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- 2017-12-9
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【時報-各報要聞】晶圓二哥聯電(2303)，28奈米接單傳出捷報。設備
3 a2 C+ O, C8 F2 R) w業者指出，聯電28奈米進展順利，在拿下德儀（TI）次世代ARM架構處$ K4 f/ E3 t9 z5 A
理器OMAP 5代工訂單後，日前再度成功突破台積電在28奈米市場設下$ F0 q5 E0 `$ F; F" o; u
的進入障礙，拿下手機晶片大廠高通（Qualcomm）的28奈米整合型基
! D2 |( u% ]) z: W C頻晶片代工訂單。! e9 s. Z1 j/ x) n$ ?
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2008年底金融海嘯發生後，聯電決定調整營運模式，不再與台積0 n* X* J e+ J4 J# B- j
電進行製程競賽，朝向客戶導向的晶圓專工解決方案提供者（Custom
8 U! P3 z+ W9 Xer-Driven Foundry Solutions）的方向發展。但聯電並沒有因此停止) c- }/ B3 N7 w$ c. c( S% ~2 O
先進製程研發，2008年底已產出業界第一個全功能28奈米製程SRAM晶
$ t% w; c/ N7 D/ B片，多晶矽氮氧化矽（Poly/SiON）及高介電金屬閘極（HKMG）等兩種, {' m* ]" I- g0 s
技術亦在去年獲得驗證通過。4 t7 p& u/ t! S6 o' X
聯電去年一整年都在佈建28奈米生態系統，包括與電子設計自動
8 a& l& W- J" x' b! M化工具（EDA）、矽智財（IP）等獨立第三方（third party）業者深# G9 a3 l- M+ R1 Z& _7 M
度合作，並與英商安謀（ARM）簽訂長期合作協議，在28奈米HKMG製程
% b4 \" o" h, C中整合安謀的ARM Artisan實體矽智財（Physical IP）等。0 c# m8 ?* n! I" W
聯電雖然28奈米進度仍落後台積電約半年時間，但今年卻可望是
6 { u2 v: J' c+ n* h) `28奈米投資開始收成的一年，除了已確定成為德儀次世代ARM架構應用& `0 y; O$ ~, f1 Q6 ~6 P$ B
處理器OMAP 5的最大晶圓代工廠，上半年就會進入量產，設備業者近
" u- N9 S( a: s& q1 v期傳出，聯電也搶下高通28奈米整合型基頻晶片代工訂單，本季下旬' L# m8 i8 s. w/ D a$ L/ o. _
就會進入生產準備期。
9 [( E0 ~0 K: ]4 W; Q 聯電雖然是高通晶圓代工廠之一，但接單量一直不高，也不是先# u2 B" p) A; f
進製程晶片主要代工廠，但聯電此次卻成功自對手手中搶下28奈米代& u8 I; U2 w; ~8 |9 f
工訂單，擠進高通的先進製程晶圓代工廠行列，業者認為，這代表聯
$ F+ k( A7 @0 \( C6 V5 ^6 y電在28奈米世代穩扎穩打的佈局策略十分成功。對此，聯電低調表示. C/ n0 a2 S3 ~6 p8 Y4 H
，對客戶及接單一向不予評論。0 r/ [# v1 o1 N% M5 _2 o0 Y1 i
法人認為，高通今年3G基頻晶片策略在於攻下中國、印度等新興
+ J" N& F5 _( a" i, }市場，需要龐大的低成本多頻多模基頻晶片產能支援，台積電的晶圓
2 T: d5 z5 q) ]0 u/ v& V l代工價格高，聯電在報價上較有彈性，產能支援上也沒有台積電那麼
. }) P# h5 Y1 e3 E( }緊，應該是此次成功搶下高通28奈米訂單的重要關鍵。 (新聞來源：
) z% ^8 V7 k* x% E* D: [工商時報─記者涂志豪／台北報導)
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發表於 2012-1-3 09:07:05
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