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【時報-各報要聞】晶圓代工廠聯電(2303)昨（8）日召開法說會，決
9 Q m, F) O/ Y' k4 Y0 u定調升今年資本支出至20億美元，讓與會法人大感意外。聯電執行長7 A' A i( e7 Z0 y9 e) M+ u- ?
孫世偉表示，因為看好行動裝置晶片需求，且為了承諾客戶提供足夠4 p$ n# ]) Y6 c" R
的40奈米及28奈米產能，所以才決定提高今年資本支出。
4 m! x" O. ^( _5 h3 `( J: l! j$ F& d& k4 Q, N
據了解，聯電拉高資本支出，主要原因就是獲得高通、德儀大訂單' G6 g# n `( N% b5 L- H
。
, H8 i8 O3 _8 ]5 T' T 聯電去年原訂資本支出為18億美元，但實際支出為16億美元，其中, ^/ t6 n: d6 b6 U& b# Q
2億美元遞延到今年，聯電因獲得高通及德儀等大客戶行動裝置晶片訂/ O' \" D" F: e0 j- i* V
單，要建置足夠的40奈米及28奈米產能，所以今年資本支出合計將拉
5 ]8 r1 L$ y) M( T/ v6 [高到20億美元、年增25％。
! }5 d2 N9 z8 o$ S2 R. t 法人表示，相較於台積電將資本支出由去年的72.86億美元，調降到8 A, \3 J+ A4 g- G3 f+ U4 O9 b6 F
今年60億美元，減幅約達18％，聯電在景氣不確定性仍高的此刻，逆2 f# f5 \9 y0 o
勢拉高資本支出，代表聯電已成功提高行動裝置晶片的滲透率，對訂7 }% A4 T1 S+ f
單掌握度也愈來愈高。& P1 g( @2 b$ `3 d8 |
孫世偉昨天表示，聯電樂觀看待未來行動通訊與運算市場的高階晶; n; z: F3 V b3 W1 o6 _# R& j
片需求，為積極掌握這一絕佳的機會，完整佈建40奈米及28奈米解決) ^) T! z% O4 f+ ]: o( S/ a
方案，持續與領先客戶合作以爭取更多旗艦產品，並承諾提供充分產2 S3 T% o" a1 T4 i% V+ N! p( e
能，所以今年資本支出將增加到20億美元。5 V: q4 {6 D3 c* j$ _
孫世偉強調，聯電並不盲目擴充產能，此投資計畫經過審慎評估，
: }# Q+ U5 H2 f& P3 S+ c5 o& l完整考量聯電在不同階段下高階製程成熟程度，以及客戶產能需求，4 Y2 |- M9 O9 Y9 j
以現階段28奈米與客戶的合作進展及強烈需求，相信在量產技術就位# U+ t' @ U/ W" i3 u7 I0 @
後將帶來豐厚的收穫。( v4 I/ Y' k4 D. d
聯電預估，今年底40奈米佔營收比重將達15％，28奈米亦可達到5％
& D8 X. q1 _1 v2 D- h: U0 O( R，聯電已完成10項28奈米晶片設計定案（tape-out），其中一顆28奈$ q% ~- {! C, p
米的ARM架構應用處理器已開始送樣。據了解，這顆晶片是德儀最新款
+ u. v( E7 O* zOMAP 5多核心應用處理器。/ r2 U! Y1 F. `0 Z! j4 Y
另外，聯電也開始佈建2.5D矽中介層（Interposer）解決方案，並
7 M! ], e* @% a+ W為客戶完成40奈米及28奈米製程矽中介層設計定案。孫世偉表示，聯: t4 J* S, X2 @7 n; V) c& I
電與封測廠將建立開放式技術平台，以提供最適切的服務，與爾必達
9 b/ ~& N* ]& p) q及力成合作的直通矽晶穿孔（TSV）技術已有很好的成果。(新聞來源: E9 y& ^0 \; O3 j8 j
：工商時報─記者涂志豪／台北報導)
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發表於 2012-2-9 09:12:47
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