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【時報-台北電】韓國官方昨（4）日表示，已經批准三星在中國建造1 u3 C! C3 h8 {
一座NAND快閃記憶體晶片廠，投資規模約為40億美元，不但將採用20
' I, f2 f+ L5 w8 @, j奈米以下的先進製程技術，也是三星在海外所建立的第2座快閃記憶體
# C" d! ?+ s0 T2 F+ L; d工廠，反映出中國市場的地位日益重要。
7 J, j" \% m, y 韓國官方指出，三星尚未決定廠址，但將在今年內動工興建，預9 W' C+ r* n1 C9 x% e6 F' i
計在2013年底前完工營運，投產後的月產能將達到10萬片的規模。
% { b7 f, l* {) v" f, M. I. }" V 半導體業內人士指出，三星很可能會將新廠設在蘇州，因為蘇州- L8 @! V; }' d# r
是三星在韓國本土以外最大的記憶體生產基地，而且三星在當地擁有, I' y: O, `, N1 ^) w6 D0 ~
完整的產業鏈，包含電腦組裝、測廠、面板等，可以產生群聚效應。
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三星的7.5代面板廠就位在蘇州，去年5月才正式動工興建，也是
* k( e0 ^) Y2 F1 O. {第一家獲得中國政府核准建造的外資高世代面板廠，當初市場上即盛
9 l( b) D7 Y8 \1 R. f: a傳三星取得中方批准的條件之一，就是要在中國投資建造一座快閃記" m) R" E+ |; K
憶體廠。3 K1 p# ^4 K" X: @1 V/ i
三星是目前全球最大的NAND快閃記憶體製造廠，市占率超過40％
8 B! F' n0 Z9 J0 P% t，並擁有最先進的製程，而韓國官方為了避免技術外洩，對於高科技2 n% v; M$ o9 {& T
企業海外設廠都採取審查制度，三星本身也將成立一個專門委員會對8 k$ J. I" f' h$ e# `- H; q! ]
於技術嚴格把關。
) Z% F0 a" w3 `$ H9 v 據悉，這次三星新廠採用的20奈米是目前業界的最新製程技術，
1 k3 k' L2 X8 |英特爾與美光合資的IMFT在上個月宣布啟動128GB的20奈米技術量產計
$ {7 h$ [) X" u. K0 {1 M! m4 z畫。
) Y i+ D4 y2 T9 f$ F2 R( J 韓國友利投資證券公司的分析師認為，在中國消費電子市場正日( L2 x1 r6 }: p; i% C R7 I
漸蓬勃的情況下，三星這筆投資來得即時，而且NAND快閃記憶體的利
6 i1 p0 d# `) @: F/ y0 ]8 k潤依舊很高，未來市場需求將會隨著智慧手機與平板電腦的普及而逐
6 n# v' q& Q# G" g' M6 J8 ~. V' v漸上升。 (新聞來源：工商時報─記者林殿唯／綜合報導)% [( y9 [* x/ P( W
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發表於 2012-1-5 09:04:02
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