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- 2017-12-9
 
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【時報-各報要聞】晶圓二哥聯電(2303),28奈米接單傳出捷報。設備
: O( g4 h4 J- @$ N# h9 c* U業者指出,聯電28奈米進展順利,在拿下德儀(TI)次世代ARM架構處0 U; w8 o& I6 X6 I7 W* s
理器OMAP 5代工訂單後,日前再度成功突破台積電在28奈米市場設下
2 F Y, t, ~ X的進入障礙,拿下手機晶片大廠高通(Qualcomm)的28奈米整合型基# C- C: { E- w# H7 U
頻晶片代工訂單。
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2008年底金融海嘯發生後,聯電決定調整營運模式,不再與台積
K' e5 c5 t( E* J+ g$ W電進行製程競賽,朝向客戶導向的晶圓專工解決方案提供者(Custom
( i' A% t% y: W. z Fer-Driven Foundry Solutions)的方向發展。但聯電並沒有因此停止
0 R9 b) u0 `/ W8 B3 P先進製程研發,2008年底已產出業界第一個全功能28奈米製程SRAM晶
: W, ~! V$ b5 o" K% l% i7 P片,多晶矽氮氧化矽(Poly/SiON)及高介電金屬閘極(HKMG)等兩種# T0 T4 T1 Z# F8 C- G+ L: a5 ]8 t, h
技術亦在去年獲得驗證通過。- a& y& W# A) @9 b1 F
聯電去年一整年都在佈建28奈米生態系統,包括與電子設計自動8 f* @) J* k5 z5 U6 [
化工具(EDA)、矽智財(IP)等獨立第三方(third party)業者深/ n% n( Q$ H. a% V0 q; L+ \( \
度合作,並與英商安謀(ARM)簽訂長期合作協議,在28奈米HKMG製程
/ _, p3 M2 _. t! [3 D5 S. l. A0 p中整合安謀的ARM Artisan實體矽智財(Physical IP)等。- C5 N3 h6 d- y: @" c- S# M5 k4 L
聯電雖然28奈米進度仍落後台積電約半年時間,但今年卻可望是9 q+ Z2 g6 j/ h: w
28奈米投資開始收成的一年,除了已確定成為德儀次世代ARM架構應用
* |1 N/ [* x& u9 s0 C處理器OMAP 5的最大晶圓代工廠,上半年就會進入量產,設備業者近7 Q! U, x: I3 L/ G; x; G
期傳出,聯電也搶下高通28奈米整合型基頻晶片代工訂單,本季下旬
6 V* U! i+ ~3 v4 y! {. n! O就會進入生產準備期。$ k% u7 f1 K. F3 H
聯電雖然是高通晶圓代工廠之一,但接單量一直不高,也不是先
, y4 h4 g5 W% L0 f- Q" L% T進製程晶片主要代工廠,但聯電此次卻成功自對手手中搶下28奈米代
. a% O2 \, @# ?# b4 }( m t工訂單,擠進高通的先進製程晶圓代工廠行列,業者認為,這代表聯
6 [) ?8 i$ D6 ]$ L1 J( F電在28奈米世代穩扎穩打的佈局策略十分成功。對此,聯電低調表示
) m m* W. p% m* E,對客戶及接單一向不予評論。6 v* |( ~$ M) `7 c: ^% `1 \9 R
法人認為,高通今年3G基頻晶片策略在於攻下中國、印度等新興
' u% f3 Q- g+ h" {+ _: Y+ p市場,需要龐大的低成本多頻多模基頻晶片產能支援,台積電的晶圓
# H0 {' C2 ^: L- J3 c) @0 f7 W代工價格高,聯電在報價上較有彈性,產能支援上也沒有台積電那麼
& y3 e! M5 t; ] Q0 C緊,應該是此次成功搶下高通28奈米訂單的重要關鍵。 (新聞來源:* t7 h3 K4 x6 a Y9 z* `( E4 |
工商時報─記者涂志豪/台北報導)6 x/ l: L; S# O4 i/ f! S: n
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