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【時報-台北電】韓國官方昨（4）日表示，已經批准三星在中國建造) j7 M- n8 C* y( g
一座NAND快閃記憶體晶片廠，投資規模約為40億美元，不但將採用20
" ~/ q3 F" v7 j# G奈米以下的先進製程技術，也是三星在海外所建立的第2座快閃記憶體$ j' u* v/ h9 R3 X: E, ~
工廠，反映出中國市場的地位日益重要。' K6 F! s! A* V6 }9 F" u
韓國官方指出，三星尚未決定廠址，但將在今年內動工興建，預 y- U. Y" ~& F# u
計在2013年底前完工營運，投產後的月產能將達到10萬片的規模。
% V) [" \9 F3 J" l 半導體業內人士指出，三星很可能會將新廠設在蘇州，因為蘇州9 s& {8 Y3 o: e! Y4 R1 ~+ C
是三星在韓國本土以外最大的記憶體生產基地，而且三星在當地擁有4 s# ?* l8 u8 @' h" y. _) q
完整的產業鏈，包含電腦組裝、測廠、面板等，可以產生群聚效應。
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9 C% {: e" \4 ^" m9 h/ H 三星的7.5代面板廠就位在蘇州，去年5月才正式動工興建，也是' ]2 u8 T/ G7 u t2 f
第一家獲得中國政府核准建造的外資高世代面板廠，當初市場上即盛( E+ o* U+ _( w+ D+ n- x* z( O
傳三星取得中方批准的條件之一，就是要在中國投資建造一座快閃記
& r# J! [! M% r6 b憶體廠。" H7 G4 l1 d. m7 l- E
三星是目前全球最大的NAND快閃記憶體製造廠，市占率超過40％
' ]; j3 Z, C; g) I% ?. q, f，並擁有最先進的製程，而韓國官方為了避免技術外洩，對於高科技- W5 C/ u7 P3 @2 t+ k
企業海外設廠都採取審查制度，三星本身也將成立一個專門委員會對: O: t+ |9 w: r: e6 t6 F
於技術嚴格把關。! Y6 E. c+ y+ `
據悉，這次三星新廠採用的20奈米是目前業界的最新製程技術，
7 I% ?3 Q$ g5 e s0 B英特爾與美光合資的IMFT在上個月宣布啟動128GB的20奈米技術量產計
2 f+ C7 i- [. _2 w+ P, S畫。
0 b- _: v- u1 K' Q+ s# o 韓國友利投資證券公司的分析師認為，在中國消費電子市場正日0 o- P: K: f2 r' [7 Z- l5 v( v
漸蓬勃的情況下，三星這筆投資來得即時，而且NAND快閃記憶體的利# W. Y0 a5 b- M* d( E+ u1 V V2 u
潤依舊很高，未來市場需求將會隨著智慧手機與平板電腦的普及而逐
8 g4 T) }# g6 `( T漸上升。 (新聞來源：工商時報─記者林殿唯／綜合報導)2 [1 v/ ]4 c* O9 \5 Z
6 p% r$ h; I/ d6 V9 u4 d: o+ ?/ t" M" i; {/ \5 s$ Q# K5 q3 }
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發表於 2012-1-5 09:04:02
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