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- 2017-12-9
 
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【時報-各報要聞】晶圓二哥聯電(2303),28奈米接單傳出捷報。設備
% e$ a; w- |3 i7 C業者指出,聯電28奈米進展順利,在拿下德儀(TI)次世代ARM架構處
( [& B- X* V" n# d, ]6 t3 C/ y& h理器OMAP 5代工訂單後,日前再度成功突破台積電在28奈米市場設下5 P# [0 }; b+ b1 ^* ]
的進入障礙,拿下手機晶片大廠高通(Qualcomm)的28奈米整合型基
$ D, X7 M8 j7 o; s. ]/ h& b頻晶片代工訂單。" r* e; g8 s2 _0 P+ i
& |$ y0 _1 M6 A9 L 2008年底金融海嘯發生後,聯電決定調整營運模式,不再與台積3 V$ j( h4 l2 _* o
電進行製程競賽,朝向客戶導向的晶圓專工解決方案提供者(Custom9 |5 {0 n! E, C4 D5 a: h% j
er-Driven Foundry Solutions)的方向發展。但聯電並沒有因此停止
3 z+ m5 @# t+ z. [先進製程研發,2008年底已產出業界第一個全功能28奈米製程SRAM晶# o/ `0 l2 e. v$ Q5 m, `! U; O
片,多晶矽氮氧化矽(Poly/SiON)及高介電金屬閘極(HKMG)等兩種" ]- J B- I) e3 F
技術亦在去年獲得驗證通過。
! B7 N, N5 a5 O5 n2 c, P6 T. D 聯電去年一整年都在佈建28奈米生態系統,包括與電子設計自動& u. H, t# y* t2 L4 U5 R3 x& g
化工具(EDA)、矽智財(IP)等獨立第三方(third party)業者深( O/ i# u) w" O
度合作,並與英商安謀(ARM)簽訂長期合作協議,在28奈米HKMG製程
4 H- }. q9 _/ J: N$ v: ]" o) f5 z中整合安謀的ARM Artisan實體矽智財(Physical IP)等。
! W) e( f/ r- [; _- b' w 聯電雖然28奈米進度仍落後台積電約半年時間,但今年卻可望是2 L& D" d* X4 I; n1 L9 u
28奈米投資開始收成的一年,除了已確定成為德儀次世代ARM架構應用
, u! w4 n. u. ~處理器OMAP 5的最大晶圓代工廠,上半年就會進入量產,設備業者近# T9 S: L- K; Y2 N9 w+ S' ]
期傳出,聯電也搶下高通28奈米整合型基頻晶片代工訂單,本季下旬/ S5 [% ~ {; U) l. S
就會進入生產準備期。
* {0 t. P4 z2 V6 v) o4 x 聯電雖然是高通晶圓代工廠之一,但接單量一直不高,也不是先/ |6 C7 w8 G( m. g* w7 s A) J
進製程晶片主要代工廠,但聯電此次卻成功自對手手中搶下28奈米代
: r" M8 V: l1 s7 {, n工訂單,擠進高通的先進製程晶圓代工廠行列,業者認為,這代表聯
$ t9 ^$ F9 R. B2 M3 i; s! X6 F電在28奈米世代穩扎穩打的佈局策略十分成功。對此,聯電低調表示. h) W( ^& n4 Q$ Q( [6 D! W
,對客戶及接單一向不予評論。
+ {9 ^- v6 i6 v 法人認為,高通今年3G基頻晶片策略在於攻下中國、印度等新興
5 _: l0 Y+ Y; _. z) U0 w4 z市場,需要龐大的低成本多頻多模基頻晶片產能支援,台積電的晶圓8 i0 k9 f* L8 ?6 q. o1 p; E2 H. @
代工價格高,聯電在報價上較有彈性,產能支援上也沒有台積電那麼
* m) `# l1 `7 O7 E: z. x緊,應該是此次成功搶下高通28奈米訂單的重要關鍵。 (新聞來源:7 ?' ]4 U5 f+ i
工商時報─記者涂志豪/台北報導)
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