- UID
- 4355
- 閱讀權限
- 45
- 精華
- 0
- 威望
- 3
- 貢獻
- 3897
- 活力
- 11257
- 金幣
- 44043
- 日誌
- 9
- 記錄
- 37
- 最後登入
- 2017-12-9
- 社區
- 臺灣
- 文章
- 9422
- 在線時間
- 1428 小時
|
【時報-各報要聞】晶圓代工廠聯電(2303)昨（8）日召開法說會，決. R. |/ A- [/ j$ g( z+ g
定調升今年資本支出至20億美元，讓與會法人大感意外。聯電執行長; D6 L6 O" b& }" `
孫世偉表示，因為看好行動裝置晶片需求，且為了承諾客戶提供足夠 ?' j3 _, ^. z! f5 H+ V
的40奈米及28奈米產能，所以才決定提高今年資本支出。
4 }% f0 E' P' }4 Q8 }+ \8 b* P- z3 u: g# ~! Q" A" \9 R: E
據了解，聯電拉高資本支出，主要原因就是獲得高通、德儀大訂單' H0 w! }; I# A! i2 s+ ]
。
$ e4 y5 G2 u, ?; g- C 聯電去年原訂資本支出為18億美元，但實際支出為16億美元，其中, {6 X) c8 Y7 U# d
2億美元遞延到今年，聯電因獲得高通及德儀等大客戶行動裝置晶片訂. g. ] a, P1 m3 _5 U* }
單，要建置足夠的40奈米及28奈米產能，所以今年資本支出合計將拉2 `% l7 h, `7 k& t0 [* b& g
高到20億美元、年增25％。3 O' M, O& v$ q1 G, @: c+ |
法人表示，相較於台積電將資本支出由去年的72.86億美元，調降到) K! ?' ~+ n; F% J- a$ M9 d! Y5 A' T
今年60億美元，減幅約達18％，聯電在景氣不確定性仍高的此刻，逆! o. p/ |$ R5 J! k; u2 s
勢拉高資本支出，代表聯電已成功提高行動裝置晶片的滲透率，對訂4 Y7 S: _) g. \5 z) a9 O* W! N
單掌握度也愈來愈高。2 r7 J7 h6 [3 K7 ]) U0 A
孫世偉昨天表示，聯電樂觀看待未來行動通訊與運算市場的高階晶 z; p) ?$ B& e8 N* K
片需求，為積極掌握這一絕佳的機會，完整佈建40奈米及28奈米解決* h% ^5 h; h s" W' c% w/ |- D
方案，持續與領先客戶合作以爭取更多旗艦產品，並承諾提供充分產! o# i3 h& L* B8 F
能，所以今年資本支出將增加到20億美元。; K, i' L. m4 @1 a1 G" f
孫世偉強調，聯電並不盲目擴充產能，此投資計畫經過審慎評估，' o3 L1 e5 r$ U
完整考量聯電在不同階段下高階製程成熟程度，以及客戶產能需求，- s' a- |. ^7 C! @- \0 L
以現階段28奈米與客戶的合作進展及強烈需求，相信在量產技術就位/ }3 d" c/ T: O! r' M! W: K5 T
後將帶來豐厚的收穫。5 v; O+ z0 ? C. C, K, h2 W n
聯電預估，今年底40奈米佔營收比重將達15％，28奈米亦可達到5％
/ R; s t% u$ t( Z4 L0 Q l6 Q( h，聯電已完成10項28奈米晶片設計定案（tape-out），其中一顆28奈 U4 B; f) g' G/ Z3 J
米的ARM架構應用處理器已開始送樣。據了解，這顆晶片是德儀最新款
. ^ x+ H6 ~5 A+ ROMAP 5多核心應用處理器。
- ]# K: h; r$ f; Z# W7 F 另外，聯電也開始佈建2.5D矽中介層（Interposer）解決方案，並
" a% r' g8 y# `2 V3 p# L為客戶完成40奈米及28奈米製程矽中介層設計定案。孫世偉表示，聯
7 Z( d( J! a @/ g4 t& Q電與封測廠將建立開放式技術平台，以提供最適切的服務，與爾必達( a" Y5 @9 R: L
及力成合作的直通矽晶穿孔（TSV）技術已有很好的成果。(新聞來源6 a5 O) y' l- c9 T4 }- O9 z
：工商時報─記者涂志豪／台北報導)
% F' N, i1 Y0 V. r- [% i
$ }' I6 B: E' p
- ?, w8 [+ E7 }9 {
2 X5 |- b/ r% A7 ~* I: \3 c& o |
|
發表於 2012-2-9 09:12:47
收藏
讚
發表於 2012-2-11 20:35:51