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【時報-台北電】韓國官方昨（4）日表示，已經批准三星在中國建造3 L/ X# E; I& _
一座NAND快閃記憶體晶片廠，投資規模約為40億美元，不但將採用20
; f; i; L1 c8 j3 S: U: H. }奈米以下的先進製程技術，也是三星在海外所建立的第2座快閃記憶體* T( }% j1 x. W7 [- Y! J9 d2 j
工廠，反映出中國市場的地位日益重要。' O- ]9 ~5 w: m r' z' Z8 Y
韓國官方指出，三星尚未決定廠址，但將在今年內動工興建，預+ R" ~9 l4 D' A& C
計在2013年底前完工營運，投產後的月產能將達到10萬片的規模。! c2 }1 Q' l% b/ y! I# \% S5 o
半導體業內人士指出，三星很可能會將新廠設在蘇州，因為蘇州
/ @! c( }- V" ?$ ?4 c9 f) A是三星在韓國本土以外最大的記憶體生產基地，而且三星在當地擁有
$ O, B9 V" @; ?1 |% s2 l% |完整的產業鏈，包含電腦組裝、測廠、面板等，可以產生群聚效應。
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三星的7.5代面板廠就位在蘇州，去年5月才正式動工興建，也是
2 z1 Q$ S1 P. R! S第一家獲得中國政府核准建造的外資高世代面板廠，當初市場上即盛3 V1 r* i. D0 K/ |6 K, `) P
傳三星取得中方批准的條件之一，就是要在中國投資建造一座快閃記+ i9 P7 X Q/ o9 D; _ r, X; v
憶體廠。, n: O `5 H% r! \# W' l7 B; U4 ~
三星是目前全球最大的NAND快閃記憶體製造廠，市占率超過40％: o1 c9 p$ j% g# B8 f* h& L. t
，並擁有最先進的製程，而韓國官方為了避免技術外洩，對於高科技 k% X3 i B# B2 R$ q
企業海外設廠都採取審查制度，三星本身也將成立一個專門委員會對- j6 t+ _( Q1 o* g& G- Q
於技術嚴格把關。
& H6 z7 n9 H8 s* T, D- o 據悉，這次三星新廠採用的20奈米是目前業界的最新製程技術，& P! \+ F' q$ m) A- A* r6 V3 @ z
英特爾與美光合資的IMFT在上個月宣布啟動128GB的20奈米技術量產計: i; M5 z$ q3 T7 z2 Y
畫。
. i \! J6 [# Y9 R) j; u$ v9 \8 h 韓國友利投資證券公司的分析師認為，在中國消費電子市場正日3 [1 k. C* F- S0 A) c' D- D
漸蓬勃的情況下，三星這筆投資來得即時，而且NAND快閃記憶體的利
, C: V5 H) `& _% Z; q6 o; d潤依舊很高，未來市場需求將會隨著智慧手機與平板電腦的普及而逐1 {7 }7 l6 Y) ^: X& t4 s9 Q
漸上升。 (新聞來源：工商時報─記者林殿唯／綜合報導)
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發表於 2012-1-5 09:04:02
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