- UID
- 4355
- 閱讀權限
- 45
- 精華
- 0
- 威望
- 3
- 貢獻
- 3897
- 活力
- 11257
- 金幣
- 44043
- 日誌
- 9
- 記錄
- 37
- 最後登入
- 2017-12-9
- 社區
- 臺灣
- 文章
- 9422
- 在線時間
- 1428 小時
|
【時報-各報要聞】晶圓代工廠聯電(2303)昨（8）日召開法說會，決' P' X6 L; Z1 y$ p
定調升今年資本支出至20億美元，讓與會法人大感意外。聯電執行長
9 Z* J0 }& V+ F% o" D孫世偉表示，因為看好行動裝置晶片需求，且為了承諾客戶提供足夠
3 S5 U2 E+ y" X8 P& C, y" F0 A的40奈米及28奈米產能，所以才決定提高今年資本支出。
# p: q7 P0 ^, _% ~! t
6 h* H. J) B/ N {. ~8 q 據了解，聯電拉高資本支出，主要原因就是獲得高通、德儀大訂單
7 S* p# }% w5 I. |- W$ u7 s7 j。
) y& z: a/ A. x6 V3 T: ^ 聯電去年原訂資本支出為18億美元，但實際支出為16億美元，其中
& h# k1 ]: Y _& a7 K9 V2億美元遞延到今年，聯電因獲得高通及德儀等大客戶行動裝置晶片訂
8 Q/ S9 j, q4 {. G/ e" w- ?單，要建置足夠的40奈米及28奈米產能，所以今年資本支出合計將拉. m$ }2 f0 S7 _) W. T3 s8 Z- N
高到20億美元、年增25％。
1 h$ M: l3 @' ~3 O+ H N 法人表示，相較於台積電將資本支出由去年的72.86億美元，調降到
" y; n. d4 U. B# x9 W今年60億美元，減幅約達18％，聯電在景氣不確定性仍高的此刻，逆
9 J4 s2 L/ _1 v/ i! |1 N& ?勢拉高資本支出，代表聯電已成功提高行動裝置晶片的滲透率，對訂
+ B' f8 Y9 u& g. l; K單掌握度也愈來愈高。
3 n/ V4 Y" _9 n6 A* A5 X 孫世偉昨天表示，聯電樂觀看待未來行動通訊與運算市場的高階晶
' k$ T0 X1 L8 a/ y5 E片需求，為積極掌握這一絕佳的機會，完整佈建40奈米及28奈米解決- I) X6 t# G8 z5 y
方案，持續與領先客戶合作以爭取更多旗艦產品，並承諾提供充分產
7 H5 H3 m* F1 D: b4 L E能，所以今年資本支出將增加到20億美元。* q3 j: j5 E6 F2 |+ p
孫世偉強調，聯電並不盲目擴充產能，此投資計畫經過審慎評估，
+ }* B9 i' p& q8 k* V完整考量聯電在不同階段下高階製程成熟程度，以及客戶產能需求，
* ^+ S& T5 J, k2 L0 l以現階段28奈米與客戶的合作進展及強烈需求，相信在量產技術就位" Y4 h' \/ x! r4 T; e& l" `0 A5 y
後將帶來豐厚的收穫。+ q1 V: b) D' x& W- V f
聯電預估，今年底40奈米佔營收比重將達15％，28奈米亦可達到5％7 C3 n. g. V1 H# N, }/ ?' G
，聯電已完成10項28奈米晶片設計定案（tape-out），其中一顆28奈
7 N0 n& H! K& @/ H- n2 W米的ARM架構應用處理器已開始送樣。據了解，這顆晶片是德儀最新款
+ ]! A# Y6 W. cOMAP 5多核心應用處理器。. Y: v! S2 X4 ?: ^$ B! w
另外，聯電也開始佈建2.5D矽中介層（Interposer）解決方案，並3 L7 C( V. |; B+ e2 G% I
為客戶完成40奈米及28奈米製程矽中介層設計定案。孫世偉表示，聯0 I$ Q1 b N7 ~2 b! _- S! V# y/ v
電與封測廠將建立開放式技術平台，以提供最適切的服務，與爾必達( h F, z9 o+ {9 t
及力成合作的直通矽晶穿孔（TSV）技術已有很好的成果。(新聞來源( s6 a5 H4 T: L- e4 }% {
：工商時報─記者涂志豪／台北報導)+ e$ k" }% W, A# H# n Q
. e" V/ y0 u! |" _/ h0 M4 m0 H' h$ h$ X5 r! N1 s# |9 o2 n+ E% G* Y Y
* k# a5 v; B4 Y# x, Q# W |
|
發表於 2012-2-9 09:12:47
收藏
讚
發表於 2012-2-11 20:35:51