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【時報-台北電】韓國官方昨(4)日表示,已經批准三星在中國建造
+ D9 `; x( v9 j$ P' r9 _- J一座NAND快閃記憶體晶片廠,投資規模約為40億美元,不但將採用20% ?7 H- t) I: `8 b8 w/ {9 a- J
奈米以下的先進製程技術,也是三星在海外所建立的第2座快閃記憶體
; }' }4 h' m2 t h7 P! U工廠,反映出中國市場的地位日益重要。
; J# g* ~3 ^( y+ U% h 韓國官方指出,三星尚未決定廠址,但將在今年內動工興建,預& u% k) o1 z& ]# D4 d9 { \
計在2013年底前完工營運,投產後的月產能將達到10萬片的規模。& a" l& L, ?1 @! f" V2 u
半導體業內人士指出,三星很可能會將新廠設在蘇州,因為蘇州1 F; N7 J( t7 Y( h' C
是三星在韓國本土以外最大的記憶體生產基地,而且三星在當地擁有: \1 R7 b6 o- P. R
完整的產業鏈,包含電腦組裝、測廠、面板等,可以產生群聚效應。" h# m' }7 ]6 m+ z/ P
- ?" f0 a/ r: B- Q: s& p 三星的7.5代面板廠就位在蘇州,去年5月才正式動工興建,也是
, s% q( k- E2 `! F' c: f1 r; f第一家獲得中國政府核准建造的外資高世代面板廠,當初市場上即盛* T, M" m$ ]0 I3 Y# ]# I
傳三星取得中方批准的條件之一,就是要在中國投資建造一座快閃記" I* O( L# {2 r% f
憶體廠。 d4 |' ^5 q- I# s
三星是目前全球最大的NAND快閃記憶體製造廠,市占率超過40%
+ @, |( w! J6 P,並擁有最先進的製程,而韓國官方為了避免技術外洩,對於高科技
# y5 a( {1 w' b H8 u: n& @企業海外設廠都採取審查制度,三星本身也將成立一個專門委員會對% j+ o' ~8 w; K8 Y' W( a; D
於技術嚴格把關。
! Y% B! N- G0 T" v+ J; \# z% R& Z 據悉,這次三星新廠採用的20奈米是目前業界的最新製程技術,
( x O0 {* o6 d! w/ ^英特爾與美光合資的IMFT在上個月宣布啟動128GB的20奈米技術量產計9 h( i: H/ o Q; ^8 a5 v" V
畫。# z/ m! u: M3 t, \4 g3 {' F$ W# `+ N
韓國友利投資證券公司的分析師認為,在中國消費電子市場正日 f% h8 ~/ C; _1 R! r$ r/ V' n- K
漸蓬勃的情況下,三星這筆投資來得即時,而且NAND快閃記憶體的利9 D, _* @0 p" o
潤依舊很高,未來市場需求將會隨著智慧手機與平板電腦的普及而逐
4 P1 N3 i, I5 t. v) C$ [" ~漸上升。 (新聞來源:工商時報─記者林殿唯/綜合報導)9 p2 t4 h6 U( r* [4 G$ T
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