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- 2017-12-9
 
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【時報-各報要聞】晶圓二哥聯電(2303),28奈米接單傳出捷報。設備
; z( d( M# H {) N8 Z6 v, c業者指出,聯電28奈米進展順利,在拿下德儀(TI)次世代ARM架構處8 Z# |9 ^9 E) Y. X8 n/ o
理器OMAP 5代工訂單後,日前再度成功突破台積電在28奈米市場設下
, T' i3 X+ C- C. g6 T% G- v* a) Z的進入障礙,拿下手機晶片大廠高通(Qualcomm)的28奈米整合型基# t% W4 [% H5 g
頻晶片代工訂單。3 B& P" v) v9 F& D: l, i; ^
* b7 P6 B( G4 I& p 2008年底金融海嘯發生後,聯電決定調整營運模式,不再與台積' i: M- r! E8 a& V! \ p- t( t
電進行製程競賽,朝向客戶導向的晶圓專工解決方案提供者(Custom4 T) j" Y, [. l- _8 p8 `, L! M
er-Driven Foundry Solutions)的方向發展。但聯電並沒有因此停止
, }' B* Z8 ^4 ~' y1 T先進製程研發,2008年底已產出業界第一個全功能28奈米製程SRAM晶( a @/ Q) x& A& \5 p9 V
片,多晶矽氮氧化矽(Poly/SiON)及高介電金屬閘極(HKMG)等兩種3 E7 Y" v9 `; P, U, ?
技術亦在去年獲得驗證通過。
) y$ \ ^! J: i ^ 聯電去年一整年都在佈建28奈米生態系統,包括與電子設計自動
' C) H, n5 [) c4 b, v化工具(EDA)、矽智財(IP)等獨立第三方(third party)業者深) I0 ^1 w6 q; O- R2 U( i# c
度合作,並與英商安謀(ARM)簽訂長期合作協議,在28奈米HKMG製程: \3 Y2 X. j: q: u: @
中整合安謀的ARM Artisan實體矽智財(Physical IP)等。
* z. x" _6 A( J+ Z. ]. H$ v 聯電雖然28奈米進度仍落後台積電約半年時間,但今年卻可望是; U% y% g4 y7 S( e
28奈米投資開始收成的一年,除了已確定成為德儀次世代ARM架構應用- ]6 M q$ e1 n5 k$ X" w
處理器OMAP 5的最大晶圓代工廠,上半年就會進入量產,設備業者近
- t# y; w9 Z, |+ w! L# U- f+ R" r. c期傳出,聯電也搶下高通28奈米整合型基頻晶片代工訂單,本季下旬: o- {, K5 a) ~' e
就會進入生產準備期。
4 m/ i8 K. Q$ V* J. V 聯電雖然是高通晶圓代工廠之一,但接單量一直不高,也不是先
1 @) }* h1 g" n進製程晶片主要代工廠,但聯電此次卻成功自對手手中搶下28奈米代
9 ?! m/ e) X# y) E工訂單,擠進高通的先進製程晶圓代工廠行列,業者認為,這代表聯1 G- N! r4 I6 i8 D l' u* C7 u
電在28奈米世代穩扎穩打的佈局策略十分成功。對此,聯電低調表示
2 J: \& P! m5 z7 W3 g: u,對客戶及接單一向不予評論。) f! F& x% B2 e2 E
法人認為,高通今年3G基頻晶片策略在於攻下中國、印度等新興% G( Y, s% }. D1 y" M
市場,需要龐大的低成本多頻多模基頻晶片產能支援,台積電的晶圓1 }$ Y( l& |+ l9 V8 @
代工價格高,聯電在報價上較有彈性,產能支援上也沒有台積電那麼
% p* C) t C( S8 [, v2 N緊,應該是此次成功搶下高通28奈米訂單的重要關鍵。 (新聞來源:
/ e9 W( T' n+ ]工商時報─記者涂志豪/台北報導)# u3 g; A; Y& y6 U \
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