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[趨勢看法區] 高通下單,聯電拉高資本支出

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發表於 2012-2-9 09:12:47 |只看該作者 |新文章置後
【時報-各報要聞】晶圓代工廠聯電(2303)昨(8)日召開法說會,決8 O5 \# }" v; n7 L& y
定調升今年資本支出至20億美元,讓與會法人大感意外。聯電執行長' h. s4 C8 P; ^5 {" s! X4 |
孫世偉表示,因為看好行動裝置晶片需求,且為了承諾客戶提供足夠
% a  ^4 }$ V$ h2 \的40奈米及28奈米產能,所以才決定提高今年資本支出。
: p" P+ m  ~% f) M  Q0 L8 l6 h
- E# t1 D+ [% e7 ~7 d  R2 q 據了解,聯電拉高資本支出,主要原因就是獲得高通、德儀大訂單% Z$ p# e; R( T# W  {, l; Y

5 h6 G- v$ P) e1 X 聯電去年原訂資本支出為18億美元,但實際支出為16億美元,其中$ l; S. n0 J3 a& |" q2 G
2億美元遞延到今年,聯電因獲得高通及德儀等大客戶行動裝置晶片訂
( Q% W0 n  O# a  z( @' K單,要建置足夠的40奈米及28奈米產能,所以今年資本支出合計將拉
, g) X. b) Z$ m& I4 x% r% M/ n高到20億美元、年增25%。
, Z& `: |; E% E; A$ [- A8 S 法人表示,相較於台積電將資本支出由去年的72.86億美元,調降到
( m5 x+ A4 P& X( _1 r$ R" v0 z7 P今年60億美元,減幅約達18%,聯電在景氣不確定性仍高的此刻,逆$ S# n8 O. s4 ~
勢拉高資本支出,代表聯電已成功提高行動裝置晶片的滲透率,對訂
- h  r. R! v6 D單掌握度也愈來愈高。1 p( z! q3 O1 U5 K2 x
 孫世偉昨天表示,聯電樂觀看待未來行動通訊與運算市場的高階晶
, o1 r2 U! z6 j2 j) r, X片需求,為積極掌握這一絕佳的機會,完整佈建40奈米及28奈米解決7 C6 p7 q: X- \) f! J
方案,持續與領先客戶合作以爭取更多旗艦產品,並承諾提供充分產  q; s# `$ n7 O6 A. g: z/ A
能,所以今年資本支出將增加到20億美元。+ J$ n4 ^% v3 o5 S
 孫世偉強調,聯電並不盲目擴充產能,此投資計畫經過審慎評估,0 |* Q; e. J" A& c  z
完整考量聯電在不同階段下高階製程成熟程度,以及客戶產能需求,
8 @9 l* O! @5 G- S" ~# a以現階段28奈米與客戶的合作進展及強烈需求,相信在量產技術就位
" F" w$ \& ~3 x! w0 x後將帶來豐厚的收穫。
# Y# h, s: W) @4 S7 A$ e: \6 D0 E0 s 聯電預估,今年底40奈米佔營收比重將達15%,28奈米亦可達到5%
# ^( v4 |. W" k,聯電已完成10項28奈米晶片設計定案(tape-out),其中一顆28奈
$ g; _6 W+ v0 c米的ARM架構應用處理器已開始送樣。據了解,這顆晶片是德儀最新款
  h0 G( _" _' [  i& v$ S- |OMAP 5多核心應用處理器。7 I* R2 n* h* D1 p1 N
 另外,聯電也開始佈建2.5D矽中介層(Interposer)解決方案,並
' [# E7 |; S& z+ m" r2 ?+ O8 }為客戶完成40奈米及28奈米製程矽中介層設計定案。孫世偉表示,聯
2 g* |+ l: E  G; }5 a" V; y電與封測廠將建立開放式技術平台,以提供最適切的服務,與爾必達, J5 v/ {1 s- X3 ?( K* w8 b) N
及力成合作的直通矽晶穿孔(TSV)技術已有很好的成果。(新聞來源
& o) U' J; Z2 d9 U$ K+ I: B" `:工商時報─記者涂志豪/台北報導)8 V1 R8 V" _" A4 P
5 @. m' m) I6 \5 O( _/ s, p/ A

5 E/ E# }$ h: t$ o! H* A2 Y, V$ F0 e) B+ L
在股票及期貨市場,散戶投資人成功的不二法門不外乎兩種,一是非常幸運;一是非常自律

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發表於 2012-2-10 07:37:14 |只看該作者
因為看好行動裝置晶片需求,且為了承諾客戶提供足夠2 G3 y) O4 G( E/ ~
的40奈米及28奈米產能,所以才決定提高今年資本支出。
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發表於 2012-2-11 20:35:51 |只看該作者
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