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- 2017-12-9
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【時報-各報要聞】晶圓二哥聯電(2303)，28奈米接單傳出捷報。設備; y" q7 n8 I; L* n( L" \% ~
業者指出，聯電28奈米進展順利，在拿下德儀（TI）次世代ARM架構處
& o$ K) X/ K1 f M: u+ B7 [. c理器OMAP 5代工訂單後，日前再度成功突破台積電在28奈米市場設下
( P4 |1 {, M y. R/ A- b的進入障礙，拿下手機晶片大廠高通（Qualcomm）的28奈米整合型基
4 |+ T' y4 Q" y4 r( T4 @, [頻晶片代工訂單。3 O! I' W! v7 D& U% X
3 s5 N1 r" U, L+ l# |
2008年底金融海嘯發生後，聯電決定調整營運模式，不再與台積
. A4 e( p; ]4 c3 o$ r, y電進行製程競賽，朝向客戶導向的晶圓專工解決方案提供者（Custom
) f! d1 t- o7 s% i) Y1 Oer-Driven Foundry Solutions）的方向發展。但聯電並沒有因此停止
" g) ]& H- r9 I先進製程研發，2008年底已產出業界第一個全功能28奈米製程SRAM晶
; F7 b6 O: g+ c8 O0 e# W片，多晶矽氮氧化矽（Poly/SiON）及高介電金屬閘極（HKMG）等兩種) p" z0 E/ j3 p1 \+ x9 k; @
技術亦在去年獲得驗證通過。- N# [/ T7 v. e( ^" ~3 D `
聯電去年一整年都在佈建28奈米生態系統，包括與電子設計自動
6 A5 H0 _6 ?( n# }4 K/ R化工具（EDA）、矽智財（IP）等獨立第三方（third party）業者深- o$ j1 ~0 R$ e3 H( R* ]- [
度合作，並與英商安謀（ARM）簽訂長期合作協議，在28奈米HKMG製程
, \* b0 H& c2 b- D中整合安謀的ARM Artisan實體矽智財（Physical IP）等。' P% J9 }2 ^3 D1 n5 X
聯電雖然28奈米進度仍落後台積電約半年時間，但今年卻可望是2 a7 E" m8 C/ q4 A0 D4 ~
28奈米投資開始收成的一年，除了已確定成為德儀次世代ARM架構應用5 y2 X& Q, ~6 W$ m I
處理器OMAP 5的最大晶圓代工廠，上半年就會進入量產，設備業者近
9 N6 h/ U0 K( I: |" F9 U! Q, h期傳出，聯電也搶下高通28奈米整合型基頻晶片代工訂單，本季下旬
* H! q% X; {/ E) X: ]+ f就會進入生產準備期。
6 {0 M- N5 J, Z5 U 聯電雖然是高通晶圓代工廠之一，但接單量一直不高，也不是先- J0 M' q: {# h
進製程晶片主要代工廠，但聯電此次卻成功自對手手中搶下28奈米代, b7 z- S+ }8 K; Z( N, h
工訂單，擠進高通的先進製程晶圓代工廠行列，業者認為，這代表聯
6 U5 X; z* ?4 c% T5 H* w電在28奈米世代穩扎穩打的佈局策略十分成功。對此，聯電低調表示: }# f9 U* q2 _
，對客戶及接單一向不予評論。! t0 n8 \7 V: E0 h
法人認為，高通今年3G基頻晶片策略在於攻下中國、印度等新興( n4 Q% K" ]- o& Q# B1 k! `7 U- f* j
市場，需要龐大的低成本多頻多模基頻晶片產能支援，台積電的晶圓
7 m" f5 x5 k" `- p代工價格高，聯電在報價上較有彈性，產能支援上也沒有台積電那麼
5 h3 K0 e- w0 G4 b; H/ J# u/ ?8 x緊，應該是此次成功搶下高通28奈米訂單的重要關鍵。 (新聞來源：
( C& Y( \* b( |3 G工商時報─記者涂志豪／台北報導)
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發表於 2012-1-3 09:07:05
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