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【時報-各報要聞】晶圓代工廠聯電(2303)昨（8）日召開法說會，決
9 S3 V0 M* ?5 i1 x. x) Q( x) I定調升今年資本支出至20億美元，讓與會法人大感意外。聯電執行長+ G4 c0 v6 r" _$ O4 _1 H
孫世偉表示，因為看好行動裝置晶片需求，且為了承諾客戶提供足夠1 r) i- l" g1 I* F0 v& u. ^
的40奈米及28奈米產能，所以才決定提高今年資本支出。
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9 t* O# S. W. m, O 據了解，聯電拉高資本支出，主要原因就是獲得高通、德儀大訂單
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聯電去年原訂資本支出為18億美元，但實際支出為16億美元，其中# ~$ k/ m0 g9 J6 ?6 x2 W7 P7 x/ x
2億美元遞延到今年，聯電因獲得高通及德儀等大客戶行動裝置晶片訂
: g) o9 }1 _3 _& [8 M; V單，要建置足夠的40奈米及28奈米產能，所以今年資本支出合計將拉
' O# G4 f! R5 n8 s7 ?: N1 w高到20億美元、年增25％。
7 n% I3 [' a$ |1 { 法人表示，相較於台積電將資本支出由去年的72.86億美元，調降到
/ ~, u4 s, a8 F& S/ O' r今年60億美元，減幅約達18％，聯電在景氣不確定性仍高的此刻，逆
$ ?0 C; V4 N9 J5 n/ A. C* b勢拉高資本支出，代表聯電已成功提高行動裝置晶片的滲透率，對訂
9 e+ v' |# F. Z& e" E( F0 u單掌握度也愈來愈高。" j: v3 e: U+ c$ ?; N, `" o8 ]
孫世偉昨天表示，聯電樂觀看待未來行動通訊與運算市場的高階晶
" u8 w+ K7 F/ r片需求，為積極掌握這一絕佳的機會，完整佈建40奈米及28奈米解決
" o T& V) E8 x方案，持續與領先客戶合作以爭取更多旗艦產品，並承諾提供充分產
5 P9 E1 i3 _9 G3 ]% n0 B能，所以今年資本支出將增加到20億美元。
2 @! g: u/ w6 M# l% N# q$ b3 Y 孫世偉強調，聯電並不盲目擴充產能，此投資計畫經過審慎評估，, U c. ^1 E0 t G
完整考量聯電在不同階段下高階製程成熟程度，以及客戶產能需求，
; v- k- Y9 G) K3 B4 C1 \4 S" Q) }以現階段28奈米與客戶的合作進展及強烈需求，相信在量產技術就位
$ x4 w7 h% ^4 A- V後將帶來豐厚的收穫。
3 g8 g1 Y* O8 g6 ?- ` 聯電預估，今年底40奈米佔營收比重將達15％，28奈米亦可達到5％: c/ }" }2 f2 T
，聯電已完成10項28奈米晶片設計定案（tape-out），其中一顆28奈
, |& T9 j# ?5 ?+ G7 _% [2 `5 U( W- h米的ARM架構應用處理器已開始送樣。據了解，這顆晶片是德儀最新款
. h: T+ v5 b- GOMAP 5多核心應用處理器。# ]% S- l# ~! s4 g
另外，聯電也開始佈建2.5D矽中介層（Interposer）解決方案，並
+ Z+ d1 x* }# x6 r$ m- O" K! \為客戶完成40奈米及28奈米製程矽中介層設計定案。孫世偉表示，聯* N( W1 L4 e" M( w: d
電與封測廠將建立開放式技術平台，以提供最適切的服務，與爾必達
# d/ S" J% ^+ a+ S8 R- [及力成合作的直通矽晶穿孔（TSV）技術已有很好的成果。(新聞來源1 l+ B& e) J$ g5 t4 u9 `! `0 a8 m: t
：工商時報─記者涂志豪／台北報導)
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發表於 2012-2-9 09:12:47
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發表於 2012-2-11 20:35:51