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【時報-台北電】韓國官方昨（4）日表示，已經批准三星在中國建造; {4 V7 O1 T# E5 C; c( V. F. N7 D
一座NAND快閃記憶體晶片廠，投資規模約為40億美元，不但將採用20
0 D, Q9 }" m, S% p) J& F6 u奈米以下的先進製程技術，也是三星在海外所建立的第2座快閃記憶體8 g; o4 V8 t6 P1 u" q4 h6 u( ~
工廠，反映出中國市場的地位日益重要。2 ~+ m& d$ B# Q1 x
韓國官方指出，三星尚未決定廠址，但將在今年內動工興建，預
. W! z- l3 W: p! h計在2013年底前完工營運，投產後的月產能將達到10萬片的規模。5 z( C0 L0 o9 S' H- }
半導體業內人士指出，三星很可能會將新廠設在蘇州，因為蘇州9 ]1 q* m& u: H! F
是三星在韓國本土以外最大的記憶體生產基地，而且三星在當地擁有
/ z8 D. J7 {' q) G i完整的產業鏈，包含電腦組裝、測廠、面板等，可以產生群聚效應。8 [8 q" k- ^3 D
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三星的7.5代面板廠就位在蘇州，去年5月才正式動工興建，也是* m7 w2 ~1 D) L% h* r" ?2 T
第一家獲得中國政府核准建造的外資高世代面板廠，當初市場上即盛
4 M" F9 u8 W" ]傳三星取得中方批准的條件之一，就是要在中國投資建造一座快閃記
* T) `& |; [5 Q) E: W) L! z$ I憶體廠。) ]% u6 W# Z5 O$ M' {! e/ }
三星是目前全球最大的NAND快閃記憶體製造廠，市占率超過40％
5 X0 g: W9 f. h，並擁有最先進的製程，而韓國官方為了避免技術外洩，對於高科技2 q6 s! Z, Q/ v1 \3 _4 ]
企業海外設廠都採取審查制度，三星本身也將成立一個專門委員會對
; V& D- ^* [/ C/ q0 H1 F! b於技術嚴格把關。
6 y1 V) M0 H2 z+ ~( Z7 R0 l 據悉，這次三星新廠採用的20奈米是目前業界的最新製程技術，
. q2 g( w' N! j6 Q英特爾與美光合資的IMFT在上個月宣布啟動128GB的20奈米技術量產計3 a+ w& j2 ]+ o# `
畫。* I& ^4 m$ m% x. D5 L
韓國友利投資證券公司的分析師認為，在中國消費電子市場正日
x* O' U L2 o3 ^' u2 P: X漸蓬勃的情況下，三星這筆投資來得即時，而且NAND快閃記憶體的利% H0 j+ K7 S& k
潤依舊很高，未來市場需求將會隨著智慧手機與平板電腦的普及而逐7 S. z1 m! Q) Q/ v6 c- a) s& v
漸上升。 (新聞來源：工商時報─記者林殿唯／綜合報導)
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發表於 2012-1-5 09:04:02
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