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【時報-台北電】韓國官方昨（4）日表示，已經批准三星在中國建造
. t: Z, Z1 v% b8 W* [2 m一座NAND快閃記憶體晶片廠，投資規模約為40億美元，不但將採用20# b& p& J% `0 p1 n4 h
奈米以下的先進製程技術，也是三星在海外所建立的第2座快閃記憶體
$ }5 ^8 @1 Y- J# q H* e工廠，反映出中國市場的地位日益重要。% M5 ` P' p q+ R3 P
韓國官方指出，三星尚未決定廠址，但將在今年內動工興建，預
0 {! m# v+ Q D& [' g( S計在2013年底前完工營運，投產後的月產能將達到10萬片的規模。
2 U4 t7 B# h! W) O. @, k( C: [7 Y 半導體業內人士指出，三星很可能會將新廠設在蘇州，因為蘇州
W0 `# Y9 s$ t, K是三星在韓國本土以外最大的記憶體生產基地，而且三星在當地擁有2 K: h# F' b7 _( d2 X$ t
完整的產業鏈，包含電腦組裝、測廠、面板等，可以產生群聚效應。- L3 I9 N) Y. D) _
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三星的7.5代面板廠就位在蘇州，去年5月才正式動工興建，也是
9 v+ y; M, U$ ^第一家獲得中國政府核准建造的外資高世代面板廠，當初市場上即盛
+ @" ^1 z/ y) o9 |% l: h傳三星取得中方批准的條件之一，就是要在中國投資建造一座快閃記
" k1 L- e. u: I8 b8 z+ l, B憶體廠。
6 O% f L8 Z4 j6 S. z- a8 i5 h 三星是目前全球最大的NAND快閃記憶體製造廠，市占率超過40％
$ Z; d) _0 D' m/ `: Q- s，並擁有最先進的製程，而韓國官方為了避免技術外洩，對於高科技
, p1 U7 e' X# {1 z( V) f s8 ~企業海外設廠都採取審查制度，三星本身也將成立一個專門委員會對4 l9 k7 g, m1 D) E" Y
於技術嚴格把關。
q: [0 J% }, }) I2 V 據悉，這次三星新廠採用的20奈米是目前業界的最新製程技術，3 u) F! n; ]: p1 Z, t2 P
英特爾與美光合資的IMFT在上個月宣布啟動128GB的20奈米技術量產計
. |1 U( Q- B; a+ J* _畫。2 N& }( h* G5 |) x& b$ p
韓國友利投資證券公司的分析師認為，在中國消費電子市場正日 P" w8 e( i4 L! p2 k& Q% y
漸蓬勃的情況下，三星這筆投資來得即時，而且NAND快閃記憶體的利
9 M6 E) Y& M* ?: H潤依舊很高，未來市場需求將會隨著智慧手機與平板電腦的普及而逐- K6 | X9 }6 f9 b6 ^/ X' A# h' w
漸上升。 (新聞來源：工商時報─記者林殿唯／綜合報導)
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發表於 2012-1-5 09:04:02
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