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【時報-台北電】韓國官方昨（4）日表示，已經批准三星在中國建造
! J7 F) s/ h: `一座NAND快閃記憶體晶片廠，投資規模約為40億美元，不但將採用201 v% v5 M: l$ A( y5 {; e/ _, V7 p
奈米以下的先進製程技術，也是三星在海外所建立的第2座快閃記憶體; A8 t' d+ w3 k$ j
工廠，反映出中國市場的地位日益重要。
+ x' D) a) E$ ?) g4 N 韓國官方指出，三星尚未決定廠址，但將在今年內動工興建，預
) G# B0 j1 e* J! y3 t: H, _計在2013年底前完工營運，投產後的月產能將達到10萬片的規模。
: }# A! U! N6 Y 半導體業內人士指出，三星很可能會將新廠設在蘇州，因為蘇州
. C* E. X$ G0 P2 v3 `8 X是三星在韓國本土以外最大的記憶體生產基地，而且三星在當地擁有/ n H% A0 A( E8 F! L1 I9 H) n" k
完整的產業鏈，包含電腦組裝、測廠、面板等，可以產生群聚效應。
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三星的7.5代面板廠就位在蘇州，去年5月才正式動工興建，也是) R: H, `8 B& w1 U( C
第一家獲得中國政府核准建造的外資高世代面板廠，當初市場上即盛. C( @! [. E( @$ t9 `7 A& R
傳三星取得中方批准的條件之一，就是要在中國投資建造一座快閃記; d8 j4 }) z( \8 y2 x* h
憶體廠。
) ` R* i4 g+ } 三星是目前全球最大的NAND快閃記憶體製造廠，市占率超過40％5 {% J+ k% o1 ~# v- f
，並擁有最先進的製程，而韓國官方為了避免技術外洩，對於高科技
5 u# T' S3 h7 h& t企業海外設廠都採取審查制度，三星本身也將成立一個專門委員會對7 a4 O5 T& J% C/ G; x! I5 h! U
於技術嚴格把關。! P0 O8 Z7 Z; h
據悉，這次三星新廠採用的20奈米是目前業界的最新製程技術，
# R) Y" M I H1 L% S( Z! A英特爾與美光合資的IMFT在上個月宣布啟動128GB的20奈米技術量產計( W0 `' P$ u% N7 A8 T
畫。
8 m8 w: K# J% S# q' w9 a& y 韓國友利投資證券公司的分析師認為，在中國消費電子市場正日
6 ]8 g$ q: E' n漸蓬勃的情況下，三星這筆投資來得即時，而且NAND快閃記憶體的利
0 Y0 _4 T3 o8 w0 h% c潤依舊很高，未來市場需求將會隨著智慧手機與平板電腦的普及而逐
& j+ N; K# k8 Z( N, K: o漸上升。 (新聞來源：工商時報─記者林殿唯／綜合報導)
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發表於 2012-1-5 09:04:02
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