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- 2017-12-9
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【時報-各報要聞】晶圓二哥聯電(2303)，28奈米接單傳出捷報。設備. V2 S6 d7 N; S% G) f7 V
業者指出，聯電28奈米進展順利，在拿下德儀（TI）次世代ARM架構處( ~$ N5 I& x! \5 v
理器OMAP 5代工訂單後，日前再度成功突破台積電在28奈米市場設下
3 x! U6 B1 n M6 \/ @的進入障礙，拿下手機晶片大廠高通（Qualcomm）的28奈米整合型基
4 B& V2 X* @/ G9 Q+ \* H1 r頻晶片代工訂單。9 H1 M3 g9 r" V6 c
. H+ s+ O4 e0 U 2008年底金融海嘯發生後，聯電決定調整營運模式，不再與台積0 s: B, q8 U) u% O& e4 K
電進行製程競賽，朝向客戶導向的晶圓專工解決方案提供者（Custom" V: G% z' e4 l* N( N% ]1 I
er-Driven Foundry Solutions）的方向發展。但聯電並沒有因此停止4 W u/ ]) {" `
先進製程研發，2008年底已產出業界第一個全功能28奈米製程SRAM晶
' `6 N! W/ F# i n$ p s) `6 I) L/ n片，多晶矽氮氧化矽（Poly/SiON）及高介電金屬閘極（HKMG）等兩種4 g. s% u6 |$ I7 J$ \5 {- s/ p
技術亦在去年獲得驗證通過。
% a h! x8 z1 e' [6 Q( M 聯電去年一整年都在佈建28奈米生態系統，包括與電子設計自動
4 E' p' L2 F8 _1 O+ C: }1 v化工具（EDA）、矽智財（IP）等獨立第三方（third party）業者深
% z* J$ h1 L# x) o8 k度合作，並與英商安謀（ARM）簽訂長期合作協議，在28奈米HKMG製程
1 y# _4 Y; [& j/ ^. N3 K中整合安謀的ARM Artisan實體矽智財（Physical IP）等。
' f- D% @- f0 V# S 聯電雖然28奈米進度仍落後台積電約半年時間，但今年卻可望是' ]1 I# F8 `3 ~# G* k" F$ i
28奈米投資開始收成的一年，除了已確定成為德儀次世代ARM架構應用6 q0 L2 t5 e8 i( h( m
處理器OMAP 5的最大晶圓代工廠，上半年就會進入量產，設備業者近
% X; w" w( v" F+ V) I& ~期傳出，聯電也搶下高通28奈米整合型基頻晶片代工訂單，本季下旬
4 m$ R$ W+ A% [. E/ d: R( h就會進入生產準備期。
! O5 G# S" B8 p, _, L# j 聯電雖然是高通晶圓代工廠之一，但接單量一直不高，也不是先
2 d0 s `. P6 X1 U% F進製程晶片主要代工廠，但聯電此次卻成功自對手手中搶下28奈米代
6 u- X, i4 d* }6 ?# \) O工訂單，擠進高通的先進製程晶圓代工廠行列，業者認為，這代表聯/ p6 | T7 |0 M, p4 L4 l
電在28奈米世代穩扎穩打的佈局策略十分成功。對此，聯電低調表示2 H/ F+ I: u. c( n" V5 K
，對客戶及接單一向不予評論。
_! |' E& Q' L8 S6 e ? 法人認為，高通今年3G基頻晶片策略在於攻下中國、印度等新興
/ n" j) \- z0 B* a8 I- g市場，需要龐大的低成本多頻多模基頻晶片產能支援，台積電的晶圓
+ }: T$ @6 W. K3 C5 V" T代工價格高，聯電在報價上較有彈性，產能支援上也沒有台積電那麼8 e- T& _; @5 B- X
緊，應該是此次成功搶下高通28奈米訂單的重要關鍵。 (新聞來源：
+ m; `$ ^* l8 E# e/ W0 T工商時報─記者涂志豪／台北報導) ?+ d) y! T$ ?. ~# H X0 m
# N; n; [) C8 ]; |3 y; B: a6 `
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發表於 2012-1-3 09:07:05
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