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【時報-各報要聞】晶圓二哥聯電(2303)，28奈米接單傳出捷報。設備5 f3 z \0 a3 F) @
業者指出，聯電28奈米進展順利，在拿下德儀（TI）次世代ARM架構處: `* J8 D$ Q+ N5 G7 N
理器OMAP 5代工訂單後，日前再度成功突破台積電在28奈米市場設下 g) J8 s( U. [) ?! L1 o
的進入障礙，拿下手機晶片大廠高通（Qualcomm）的28奈米整合型基: a) F x' K1 b2 m
頻晶片代工訂單。
" j! |4 U% }: @ R1 {
' B' {; x8 `) ^% g# C 2008年底金融海嘯發生後，聯電決定調整營運模式，不再與台積
4 {" @1 m; o- U" v3 e8 T電進行製程競賽，朝向客戶導向的晶圓專工解決方案提供者（Custom9 q9 g6 `& V7 I
er-Driven Foundry Solutions）的方向發展。但聯電並沒有因此停止
" [" {$ x1 O a- c% z先進製程研發，2008年底已產出業界第一個全功能28奈米製程SRAM晶
1 h+ q! }* ~5 ]( l片，多晶矽氮氧化矽（Poly/SiON）及高介電金屬閘極（HKMG）等兩種
2 _5 C4 Q' L2 P `3 m. `8 A5 L; A技術亦在去年獲得驗證通過。
+ M/ G1 E9 M; m! F) [ 聯電去年一整年都在佈建28奈米生態系統，包括與電子設計自動3 ^2 {3 Y- b' S6 i: \; Y
化工具（EDA）、矽智財（IP）等獨立第三方（third party）業者深$ D" k' e: Z, c6 J. e: `2 k' h* z: h
度合作，並與英商安謀（ARM）簽訂長期合作協議，在28奈米HKMG製程' Y1 ?' t& r X) S& h
中整合安謀的ARM Artisan實體矽智財（Physical IP）等。: h/ B1 n9 n" A5 D% h
聯電雖然28奈米進度仍落後台積電約半年時間，但今年卻可望是! J/ B8 v% z9 A+ l" i# q
28奈米投資開始收成的一年，除了已確定成為德儀次世代ARM架構應用' q: A8 X& Y: |* t3 D
處理器OMAP 5的最大晶圓代工廠，上半年就會進入量產，設備業者近1 A: Y+ F8 O8 E# `" y' n- R
期傳出，聯電也搶下高通28奈米整合型基頻晶片代工訂單，本季下旬, r8 ^6 H1 v7 H" W
就會進入生產準備期。4 D- Z8 G% S, H6 q6 `, {( O
聯電雖然是高通晶圓代工廠之一，但接單量一直不高，也不是先
, c: G7 ?8 {5 C0 t進製程晶片主要代工廠，但聯電此次卻成功自對手手中搶下28奈米代9 v! @+ _8 j% R0 n* t
工訂單，擠進高通的先進製程晶圓代工廠行列，業者認為，這代表聯( _/ o, O% T" i, ?
電在28奈米世代穩扎穩打的佈局策略十分成功。對此，聯電低調表示
* ~, T; t2 t* k) I( U，對客戶及接單一向不予評論。
' l+ L6 L r' W 法人認為，高通今年3G基頻晶片策略在於攻下中國、印度等新興
' F l3 a0 w! _2 p8 \市場，需要龐大的低成本多頻多模基頻晶片產能支援，台積電的晶圓) E f: y9 y8 o! Q" E5 _% g
代工價格高，聯電在報價上較有彈性，產能支援上也沒有台積電那麼
- U `# f( E6 @緊，應該是此次成功搶下高通28奈米訂單的重要關鍵。 (新聞來源：
' |% _3 D/ J2 K" y& l7 O/ d% `$ [工商時報─記者涂志豪／台北報導)2 h) ~5 W: k P: M% x* `$ E
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. M* B7 P* P$ u' C. c9 G( g" q3 v- P' q+ o! j o( f! m& l& e, A
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發表於 2012-1-3 09:07:05
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