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【時報-台北電】韓國官方昨（4）日表示，已經批准三星在中國建造
' {' s) Q) C" \; |& J, |5 g+ E) g一座NAND快閃記憶體晶片廠，投資規模約為40億美元，不但將採用206 h+ F7 [5 S; l7 R' M0 j- l
奈米以下的先進製程技術，也是三星在海外所建立的第2座快閃記憶體5 w4 k* o/ |& G' D6 D
工廠，反映出中國市場的地位日益重要。$ A' G7 h. u# d$ k! B
韓國官方指出，三星尚未決定廠址，但將在今年內動工興建，預
' T$ a; a H2 D3 j4 L' O. t; w3 U) d計在2013年底前完工營運，投產後的月產能將達到10萬片的規模。) O* @2 e& @8 m, _& C
半導體業內人士指出，三星很可能會將新廠設在蘇州，因為蘇州8 D c+ @2 X {& H: g2 }, M* j
是三星在韓國本土以外最大的記憶體生產基地，而且三星在當地擁有+ V% p5 y, ?$ J( }0 d9 K! ^) q
完整的產業鏈，包含電腦組裝、測廠、面板等，可以產生群聚效應。* M A% c/ H7 \- G" J P
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三星的7.5代面板廠就位在蘇州，去年5月才正式動工興建，也是$ g* N3 P n6 D
第一家獲得中國政府核准建造的外資高世代面板廠，當初市場上即盛
) g7 G6 I& v: v: n. t/ c傳三星取得中方批准的條件之一，就是要在中國投資建造一座快閃記 p! |" r# ?% U! y* N( k& T- i
憶體廠。
, [/ @* C- V' o3 b+ m 三星是目前全球最大的NAND快閃記憶體製造廠，市占率超過40％7 N* {- w- t: \1 s/ p
，並擁有最先進的製程，而韓國官方為了避免技術外洩，對於高科技
6 ^$ W! ^: [# w5 p3 g企業海外設廠都採取審查制度，三星本身也將成立一個專門委員會對
- d' K2 ~+ S0 h; O於技術嚴格把關。
; x/ V% G' u* g- z' I2 `1 Z 據悉，這次三星新廠採用的20奈米是目前業界的最新製程技術，- Q, ^0 ]0 o/ g' s/ c
英特爾與美光合資的IMFT在上個月宣布啟動128GB的20奈米技術量產計* ~! [) a4 S2 F& q# g
畫。: z" W4 y, ^& S5 z. L6 v i
韓國友利投資證券公司的分析師認為，在中國消費電子市場正日 _: U' {! X) v) G
漸蓬勃的情況下，三星這筆投資來得即時，而且NAND快閃記憶體的利
/ [4 c: G0 F" g' m" i- e8 q. A潤依舊很高，未來市場需求將會隨著智慧手機與平板電腦的普及而逐& o. Z _- Q$ L" w1 j
漸上升。 (新聞來源：工商時報─記者林殿唯／綜合報導)
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發表於 2012-1-5 09:04:02
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