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- 2017-12-9
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【時報-各報要聞】晶圓二哥聯電(2303)，28奈米接單傳出捷報。設備
6 p* i4 p3 s0 e6 M, T業者指出，聯電28奈米進展順利，在拿下德儀（TI）次世代ARM架構處
0 c2 p7 Y" L5 v: H0 c7 s理器OMAP 5代工訂單後，日前再度成功突破台積電在28奈米市場設下
+ U# G4 s! V1 C) R: s的進入障礙，拿下手機晶片大廠高通（Qualcomm）的28奈米整合型基) t* b9 Y }0 G
頻晶片代工訂單。
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2008年底金融海嘯發生後，聯電決定調整營運模式，不再與台積! `4 O) B0 T. }# a- K- Z; U/ f3 d
電進行製程競賽，朝向客戶導向的晶圓專工解決方案提供者（Custom
& `9 {' t/ X( ~ ^er-Driven Foundry Solutions）的方向發展。但聯電並沒有因此停止
7 ~+ R, L9 z& d Q8 p先進製程研發，2008年底已產出業界第一個全功能28奈米製程SRAM晶
8 h9 }$ w5 }0 W% Q7 B; e4 O& ^片，多晶矽氮氧化矽（Poly/SiON）及高介電金屬閘極（HKMG）等兩種0 ~& R& _) E$ B }, Q! X5 l
技術亦在去年獲得驗證通過。. F8 y# x1 C7 c# }- p
聯電去年一整年都在佈建28奈米生態系統，包括與電子設計自動
0 C0 ]$ ?, s) _1 X q) |/ o m化工具（EDA）、矽智財（IP）等獨立第三方（third party）業者深 I$ D# r" M% M7 \
度合作，並與英商安謀（ARM）簽訂長期合作協議，在28奈米HKMG製程6 z" l [% `: q5 N4 d+ n; c
中整合安謀的ARM Artisan實體矽智財（Physical IP）等。; }4 Y6 U) H/ v2 p% C' Z6 F
聯電雖然28奈米進度仍落後台積電約半年時間，但今年卻可望是1 D* z( d' C- x$ c, }# e' ^7 V
28奈米投資開始收成的一年，除了已確定成為德儀次世代ARM架構應用 p1 W9 i4 A" w9 q0 s
處理器OMAP 5的最大晶圓代工廠，上半年就會進入量產，設備業者近
1 e( a9 W8 J4 M$ h$ _5 v期傳出，聯電也搶下高通28奈米整合型基頻晶片代工訂單，本季下旬0 G" a$ ?* R* D, k* U0 X
就會進入生產準備期。
! U& T* @' S8 j5 ^# J6 o 聯電雖然是高通晶圓代工廠之一，但接單量一直不高，也不是先& k# T- V% {8 k
進製程晶片主要代工廠，但聯電此次卻成功自對手手中搶下28奈米代
. z; _5 F+ {2 ^* f工訂單，擠進高通的先進製程晶圓代工廠行列，業者認為，這代表聯# \4 E" }" S2 D" p
電在28奈米世代穩扎穩打的佈局策略十分成功。對此，聯電低調表示- O. o1 s8 S0 p. ~+ S( G3 n1 j
，對客戶及接單一向不予評論。
) {! l- S3 H7 u8 v5 |$ [ 法人認為，高通今年3G基頻晶片策略在於攻下中國、印度等新興
; x7 k. T7 a( M' @( N市場，需要龐大的低成本多頻多模基頻晶片產能支援，台積電的晶圓
0 R; d* k, ^: ?. V# m代工價格高，聯電在報價上較有彈性，產能支援上也沒有台積電那麼& y/ j# D$ y. ~3 D; A2 V: A
緊，應該是此次成功搶下高通28奈米訂單的重要關鍵。 (新聞來源：) f4 v: \ M+ c! M5 S: m
工商時報─記者涂志豪／台北報導)
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發表於 2012-1-3 09:07:05
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