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【時報-台北電】韓國官方昨（4）日表示，已經批准三星在中國建造
* T9 g2 y' x6 L) N" O# x一座NAND快閃記憶體晶片廠，投資規模約為40億美元，不但將採用20
. k3 X f+ R$ P U奈米以下的先進製程技術，也是三星在海外所建立的第2座快閃記憶體) ?- ~( Q- ]$ g/ ]' R% Z8 r
工廠，反映出中國市場的地位日益重要。" p4 w+ h# I# m
韓國官方指出，三星尚未決定廠址，但將在今年內動工興建，預4 C0 @, B% v+ M! d% H7 f: G K, u
計在2013年底前完工營運，投產後的月產能將達到10萬片的規模。
' w y9 w' }. U" v, } 半導體業內人士指出，三星很可能會將新廠設在蘇州，因為蘇州
( m$ g7 @& w3 I: n5 I' ^4 ?是三星在韓國本土以外最大的記憶體生產基地，而且三星在當地擁有
. A5 T' ^& W" ^: B完整的產業鏈，包含電腦組裝、測廠、面板等，可以產生群聚效應。
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三星的7.5代面板廠就位在蘇州，去年5月才正式動工興建，也是
0 u( W; h3 |# o# v第一家獲得中國政府核准建造的外資高世代面板廠，當初市場上即盛8 q% m$ F3 [! |
傳三星取得中方批准的條件之一，就是要在中國投資建造一座快閃記
8 _" i) `1 R6 `1 i# U. p$ R憶體廠。
0 q3 R2 ]2 ^, p2 B 三星是目前全球最大的NAND快閃記憶體製造廠，市占率超過40％: d, d4 m& {' u
，並擁有最先進的製程，而韓國官方為了避免技術外洩，對於高科技* B# h# `+ p# C9 S- _! `% q
企業海外設廠都採取審查制度，三星本身也將成立一個專門委員會對: Q& X9 ~6 V0 s' n) V( ^
於技術嚴格把關。
9 n! B- ?1 e, `2 i7 Z' ^5 t 據悉，這次三星新廠採用的20奈米是目前業界的最新製程技術，8 n5 H" h$ D+ @4 x
英特爾與美光合資的IMFT在上個月宣布啟動128GB的20奈米技術量產計
' W& i. q j O7 y1 N畫。
4 r" Q3 u: Y9 }. A: o 韓國友利投資證券公司的分析師認為，在中國消費電子市場正日# K0 L. D: l! j$ ~2 e; M2 y
漸蓬勃的情況下，三星這筆投資來得即時，而且NAND快閃記憶體的利- U2 E. X5 H: \- \
潤依舊很高，未來市場需求將會隨著智慧手機與平板電腦的普及而逐- S# u" n, j% ?8 V7 V# P
漸上升。 (新聞來源：工商時報─記者林殿唯／綜合報導)
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發表於 2012-1-5 09:04:02
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