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【時報-各報要聞】晶圓代工廠聯電(2303)昨（8）日召開法說會，決8 O5 \# }" v; n7 L& y
定調升今年資本支出至20億美元，讓與會法人大感意外。聯電執行長' h. s4 C8 P; ^5 {" s! X4 |
孫世偉表示，因為看好行動裝置晶片需求，且為了承諾客戶提供足夠
% a ^4 }$ V$ h2 \的40奈米及28奈米產能，所以才決定提高今年資本支出。
: p" P+ m ~% f) M Q0 L8 l6 h
- E# t1 D+ [% e7 ~7 d R2 q 據了解，聯電拉高資本支出，主要原因就是獲得高通、德儀大訂單% Z$ p# e; R( T# W {, l; Y
。
5 h6 G- v$ P) e1 X 聯電去年原訂資本支出為18億美元，但實際支出為16億美元，其中$ l; S. n0 J3 a& |" q2 G
2億美元遞延到今年，聯電因獲得高通及德儀等大客戶行動裝置晶片訂
( Q% W0 n O# a z( @' K單，要建置足夠的40奈米及28奈米產能，所以今年資本支出合計將拉
, g) X. b) Z$ m& I4 x% r% M/ n高到20億美元、年增25％。
, Z& `: |; E% E; A$ [- A8 S 法人表示，相較於台積電將資本支出由去年的72.86億美元，調降到
( m5 x+ A4 P& X( _1 r$ R" v0 z7 P今年60億美元，減幅約達18％，聯電在景氣不確定性仍高的此刻，逆$ S# n8 O. s4 ~
勢拉高資本支出，代表聯電已成功提高行動裝置晶片的滲透率，對訂
- h r. R! v6 D單掌握度也愈來愈高。1 p( z! q3 O1 U5 K2 x
孫世偉昨天表示，聯電樂觀看待未來行動通訊與運算市場的高階晶
, o1 r2 U! z6 j2 j) r, X片需求，為積極掌握這一絕佳的機會，完整佈建40奈米及28奈米解決7 C6 p7 q: X- \) f! J
方案，持續與領先客戶合作以爭取更多旗艦產品，並承諾提供充分產 q; s# `$ n7 O6 A. g: z/ A
能，所以今年資本支出將增加到20億美元。+ J$ n4 ^% v3 o5 S
孫世偉強調，聯電並不盲目擴充產能，此投資計畫經過審慎評估，0 |* Q; e. J" A& c z
完整考量聯電在不同階段下高階製程成熟程度，以及客戶產能需求，
8 @9 l* O! @5 G- S" ~# a以現階段28奈米與客戶的合作進展及強烈需求，相信在量產技術就位
" F" w$ \& ~3 x! w0 x後將帶來豐厚的收穫。
# Y# h, s: W) @4 S7 A$ e: \6 D0 E0 s 聯電預估，今年底40奈米佔營收比重將達15％，28奈米亦可達到5％
# ^( v4 |. W" k，聯電已完成10項28奈米晶片設計定案（tape-out），其中一顆28奈
$ g; _6 W+ v0 c米的ARM架構應用處理器已開始送樣。據了解，這顆晶片是德儀最新款
h0 G( _" _' [ i& v$ S- |OMAP 5多核心應用處理器。7 I* R2 n* h* D1 p1 N
另外，聯電也開始佈建2.5D矽中介層（Interposer）解決方案，並
' [# E7 |; S& z+ m" r2 ?+ O8 }為客戶完成40奈米及28奈米製程矽中介層設計定案。孫世偉表示，聯
2 g* |+ l: E G; }5 a" V; y電與封測廠將建立開放式技術平台，以提供最適切的服務，與爾必達, J5 v/ {1 s- X3 ?( K* w8 b) N
及力成合作的直通矽晶穿孔（TSV）技術已有很好的成果。(新聞來源
& o) U' J; Z2 d9 U$ K+ I: B" `：工商時報─記者涂志豪／台北報導)8 V1 R8 V" _" A4 P
5 @. m' m) I6 \5 O( _/ s, p/ A
5 E/ E# }$ h: t$ o! H* A2 Y, V$ F0 e) B+ L
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發表於 2012-2-9 09:12:47
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發表於 2012-2-11 20:35:51