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【時報-各報要聞】晶圓代工廠聯電(2303)昨（8）日召開法說會，決
5 l [+ p1 O, L" L0 t定調升今年資本支出至20億美元，讓與會法人大感意外。聯電執行長
. M$ U- K& J) j- R孫世偉表示，因為看好行動裝置晶片需求，且為了承諾客戶提供足夠
! u5 X* S- w7 G# k6 R的40奈米及28奈米產能，所以才決定提高今年資本支出。
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5 a. T& b9 @ Z; ?8 ^ 據了解，聯電拉高資本支出，主要原因就是獲得高通、德儀大訂單
/ v# W0 h+ \+ H) F( J3 h。& B: s. M0 Y, T$ J
聯電去年原訂資本支出為18億美元，但實際支出為16億美元，其中( S/ m$ C, z' L" o9 _
2億美元遞延到今年，聯電因獲得高通及德儀等大客戶行動裝置晶片訂% q& T( O( Z+ E$ j1 U) S5 t9 t+ L
單，要建置足夠的40奈米及28奈米產能，所以今年資本支出合計將拉3 Q; a, C" d4 ?- s$ n, r
高到20億美元、年增25％。
# v6 S4 {; |' m+ w8 m, R( v) B# ` 法人表示，相較於台積電將資本支出由去年的72.86億美元，調降到. {* Z$ Z1 p) x) f4 n- O: G
今年60億美元，減幅約達18％，聯電在景氣不確定性仍高的此刻，逆* a- @' K' p; \/ a2 ^
勢拉高資本支出，代表聯電已成功提高行動裝置晶片的滲透率，對訂5 i" M% I' L4 K4 s7 W) y" x
單掌握度也愈來愈高。% i3 W( d$ A; ?1 E
孫世偉昨天表示，聯電樂觀看待未來行動通訊與運算市場的高階晶& S/ C7 Q9 Y" A1 I
片需求，為積極掌握這一絕佳的機會，完整佈建40奈米及28奈米解決
4 b8 l+ I. x* \6 y" L/ ]# L5 |/ P方案，持續與領先客戶合作以爭取更多旗艦產品，並承諾提供充分產
/ p0 X, e; W& V1 G# M. K; Y能，所以今年資本支出將增加到20億美元。
0 t! g; i8 D, R" T+ v 孫世偉強調，聯電並不盲目擴充產能，此投資計畫經過審慎評估，9 p/ }8 w' A+ i0 s, B( d( z9 _
完整考量聯電在不同階段下高階製程成熟程度，以及客戶產能需求，
. W) o3 x( [: [$ I% O# P+ H以現階段28奈米與客戶的合作進展及強烈需求，相信在量產技術就位
. N5 h! C0 P2 E8 m; S後將帶來豐厚的收穫。$ A+ X, j% W. E7 L. N4 C, y. Z U
聯電預估，今年底40奈米佔營收比重將達15％，28奈米亦可達到5％* v, v: e& O$ i, Y0 h( b4 v
，聯電已完成10項28奈米晶片設計定案（tape-out），其中一顆28奈
+ C, f$ H* D! M4 o9 @2 g7 k/ g米的ARM架構應用處理器已開始送樣。據了解，這顆晶片是德儀最新款% U# a/ Z6 \+ {
OMAP 5多核心應用處理器。8 S0 c& B: Q0 j3 A+ C
另外，聯電也開始佈建2.5D矽中介層（Interposer）解決方案，並
+ o, M: z6 z: Z為客戶完成40奈米及28奈米製程矽中介層設計定案。孫世偉表示，聯1 X" j. C! T; X
電與封測廠將建立開放式技術平台，以提供最適切的服務，與爾必達
; g0 t* Q7 X$ l) Y% |5 A0 n6 g0 x及力成合作的直通矽晶穿孔（TSV）技術已有很好的成果。(新聞來源+ K$ V" I- x, y7 {$ m
：工商時報─記者涂志豪／台北報導)
9 }4 _. N; a/ R# ]' R+ K+ |0 L. g1 }5 K! z( _8 j7 D t! R6 s5 }: A
3 q2 Y. n' D+ C+ m& k! J1 O
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發表於 2012-2-9 09:12:47
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發表於 2012-2-11 20:35:51