$ R0 P( K; S% k
單掌握度也愈來愈高。
1 [7 P. t2 B+ T. |. |6 L 孫世偉昨天表示，聯電樂觀看待未來行動通訊與運算市場的高階晶
; D$ ~( V- i( t# Z6 o! m& A片需求，為積極掌握這一絕佳的機會，完整佈建40奈米及28奈米解決3 {. d! h' z4 t
方案，持續與領先客戶合作以爭取更多旗艦產品，並承諾提供充分產
% a, B4 z. o$ Z0 o+ o+ g能，所以今年資本支出將增加到20億美元。# |5 V$ D$ h) P0 w7 Z
孫世偉強調，聯電並不盲目擴充產能，此投資計畫經過審慎評估，
& G8 ^4 }5 z* l1 Q9 I; c1 E6 Q完整考量聯電在不同階段下高階製程成熟程度，以及客戶產能需求，0 r. L; k; E* h. {3 J% O
以現階段28奈米與客戶的合作進展及強烈需求，相信在量產技術就位. i; M7 v' Y1 |" D
後將帶來豐厚的收穫。8 ~3 b$ ]8 [# W
聯電預估，今年底40奈米佔營收比重將達15％，28奈米亦可達到5％4 N0 b. J0 t/ h1 Q
，聯電已完成10項28奈米晶片設計定案（tape-out），其中一顆28奈9 r2 e7 E" H+ a1 I6 m8 V1 n1 `5 m& T; Q/ M
米的ARM架構應用處理器已開始送樣。據了解，這顆晶片是德儀最新款( P3 `0 Q% y5 \. g
OMAP 5多核心應用處理器。
' L2 V1 c% u& U* w/ ^ 另外，聯電也開始佈建2.5D矽中介層（Interposer）解決方案，並, Q; ^4 i3 }5 r% l4 _% {5 K
為客戶完成40奈米及28奈米製程矽中介層設計定案。孫世偉表示，聯
. ], K: `2 J+ O5 S! O電與封測廠將建立開放式技術平台，以提供最適切的服務，與爾必達
7 \# h* z( T8 m' V0 G2 V- d及力成合作的直通矽晶穿孔（TSV）技術已有很好的成果。(新聞來源" B8 p1 A3 f1 F9 A, b8 p0 X
：工商時報─記者涂志豪／台北報導)
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發表於 2012-2-9 09:12:47
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發表於 2012-2-11 20:35:51