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【時報-各報要聞】晶圓代工廠聯電(2303)昨（8）日召開法說會，決( ~5 K- w0 a$ J* ?: T
定調升今年資本支出至20億美元，讓與會法人大感意外。聯電執行長
. S/ e7 u* e' Y2 S孫世偉表示，因為看好行動裝置晶片需求，且為了承諾客戶提供足夠: n( X! o9 y& T" r+ H4 ]3 I- ~1 Q
的40奈米及28奈米產能，所以才決定提高今年資本支出。
6 m; z) e1 y" E8 Y2 Q5 x8 T9 c) k+ u" J
據了解，聯電拉高資本支出，主要原因就是獲得高通、德儀大訂單1 H, g) k: i7 @; @# \
。9 Y* X- _3 e# z- m
聯電去年原訂資本支出為18億美元，但實際支出為16億美元，其中8 Q/ m. Y+ {( Z3 E9 ~
2億美元遞延到今年，聯電因獲得高通及德儀等大客戶行動裝置晶片訂& j5 m+ F. _, m) z% D1 ?
單，要建置足夠的40奈米及28奈米產能，所以今年資本支出合計將拉9 p# U. G( K4 ^* a7 K- Z8 V
高到20億美元、年增25％。
|+ n l( q u2 z7 T0 o 法人表示，相較於台積電將資本支出由去年的72.86億美元，調降到' y' A4 H. N$ w$ v& {
今年60億美元，減幅約達18％，聯電在景氣不確定性仍高的此刻，逆- L# ?" {( P7 j2 }
勢拉高資本支出，代表聯電已成功提高行動裝置晶片的滲透率，對訂& U m, S0 h2 a* P
單掌握度也愈來愈高。
7 p% h# J, Q" P 孫世偉昨天表示，聯電樂觀看待未來行動通訊與運算市場的高階晶
( u, w4 l2 [& c" @4 {片需求，為積極掌握這一絕佳的機會，完整佈建40奈米及28奈米解決' C. k3 [- M3 j- c* U* z o
方案，持續與領先客戶合作以爭取更多旗艦產品，並承諾提供充分產' I, W. ~, W7 O% _9 d& x% U! Z
能，所以今年資本支出將增加到20億美元。* p9 f; i+ a* k3 ]/ n* o
孫世偉強調，聯電並不盲目擴充產能，此投資計畫經過審慎評估，+ m" S5 I0 J4 v
完整考量聯電在不同階段下高階製程成熟程度，以及客戶產能需求，$ |0 S- q! \( B0 x( \. j( B
以現階段28奈米與客戶的合作進展及強烈需求，相信在量產技術就位
5 |! `* T8 E5 k6 ]" X$ \後將帶來豐厚的收穫。2 j. ^& d0 B: Q
聯電預估，今年底40奈米佔營收比重將達15％，28奈米亦可達到5％2 X! k# n* I# I$ k6 h
，聯電已完成10項28奈米晶片設計定案（tape-out），其中一顆28奈+ ` |6 R+ d$ y, c
米的ARM架構應用處理器已開始送樣。據了解，這顆晶片是德儀最新款/ \5 m3 A' Z: ~# }* O( K3 T
OMAP 5多核心應用處理器。2 r5 B" z5 x# r
另外，聯電也開始佈建2.5D矽中介層（Interposer）解決方案，並$ b* A' n/ o0 ^; ?* C
為客戶完成40奈米及28奈米製程矽中介層設計定案。孫世偉表示，聯
# r- y7 O& {1 s+ u6 r電與封測廠將建立開放式技術平台，以提供最適切的服務，與爾必達
: d2 W$ @3 E- u1 v; o及力成合作的直通矽晶穿孔（TSV）技術已有很好的成果。(新聞來源9 D+ R) U* Q7 P! I1 F
：工商時報─記者涂志豪／台北報導)
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3 h" E* Y j2 a/ i+ w+ D2 A' ?' X7 s& @/ V: {
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發表於 2012-2-9 09:12:47
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發表於 2012-2-11 20:35:51