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- 2017-12-9
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【時報-各報要聞】晶圓二哥聯電(2303)，28奈米接單傳出捷報。設備, r! @% B/ A) U3 m \5 t
業者指出，聯電28奈米進展順利，在拿下德儀（TI）次世代ARM架構處
# Z9 v* n! s& M4 p6 {* x/ V理器OMAP 5代工訂單後，日前再度成功突破台積電在28奈米市場設下
8 E1 q# m5 F' L的進入障礙，拿下手機晶片大廠高通（Qualcomm）的28奈米整合型基3 R- M- Y7 I% `( P! ?! U _
頻晶片代工訂單。
7 l) {4 B# i% Q2 x- n. y5 H$ L8 Z; X
2008年底金融海嘯發生後，聯電決定調整營運模式，不再與台積1 R$ m, `/ j7 S
電進行製程競賽，朝向客戶導向的晶圓專工解決方案提供者（Custom4 o+ s& ~4 S' b5 W. y* {& s
er-Driven Foundry Solutions）的方向發展。但聯電並沒有因此停止
# ~% Y i% K0 F8 E* _+ c先進製程研發，2008年底已產出業界第一個全功能28奈米製程SRAM晶3 P {/ V/ x+ l- u) U- B! r
片，多晶矽氮氧化矽（Poly/SiON）及高介電金屬閘極（HKMG）等兩種- K. K4 O( p2 }3 H
技術亦在去年獲得驗證通過。
5 ]! K z5 h# y- C1 h) O 聯電去年一整年都在佈建28奈米生態系統，包括與電子設計自動
0 N6 b6 Q% R7 |化工具（EDA）、矽智財（IP）等獨立第三方（third party）業者深
' L% Q y% B# }" u& }度合作，並與英商安謀（ARM）簽訂長期合作協議，在28奈米HKMG製程
% ~: ]1 ~# y( X中整合安謀的ARM Artisan實體矽智財（Physical IP）等。
4 ~/ l0 M9 n( M. d4 q/ _) D 聯電雖然28奈米進度仍落後台積電約半年時間，但今年卻可望是9 d! \( q0 S+ O4 X8 |* i
28奈米投資開始收成的一年，除了已確定成為德儀次世代ARM架構應用1 H, E, x7 z8 F* q$ c
處理器OMAP 5的最大晶圓代工廠，上半年就會進入量產，設備業者近4 v: ^' f: ^0 \# E
期傳出，聯電也搶下高通28奈米整合型基頻晶片代工訂單，本季下旬* o' F( E: h9 I0 Z: ?$ u' u8 q
就會進入生產準備期。
) x' t* [0 J% s# p7 h9 ~: e 聯電雖然是高通晶圓代工廠之一，但接單量一直不高，也不是先
. \, z9 A: \/ Y! s( q* r' T* D進製程晶片主要代工廠，但聯電此次卻成功自對手手中搶下28奈米代3 v/ D$ q/ V. t: |
工訂單，擠進高通的先進製程晶圓代工廠行列，業者認為，這代表聯
% I# X3 k2 J7 U4 z( b電在28奈米世代穩扎穩打的佈局策略十分成功。對此，聯電低調表示( ?8 B8 @+ S' l: ^
，對客戶及接單一向不予評論。* }+ Z c5 W' B5 o/ h% X
法人認為，高通今年3G基頻晶片策略在於攻下中國、印度等新興3 ~& ~0 I; |2 Z$ Z+ \
市場，需要龐大的低成本多頻多模基頻晶片產能支援，台積電的晶圓3 K4 Y3 f: m n" [
代工價格高，聯電在報價上較有彈性，產能支援上也沒有台積電那麼+ A% [( \) u* J$ S6 j+ }- B
緊，應該是此次成功搶下高通28奈米訂單的重要關鍵。 (新聞來源：. E, m/ O7 ^( g; y( v
工商時報─記者涂志豪／台北報導)1 i; d& ^! i5 K1 p& c0 C8 G: N
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發表於 2012-1-3 09:07:05
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