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- 2017-12-9
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【時報-各報要聞】晶圓二哥聯電(2303)，28奈米接單傳出捷報。設備
( @+ W7 P- |$ p業者指出，聯電28奈米進展順利，在拿下德儀（TI）次世代ARM架構處
% s3 |) q6 b: N理器OMAP 5代工訂單後，日前再度成功突破台積電在28奈米市場設下
( t2 w7 S" F" p+ t6 @的進入障礙，拿下手機晶片大廠高通（Qualcomm）的28奈米整合型基1 Z& z$ n, K3 z# G; b9 \& S
頻晶片代工訂單。
& S4 Q, C& d6 d. U& W" K7 L3 Z: v
2008年底金融海嘯發生後，聯電決定調整營運模式，不再與台積
" K; w2 ^% \: P5 _4 x* l電進行製程競賽，朝向客戶導向的晶圓專工解決方案提供者（Custom$ t U4 l* e: e. [ ?2 Y& `' \
er-Driven Foundry Solutions）的方向發展。但聯電並沒有因此停止
: q1 n: ]1 F& k先進製程研發，2008年底已產出業界第一個全功能28奈米製程SRAM晶 Q V" r+ U3 W5 ?
片，多晶矽氮氧化矽（Poly/SiON）及高介電金屬閘極（HKMG）等兩種) G" j ^- N6 b8 \
技術亦在去年獲得驗證通過。* A/ a j2 R3 Z: C8 Q
聯電去年一整年都在佈建28奈米生態系統，包括與電子設計自動/ M# B6 d; A' D- n, y D
化工具（EDA）、矽智財（IP）等獨立第三方（third party）業者深, U9 Z7 X& K3 k
度合作，並與英商安謀（ARM）簽訂長期合作協議，在28奈米HKMG製程
% y+ J6 |" p+ b% g' F |% t! S中整合安謀的ARM Artisan實體矽智財（Physical IP）等。 |, I$ a: u: }+ D4 O7 T
聯電雖然28奈米進度仍落後台積電約半年時間，但今年卻可望是* p! O2 h* ~9 I* \2 G& {
28奈米投資開始收成的一年，除了已確定成為德儀次世代ARM架構應用
2 h: C/ M5 |% o: G* K處理器OMAP 5的最大晶圓代工廠，上半年就會進入量產，設備業者近# b) \8 c2 J% J2 V- J
期傳出，聯電也搶下高通28奈米整合型基頻晶片代工訂單，本季下旬
/ u7 p5 [( N3 F# P就會進入生產準備期。& D' ^' ?5 L3 [. q; E) `. X# S
聯電雖然是高通晶圓代工廠之一，但接單量一直不高，也不是先7 ]( V5 m& L( k
進製程晶片主要代工廠，但聯電此次卻成功自對手手中搶下28奈米代
; W+ ^4 F/ ~$ O |, [1 ]( |工訂單，擠進高通的先進製程晶圓代工廠行列，業者認為，這代表聯% L4 x2 D/ S- E! n$ f I5 [4 s
電在28奈米世代穩扎穩打的佈局策略十分成功。對此，聯電低調表示, T0 j3 ?8 k1 Z% L
，對客戶及接單一向不予評論。0 m& I; T9 k2 D7 r
法人認為，高通今年3G基頻晶片策略在於攻下中國、印度等新興
2 Q) g) H9 v5 p# \市場，需要龐大的低成本多頻多模基頻晶片產能支援，台積電的晶圓8 U, H Z7 K) \3 x5 Z8 o" f
代工價格高，聯電在報價上較有彈性，產能支援上也沒有台積電那麼) t: d- V7 P% l
緊，應該是此次成功搶下高通28奈米訂單的重要關鍵。 (新聞來源：
j; {* X' ]6 Q8 V" B9 ?# t ?工商時報─記者涂志豪／台北報導)
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發表於 2012-1-3 09:07:05
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