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【時報-台北電】韓國官方昨（4）日表示，已經批准三星在中國建造
: i. |" k* D3 B( H- ~一座NAND快閃記憶體晶片廠，投資規模約為40億美元，不但將採用20: p$ ], r# N; I5 Y! L
奈米以下的先進製程技術，也是三星在海外所建立的第2座快閃記憶體
: @1 T- o6 i2 y8 C9 X工廠，反映出中國市場的地位日益重要。
# R* a; K' U: a& P 韓國官方指出，三星尚未決定廠址，但將在今年內動工興建，預
+ Q5 ^1 ~8 [' [% f% Q# q* k* b計在2013年底前完工營運，投產後的月產能將達到10萬片的規模。
$ X8 w, ^* {+ C 半導體業內人士指出，三星很可能會將新廠設在蘇州，因為蘇州
8 _$ ?$ t& a2 \& x2 l6 }( \; \& i2 y1 I是三星在韓國本土以外最大的記憶體生產基地，而且三星在當地擁有
" j8 _! v5 A, }4 ~1 o6 \& w完整的產業鏈，包含電腦組裝、測廠、面板等，可以產生群聚效應。- Z% p3 j0 Z$ f8 N
. f9 h% f+ k5 I4 x 三星的7.5代面板廠就位在蘇州，去年5月才正式動工興建，也是
- z; i1 `+ S$ h- T& `" O第一家獲得中國政府核准建造的外資高世代面板廠，當初市場上即盛
8 X' c5 D0 c7 m6 @/ J; Z1 C: R2 O% m傳三星取得中方批准的條件之一，就是要在中國投資建造一座快閃記
, @# H3 X7 z- K- p, J& M/ Z5 V0 W憶體廠。. z4 E, e9 S0 M
三星是目前全球最大的NAND快閃記憶體製造廠，市占率超過40％
* ?1 D' ] a) o( N，並擁有最先進的製程，而韓國官方為了避免技術外洩，對於高科技
/ k; `; d! \% Y. R8 c$ \企業海外設廠都採取審查制度，三星本身也將成立一個專門委員會對
* A9 Y6 l2 W, ], p0 |& j7 N% i9 W於技術嚴格把關。
2 w/ E3 i) i. z% m3 [1 Y: o 據悉，這次三星新廠採用的20奈米是目前業界的最新製程技術，
3 d3 Q P; j" C英特爾與美光合資的IMFT在上個月宣布啟動128GB的20奈米技術量產計
! i. g) p4 x" }# a, M畫。" G Z' ^0 J `5 H1 x' y! U
韓國友利投資證券公司的分析師認為，在中國消費電子市場正日
- o3 s+ Z4 |1 n" Z7 j3 M' _3 [漸蓬勃的情況下，三星這筆投資來得即時，而且NAND快閃記憶體的利
4 t) m. X z7 P! D V+ g! q潤依舊很高，未來市場需求將會隨著智慧手機與平板電腦的普及而逐 t% g t; A& s' x/ N1 R: K. [
漸上升。 (新聞來源：工商時報─記者林殿唯／綜合報導)) b: F7 t1 A3 x6 ?- O
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發表於 2012-1-5 09:04:02
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