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【時報-各報要聞】晶圓二哥聯電(2303),28奈米接單傳出捷報。設備8 T: x7 ^- P2 Y3 x( ~ f
業者指出,聯電28奈米進展順利,在拿下德儀(TI)次世代ARM架構處
. D* ` c S! S' F( P理器OMAP 5代工訂單後,日前再度成功突破台積電在28奈米市場設下/ p) d$ i' z' D P8 d% A- W
的進入障礙,拿下手機晶片大廠高通(Qualcomm)的28奈米整合型基+ N- z+ Y3 D' ?7 R2 @
頻晶片代工訂單。) N' S" ^$ D3 E7 i' _! z5 m
$ Q6 j# r3 I. ^, I) h
2008年底金融海嘯發生後,聯電決定調整營運模式,不再與台積- \0 H& Y) a) Y/ _* R$ X+ ~4 r
電進行製程競賽,朝向客戶導向的晶圓專工解決方案提供者(Custom
F4 j; l" z. o h2 U8 P1 {er-Driven Foundry Solutions)的方向發展。但聯電並沒有因此停止4 d- {3 P; V* U
先進製程研發,2008年底已產出業界第一個全功能28奈米製程SRAM晶9 Q- O( @7 s4 ]' L* d+ d
片,多晶矽氮氧化矽(Poly/SiON)及高介電金屬閘極(HKMG)等兩種7 H4 G- [( D+ C
技術亦在去年獲得驗證通過。
" L1 W6 Y l: `( D* E 聯電去年一整年都在佈建28奈米生態系統,包括與電子設計自動: R/ V. _( {- z) {4 T7 o4 f6 ~
化工具(EDA)、矽智財(IP)等獨立第三方(third party)業者深
+ v3 [- @0 H& ]4 v) ~3 J& b度合作,並與英商安謀(ARM)簽訂長期合作協議,在28奈米HKMG製程
+ q1 c1 [# W) u中整合安謀的ARM Artisan實體矽智財(Physical IP)等。2 X, u Z6 j* ?' r0 A6 a$ j
聯電雖然28奈米進度仍落後台積電約半年時間,但今年卻可望是5 S5 o) n3 X6 \, v
28奈米投資開始收成的一年,除了已確定成為德儀次世代ARM架構應用
& Z/ t' @. w; z6 \處理器OMAP 5的最大晶圓代工廠,上半年就會進入量產,設備業者近$ F, }1 Q( d4 C# h/ T) J
期傳出,聯電也搶下高通28奈米整合型基頻晶片代工訂單,本季下旬7 m7 Q' |9 p A3 B. ~
就會進入生產準備期。
( I) G" g8 C; a4 M+ j 聯電雖然是高通晶圓代工廠之一,但接單量一直不高,也不是先
# X1 h. z4 a! }1 c! h. P9 c進製程晶片主要代工廠,但聯電此次卻成功自對手手中搶下28奈米代
. O' H$ x0 ]" u! j5 {! V工訂單,擠進高通的先進製程晶圓代工廠行列,業者認為,這代表聯
* n$ p' o9 P. E電在28奈米世代穩扎穩打的佈局策略十分成功。對此,聯電低調表示
6 x+ n4 ]# |& T& C3 B$ ?,對客戶及接單一向不予評論。
, _! j: K& B5 x. P4 {- i% Q' u& { 法人認為,高通今年3G基頻晶片策略在於攻下中國、印度等新興
+ h+ [2 g: x1 P市場,需要龐大的低成本多頻多模基頻晶片產能支援,台積電的晶圓, a$ \! i& u- i5 M4 K
代工價格高,聯電在報價上較有彈性,產能支援上也沒有台積電那麼
! i9 [* Q4 G% M B1 |緊,應該是此次成功搶下高通28奈米訂單的重要關鍵。 (新聞來源:
- Z; ]" B0 O5 T& E! Q工商時報─記者涂志豪/台北報導)
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