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- 2017-12-9
 
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【時報-各報要聞】晶圓二哥聯電(2303),28奈米接單傳出捷報。設備
. L: \! t2 x$ R2 d5 l0 ]( y業者指出,聯電28奈米進展順利,在拿下德儀(TI)次世代ARM架構處
x; P: x2 E2 B# Y5 P5 D理器OMAP 5代工訂單後,日前再度成功突破台積電在28奈米市場設下
( y5 @3 M' t9 b; w/ `3 A的進入障礙,拿下手機晶片大廠高通(Qualcomm)的28奈米整合型基
2 }) O* I% V3 F" p頻晶片代工訂單。8 F1 }5 C/ `$ F5 t
& k) ?: L3 `/ N _2 l2 u- b" h 2008年底金融海嘯發生後,聯電決定調整營運模式,不再與台積
2 V: Y' E0 a& B5 x# H/ L電進行製程競賽,朝向客戶導向的晶圓專工解決方案提供者(Custom
3 N% Z9 _/ |" H& O: ^: M0 Per-Driven Foundry Solutions)的方向發展。但聯電並沒有因此停止1 ?! W8 ^, P( n) q# }9 Y. i% A% U
先進製程研發,2008年底已產出業界第一個全功能28奈米製程SRAM晶* L- }1 r3 G8 c8 ^
片,多晶矽氮氧化矽(Poly/SiON)及高介電金屬閘極(HKMG)等兩種
+ u0 d1 L% e2 E( v1 i6 g技術亦在去年獲得驗證通過。 v/ A. f% f. B3 T- b
聯電去年一整年都在佈建28奈米生態系統,包括與電子設計自動
1 c- l! r6 x: A% w+ z" O化工具(EDA)、矽智財(IP)等獨立第三方(third party)業者深
+ C2 o+ R0 d2 ^度合作,並與英商安謀(ARM)簽訂長期合作協議,在28奈米HKMG製程
9 y: f4 M* G( l9 X8 a中整合安謀的ARM Artisan實體矽智財(Physical IP)等。* v- _% C& r' z2 D+ i! r& L; V
聯電雖然28奈米進度仍落後台積電約半年時間,但今年卻可望是: G1 t/ V9 X' [4 D- x
28奈米投資開始收成的一年,除了已確定成為德儀次世代ARM架構應用
$ C1 ]+ m1 o5 E- @5 t7 a8 ]9 H處理器OMAP 5的最大晶圓代工廠,上半年就會進入量產,設備業者近* b$ x; b2 w3 X) W3 G& e* w
期傳出,聯電也搶下高通28奈米整合型基頻晶片代工訂單,本季下旬" [2 I7 _0 L0 U% \) Y0 W
就會進入生產準備期。
4 i, L5 }& F0 R0 C& C9 w 聯電雖然是高通晶圓代工廠之一,但接單量一直不高,也不是先2 e0 J* |3 E$ ]0 @: _2 a4 I
進製程晶片主要代工廠,但聯電此次卻成功自對手手中搶下28奈米代% U Q* {, ^" g* H
工訂單,擠進高通的先進製程晶圓代工廠行列,業者認為,這代表聯+ E' a" S' b4 J; T' m
電在28奈米世代穩扎穩打的佈局策略十分成功。對此,聯電低調表示
& L; _* A8 }4 E* D$ u! },對客戶及接單一向不予評論。. o0 o4 p' \4 S |2 l3 _
法人認為,高通今年3G基頻晶片策略在於攻下中國、印度等新興
" p9 x4 S. l& |0 ^市場,需要龐大的低成本多頻多模基頻晶片產能支援,台積電的晶圓
# I- T5 p, r7 b代工價格高,聯電在報價上較有彈性,產能支援上也沒有台積電那麼6 V4 j4 v2 z9 D# ?7 _: C
緊,應該是此次成功搶下高通28奈米訂單的重要關鍵。 (新聞來源:
0 v4 J' m) i" x工商時報─記者涂志豪/台北報導)1 w+ m1 M+ I4 l3 p l
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