- UID
- 4355
- 閱讀權限
- 45
- 精華
- 0
- 威望
- 3
- 貢獻
- 3897
- 活力
- 11257
- 金幣
- 44043
- 日誌
- 9
- 記錄
- 37
- 最後登入
- 2017-12-9
- 社區
- 臺灣
- 文章
- 9422
- 在線時間
- 1428 小時
|
【時報-各報要聞】晶圓代工廠聯電(2303)昨（8）日召開法說會，決
2 J$ L. t/ F: X; V m定調升今年資本支出至20億美元，讓與會法人大感意外。聯電執行長* {4 _* }5 G9 z8 s
孫世偉表示，因為看好行動裝置晶片需求，且為了承諾客戶提供足夠
, Y* }/ Z0 F7 p- T5 J- [的40奈米及28奈米產能，所以才決定提高今年資本支出。
- u% P8 T5 @, V: l2 V+ ~' C' q q5 h* z, Q+ N+ k) \
據了解，聯電拉高資本支出，主要原因就是獲得高通、德儀大訂單% h) _; G1 r0 n& x* Z
。
6 j r ~: P. d; k5 q- H$ K m 聯電去年原訂資本支出為18億美元，但實際支出為16億美元，其中
: l% P% y Q+ j3 x3 U$ p0 N3 c2億美元遞延到今年，聯電因獲得高通及德儀等大客戶行動裝置晶片訂' k: F& u. P/ e9 \4 W: n3 e
單，要建置足夠的40奈米及28奈米產能，所以今年資本支出合計將拉
t, w! u9 E- a0 N高到20億美元、年增25％。, w& I; L) r5 E0 M& q9 v" a1 D
法人表示，相較於台積電將資本支出由去年的72.86億美元，調降到
/ T @( Z) }8 k! A; f今年60億美元，減幅約達18％，聯電在景氣不確定性仍高的此刻，逆/ e* j, z, c" z4 D, a
勢拉高資本支出，代表聯電已成功提高行動裝置晶片的滲透率，對訂- W! D7 `# V& K; v1 n n
單掌握度也愈來愈高。
) P$ l- i- N7 ~9 a u4 X5 J: [ 孫世偉昨天表示，聯電樂觀看待未來行動通訊與運算市場的高階晶
. d" \$ Q5 H, I& ?4 v片需求，為積極掌握這一絕佳的機會，完整佈建40奈米及28奈米解決' h. w0 ^' Z, d B! h R, g
方案，持續與領先客戶合作以爭取更多旗艦產品，並承諾提供充分產2 s& u3 O# X8 n2 M2 g
能，所以今年資本支出將增加到20億美元。6 N+ c1 D7 q8 f5 o
孫世偉強調，聯電並不盲目擴充產能，此投資計畫經過審慎評估，
3 F0 K* O5 x3 v/ K3 d完整考量聯電在不同階段下高階製程成熟程度，以及客戶產能需求，
8 H1 F" {3 K4 y# C( R/ @以現階段28奈米與客戶的合作進展及強烈需求，相信在量產技術就位
, Y1 ~2 x+ \, @後將帶來豐厚的收穫。
# n, Q& l3 ~( t3 C% b- L 聯電預估，今年底40奈米佔營收比重將達15％，28奈米亦可達到5％
4 o' y, }' z4 }' ` Z，聯電已完成10項28奈米晶片設計定案（tape-out），其中一顆28奈0 ~9 Z3 X; W1 ]
米的ARM架構應用處理器已開始送樣。據了解，這顆晶片是德儀最新款+ H' U. w/ c3 W/ O+ s
OMAP 5多核心應用處理器。
& C& K' q3 L3 C; f 另外，聯電也開始佈建2.5D矽中介層（Interposer）解決方案，並6 h ?. |7 I& J' r5 ~8 H$ l
為客戶完成40奈米及28奈米製程矽中介層設計定案。孫世偉表示，聯
3 Q$ ~; J7 P9 X" N電與封測廠將建立開放式技術平台，以提供最適切的服務，與爾必達
! m8 L* T9 b7 ~, H. ~及力成合作的直通矽晶穿孔（TSV）技術已有很好的成果。(新聞來源
# J, t" `5 E: n9 t：工商時報─記者涂志豪／台北報導)
; m8 S: b6 m7 @5 k
* L1 A# C" k7 Q3 p0 Y( L# }5 D$ G
3 X. j6 x a( j5 o' C6 d M1 J7 n0 x7 G3 @: |$ f
|
|
發表於 2012-2-9 09:12:47
收藏
讚
發表於 2012-2-11 20:35:51