- UID
- 4355
- 閱讀權限
- 45
- 精華
- 0
- 威望
- 3
- 貢獻
- 3897
- 活力
- 11257
- 金幣
- 44043
- 日誌
- 9
- 記錄
- 37
- 最後登入
- 2017-12-9
- 社區
- 臺灣
- 文章
- 9422
- 在線時間
- 1428 小時
|
【時報-各報要聞】晶圓代工廠聯電(2303)昨（8）日召開法說會，決$ i/ R5 B/ I- Y9 x; A
定調升今年資本支出至20億美元，讓與會法人大感意外。聯電執行長
. W) P v# m8 N9 n' F% Q孫世偉表示，因為看好行動裝置晶片需求，且為了承諾客戶提供足夠
& v8 F6 ?2 |3 J4 {% q的40奈米及28奈米產能，所以才決定提高今年資本支出。! q- Z( \- z0 V' M; g+ G; w3 H d% M
- J% s4 `: D) w7 }; a$ K 據了解，聯電拉高資本支出，主要原因就是獲得高通、德儀大訂單
9 `1 a, l5 J, q& d。
/ A7 [+ n7 [0 ^6 S$ q& n 聯電去年原訂資本支出為18億美元，但實際支出為16億美元，其中
$ f( ]# `9 W) e) @- k# I2億美元遞延到今年，聯電因獲得高通及德儀等大客戶行動裝置晶片訂
3 i% H2 {! p! |單，要建置足夠的40奈米及28奈米產能，所以今年資本支出合計將拉; E8 K- `$ {9 k5 |5 e9 N) H$ Z( z
高到20億美元、年增25％。
7 b, g* i# e7 M* X0 T 法人表示，相較於台積電將資本支出由去年的72.86億美元，調降到0 z$ `; \4 `+ V5 @
今年60億美元，減幅約達18％，聯電在景氣不確定性仍高的此刻，逆 N# e: z9 D# B% u& x0 H
勢拉高資本支出，代表聯電已成功提高行動裝置晶片的滲透率，對訂; e5 w3 m0 l/ a' I
單掌握度也愈來愈高。
: l2 P/ G/ j2 b2 k( { L( _( ` 孫世偉昨天表示，聯電樂觀看待未來行動通訊與運算市場的高階晶
0 I4 d5 r/ [+ h# x' f. b片需求，為積極掌握這一絕佳的機會，完整佈建40奈米及28奈米解決
' |( [' `( A( k方案，持續與領先客戶合作以爭取更多旗艦產品，並承諾提供充分產
' N0 r6 r$ N% s% F能，所以今年資本支出將增加到20億美元。- B {3 ] x4 w& X& U
孫世偉強調，聯電並不盲目擴充產能，此投資計畫經過審慎評估，- o: B: K1 F; L7 o `
完整考量聯電在不同階段下高階製程成熟程度，以及客戶產能需求，% `* G6 b( Z7 G) w2 |: X5 F
以現階段28奈米與客戶的合作進展及強烈需求，相信在量產技術就位5 `- r! `2 e6 c# T8 U
後將帶來豐厚的收穫。* O6 X" R$ R& N$ j
聯電預估，今年底40奈米佔營收比重將達15％，28奈米亦可達到5％
3 R; f- P' w6 i% O$ A: G2 x8 K，聯電已完成10項28奈米晶片設計定案（tape-out），其中一顆28奈
0 K7 h5 V. \- b% c米的ARM架構應用處理器已開始送樣。據了解，這顆晶片是德儀最新款
5 {/ ^& b2 i1 G( f4 _. eOMAP 5多核心應用處理器。
7 o! B- K" w2 E# i4 _ 另外，聯電也開始佈建2.5D矽中介層（Interposer）解決方案，並
3 Z2 X; ?( h' Z- y! F為客戶完成40奈米及28奈米製程矽中介層設計定案。孫世偉表示，聯* d( ^+ P% B3 E
電與封測廠將建立開放式技術平台，以提供最適切的服務，與爾必達, V3 H8 P/ L0 ?1 ?+ J/ d
及力成合作的直通矽晶穿孔（TSV）技術已有很好的成果。(新聞來源8 b- {' @- Z9 ?$ w: u% m
：工商時報─記者涂志豪／台北報導)
4 X1 L8 v# l7 f$ f+ G
2 _2 p# G; y+ l7 X% @4 q6 a
: j# _" D/ p* b2 ~. t: B2 c
8 T1 j, V* O8 A U+ ^7 b6 x |
|
發表於 2012-2-9 09:12:47
收藏
讚
發表於 2012-2-11 20:35:51