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【時報-台北電】韓國官方昨（4）日表示，已經批准三星在中國建造' S+ u* r0 q! e3 S1 F$ |( X
一座NAND快閃記憶體晶片廠，投資規模約為40億美元，不但將採用207 ~( b6 m: P8 s8 @+ q6 U
奈米以下的先進製程技術，也是三星在海外所建立的第2座快閃記憶體! A/ E) m; y% B( t7 Z0 ~
工廠，反映出中國市場的地位日益重要。
. R' ]" X& C, z0 B0 ? 韓國官方指出，三星尚未決定廠址，但將在今年內動工興建，預( `9 F5 G2 K" p$ m0 w. d, j) {
計在2013年底前完工營運，投產後的月產能將達到10萬片的規模。
# ~+ }5 \' X, v2 P; T* H, H 半導體業內人士指出，三星很可能會將新廠設在蘇州，因為蘇州
& ~; l/ }: Y& y/ ~是三星在韓國本土以外最大的記憶體生產基地，而且三星在當地擁有
0 u6 R6 a' z1 v4 ~) L% I2 Y L完整的產業鏈，包含電腦組裝、測廠、面板等，可以產生群聚效應。 n+ a3 a1 S" O5 S( u( P
4 c k E9 ?' h: G/ E
三星的7.5代面板廠就位在蘇州，去年5月才正式動工興建，也是% p7 ]) r- }: w, @
第一家獲得中國政府核准建造的外資高世代面板廠，當初市場上即盛. R( T1 R! {7 T; A% v
傳三星取得中方批准的條件之一，就是要在中國投資建造一座快閃記
2 U! b9 t& R7 Y* ^憶體廠。8 D. Z9 f. R1 Y4 n: [
三星是目前全球最大的NAND快閃記憶體製造廠，市占率超過40％
# g }+ |7 H" e1 F/ g5 ^，並擁有最先進的製程，而韓國官方為了避免技術外洩，對於高科技8 k% m! J6 `/ ], h* }, j
企業海外設廠都採取審查制度，三星本身也將成立一個專門委員會對+ D6 Y/ n) H z4 `1 P& p' m! f3 d/ j
於技術嚴格把關。$ m" m' ^. h5 J' C T# x6 }3 z6 z. `
據悉，這次三星新廠採用的20奈米是目前業界的最新製程技術，
& q; }: [7 K- G英特爾與美光合資的IMFT在上個月宣布啟動128GB的20奈米技術量產計: U$ C y- u+ _# @! S% ~. _
畫。
0 L3 w" N& G# J 韓國友利投資證券公司的分析師認為，在中國消費電子市場正日2 Z/ ^% N" s6 s! p7 L4 S; X! `
漸蓬勃的情況下，三星這筆投資來得即時，而且NAND快閃記憶體的利
: g* V/ F5 L. M! d9 ?( L6 G V7 d5 f潤依舊很高，未來市場需求將會隨著智慧手機與平板電腦的普及而逐& j( g! P- {3 M: T: X
漸上升。 (新聞來源：工商時報─記者林殿唯／綜合報導)
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發表於 2012-1-5 09:04:02
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