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【時報-台北電】韓國官方昨（4）日表示，已經批准三星在中國建造& }5 r! c& R, C, I
一座NAND快閃記憶體晶片廠，投資規模約為40億美元，不但將採用20: D$ E) J& Z6 i$ a- |; M8 _
奈米以下的先進製程技術，也是三星在海外所建立的第2座快閃記憶體
3 J. c, L9 \5 j0 s$ ]工廠，反映出中國市場的地位日益重要。0 N2 Y' H7 H& N; ]+ T
韓國官方指出，三星尚未決定廠址，但將在今年內動工興建，預- g/ c; y, \' {4 z8 D
計在2013年底前完工營運，投產後的月產能將達到10萬片的規模。
0 j! i/ _9 B6 J( f& A3 j2 k6 c 半導體業內人士指出，三星很可能會將新廠設在蘇州，因為蘇州
' u( _8 L h4 T5 ?是三星在韓國本土以外最大的記憶體生產基地，而且三星在當地擁有5 t+ \8 f0 g" X" ?. R( X
完整的產業鏈，包含電腦組裝、測廠、面板等，可以產生群聚效應。
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6 Y, G5 ]- c8 M7 ]9 R% d; [ 三星的7.5代面板廠就位在蘇州，去年5月才正式動工興建，也是 S/ Q* \: Y' ?2 e% c$ R- T
第一家獲得中國政府核准建造的外資高世代面板廠，當初市場上即盛
$ ~6 T! G9 B8 s( U傳三星取得中方批准的條件之一，就是要在中國投資建造一座快閃記' ]2 }' B' A( Q( j, |! {; y n
憶體廠。& C* I/ _0 s' \; m0 {4 g
三星是目前全球最大的NAND快閃記憶體製造廠，市占率超過40％
8 X; F- A' @4 M% E，並擁有最先進的製程，而韓國官方為了避免技術外洩，對於高科技0 X+ w p6 ?# s
企業海外設廠都採取審查制度，三星本身也將成立一個專門委員會對3 q& G% k: q& v, Q
於技術嚴格把關。
$ u- j% f+ Q2 p% B4 s) T* z. h 據悉，這次三星新廠採用的20奈米是目前業界的最新製程技術，
! {1 l" |& r- \; O0 ^英特爾與美光合資的IMFT在上個月宣布啟動128GB的20奈米技術量產計
2 ~* m0 \ w* L6 A! ]畫。$ G3 v2 o3 q0 o5 Y' r! E
韓國友利投資證券公司的分析師認為，在中國消費電子市場正日
5 X# n; t+ n/ Z' Z4 @/ J漸蓬勃的情況下，三星這筆投資來得即時，而且NAND快閃記憶體的利# T/ C9 T8 C6 j; O( \
潤依舊很高，未來市場需求將會隨著智慧手機與平板電腦的普及而逐
- l/ J0 _- i0 r! a( K' T/ j& E漸上升。 (新聞來源：工商時報─記者林殿唯／綜合報導)
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發表於 2012-1-5 09:04:02
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