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【時報-各報要聞】晶圓代工廠聯電(2303)昨（8）日召開法說會，決% s, C- s9 E b% b3 s7 s; |
定調升今年資本支出至20億美元，讓與會法人大感意外。聯電執行長( J/ U* Q0 M" N7 ]4 e" N4 \
孫世偉表示，因為看好行動裝置晶片需求，且為了承諾客戶提供足夠
% c9 W& _' e- ?& u/ e的40奈米及28奈米產能，所以才決定提高今年資本支出。
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據了解，聯電拉高資本支出，主要原因就是獲得高通、德儀大訂單
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* \+ T! [* Q$ S& c: ?4 t& a6 k 聯電去年原訂資本支出為18億美元，但實際支出為16億美元，其中
, U) n9 j; j \3 t2億美元遞延到今年，聯電因獲得高通及德儀等大客戶行動裝置晶片訂$ I$ r- f% Z0 F5 f2 p" A( S& Q8 N7 X
單，要建置足夠的40奈米及28奈米產能，所以今年資本支出合計將拉% N; H" W7 _$ g: x: w6 B% Q
高到20億美元、年增25％。& F, z/ O' M* h9 }/ z- j; Z# W+ E6 Y$ |
法人表示，相較於台積電將資本支出由去年的72.86億美元，調降到& q+ ]) c3 a8 j- M- q* x2 p
今年60億美元，減幅約達18％，聯電在景氣不確定性仍高的此刻，逆
( Q% t6 o- n( Q: G( ~. C: W0 S2 j勢拉高資本支出，代表聯電已成功提高行動裝置晶片的滲透率，對訂- I; V" v: t2 ]! F$ A
單掌握度也愈來愈高。
5 @: }3 Y5 T$ o) U1 Q' ?3 `3 H, _ y 孫世偉昨天表示，聯電樂觀看待未來行動通訊與運算市場的高階晶6 T- H2 [/ K2 F
片需求，為積極掌握這一絕佳的機會，完整佈建40奈米及28奈米解決
; \9 }. \1 [* F& W; A方案，持續與領先客戶合作以爭取更多旗艦產品，並承諾提供充分產
9 H0 R& N, u- x6 a能，所以今年資本支出將增加到20億美元。3 R1 [4 [7 h5 }$ h
孫世偉強調，聯電並不盲目擴充產能，此投資計畫經過審慎評估，* ?. J" Q5 v% K/ m
完整考量聯電在不同階段下高階製程成熟程度，以及客戶產能需求，
7 S# w( i% J. W4 _以現階段28奈米與客戶的合作進展及強烈需求，相信在量產技術就位; S; d7 P9 V0 O/ O2 c/ v2 m* n
後將帶來豐厚的收穫。: ~. m4 d! L0 J4 y3 Q/ ]
聯電預估，今年底40奈米佔營收比重將達15％，28奈米亦可達到5％8 ~) h! c, S; h8 g1 I
，聯電已完成10項28奈米晶片設計定案（tape-out），其中一顆28奈
* M% e S3 h K" ? G/ M米的ARM架構應用處理器已開始送樣。據了解，這顆晶片是德儀最新款( l- M9 J. r9 W" Q2 C% S
OMAP 5多核心應用處理器。
1 A* ]" Q4 v+ a 另外，聯電也開始佈建2.5D矽中介層（Interposer）解決方案，並
7 S* S" z/ w, t為客戶完成40奈米及28奈米製程矽中介層設計定案。孫世偉表示，聯
; w- ~' J$ O0 {電與封測廠將建立開放式技術平台，以提供最適切的服務，與爾必達
6 [# G! Q) p/ q# Z7 _' N) k7 v- _及力成合作的直通矽晶穿孔（TSV）技術已有很好的成果。(新聞來源
+ k% ^& h7 Q6 J' x：工商時報─記者涂志豪／台北報導)
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發表於 2012-2-9 09:12:47
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發表於 2012-2-11 20:35:51