- UID
- 4355
- 閱讀權限
- 45
- 精華
- 0
- 威望
- 3
- 貢獻
- 3897
- 活力
- 11257
- 金幣
- 44043
- 日誌
- 9
- 記錄
- 37
- 最後登入
- 2017-12-9
- 社區
- 臺灣
- 文章
- 9422
- 在線時間
- 1428 小時
|
【時報-台北電】韓國官方昨（4）日表示，已經批准三星在中國建造0 y0 n% g$ n3 }; j8 ]
一座NAND快閃記憶體晶片廠，投資規模約為40億美元，不但將採用20+ \: b* r% |% d* C. m, u, c
奈米以下的先進製程技術，也是三星在海外所建立的第2座快閃記憶體# } u1 D& a3 Q& T. @
工廠，反映出中國市場的地位日益重要。/ [; ?2 q9 ?& }7 ?8 C3 I& X) ]$ \
韓國官方指出，三星尚未決定廠址，但將在今年內動工興建，預
2 a. v, w" E' U* _2 P" ]% N7 _計在2013年底前完工營運，投產後的月產能將達到10萬片的規模。 j" J1 [2 U, c6 v) a3 g) h
半導體業內人士指出，三星很可能會將新廠設在蘇州，因為蘇州
# _" ~" V I" U4 ~ T5 `: \. |是三星在韓國本土以外最大的記憶體生產基地，而且三星在當地擁有* i2 y5 {! Y& C/ Z b8 G
完整的產業鏈，包含電腦組裝、測廠、面板等，可以產生群聚效應。0 w! w) B" _1 w; ~* f! t( a
- i9 Q) z0 }2 @( g$ l
三星的7.5代面板廠就位在蘇州，去年5月才正式動工興建，也是0 C3 ?' t3 [6 ~) Y
第一家獲得中國政府核准建造的外資高世代面板廠，當初市場上即盛
$ C) N) i% U8 u2 ?3 {傳三星取得中方批准的條件之一，就是要在中國投資建造一座快閃記* A* t9 n! t/ h2 D9 ~- L5 a" E' f
憶體廠。
: Z3 `9 x: K- p/ k- K1 h; K 三星是目前全球最大的NAND快閃記憶體製造廠，市占率超過40％
% N: l7 M' ?; M$ Z5 Q% |，並擁有最先進的製程，而韓國官方為了避免技術外洩，對於高科技
3 ?8 G8 d6 y* S$ V8 v9 M* R企業海外設廠都採取審查制度，三星本身也將成立一個專門委員會對7 z8 ]1 ]" ]8 H8 J$ a m
於技術嚴格把關。- U9 \, _7 n+ r$ V, o; V
據悉，這次三星新廠採用的20奈米是目前業界的最新製程技術，
) _8 [5 V' {4 M英特爾與美光合資的IMFT在上個月宣布啟動128GB的20奈米技術量產計$ C, O! k& [; M U% _
畫。+ c% H/ J- W) {6 a3 V
韓國友利投資證券公司的分析師認為，在中國消費電子市場正日
- \& V `5 B. d; ^漸蓬勃的情況下，三星這筆投資來得即時，而且NAND快閃記憶體的利
% R! C& F! Y2 T6 X, l潤依舊很高，未來市場需求將會隨著智慧手機與平板電腦的普及而逐
4 Y* Y) z* A" F, ?6 e! S9 L漸上升。 (新聞來源：工商時報─記者林殿唯／綜合報導)
; }) n6 @3 V$ w T' v; X7 j2 S
7 e6 X! _' k) L9 h0 W1 ~2 d, G
& E+ O/ `) t4 y" {( z# x! c
( T3 Y2 E* O: |6 t! r |
|
發表於 2012-1-5 09:04:02
收藏
讚