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【時報-台北電】韓國官方昨(4)日表示,已經批准三星在中國建造- O+ q" w0 J3 B) i$ S
一座NAND快閃記憶體晶片廠,投資規模約為40億美元,不但將採用20
( {7 P1 g M( `7 Q3 d6 ~3 q奈米以下的先進製程技術,也是三星在海外所建立的第2座快閃記憶體3 G; g" N" E# ^. H0 E
工廠,反映出中國市場的地位日益重要。2 _# K' b' }) {/ v- w
韓國官方指出,三星尚未決定廠址,但將在今年內動工興建,預% M) E; D8 R. {# U8 m" ?
計在2013年底前完工營運,投產後的月產能將達到10萬片的規模。
6 M3 T8 K1 L! L2 f$ r. @ 半導體業內人士指出,三星很可能會將新廠設在蘇州,因為蘇州9 l& b. b# k+ w' U
是三星在韓國本土以外最大的記憶體生產基地,而且三星在當地擁有
6 m7 I- b" E6 Q9 ^3 K7 T+ j完整的產業鏈,包含電腦組裝、測廠、面板等,可以產生群聚效應。
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0 v& F; ^& Y- o! v 三星的7.5代面板廠就位在蘇州,去年5月才正式動工興建,也是
3 ^( f+ P3 N- y0 F第一家獲得中國政府核准建造的外資高世代面板廠,當初市場上即盛
7 X- v# @8 X# ]" |/ g& }! a! c: o傳三星取得中方批准的條件之一,就是要在中國投資建造一座快閃記7 J8 b0 ]7 Z6 i% u& L
憶體廠。5 `, l. C* }; C7 Q
三星是目前全球最大的NAND快閃記憶體製造廠,市占率超過40%
0 V' P" K/ G$ S0 D,並擁有最先進的製程,而韓國官方為了避免技術外洩,對於高科技( L8 D" E9 d5 O1 p
企業海外設廠都採取審查制度,三星本身也將成立一個專門委員會對
/ d& y5 d+ H" V7 W於技術嚴格把關。, ]" I, A7 |. L' H- C, N7 v: |
據悉,這次三星新廠採用的20奈米是目前業界的最新製程技術,
* H+ X+ v- k# a! |' R英特爾與美光合資的IMFT在上個月宣布啟動128GB的20奈米技術量產計
% ?$ n0 ` ~1 E9 N' D畫。3 s6 \, O0 u7 k, N
韓國友利投資證券公司的分析師認為,在中國消費電子市場正日
0 l1 N* I! f, z2 z( p" ^6 Q漸蓬勃的情況下,三星這筆投資來得即時,而且NAND快閃記憶體的利' T& w, r4 ~' r _
潤依舊很高,未來市場需求將會隨著智慧手機與平板電腦的普及而逐
2 N, g! j. R! a5 s7 b6 V7 h漸上升。 (新聞來源:工商時報─記者林殿唯/綜合報導)
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