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- 2017-12-9
 
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【時報-台北電】韓國官方昨(4)日表示,已經批准三星在中國建造$ M+ q& W, f4 o5 H, r& Y' E4 e
一座NAND快閃記憶體晶片廠,投資規模約為40億美元,不但將採用206 g* }1 c( e# j9 s9 W, l3 m
奈米以下的先進製程技術,也是三星在海外所建立的第2座快閃記憶體* a! U+ L- P! W- h6 ?
工廠,反映出中國市場的地位日益重要。
8 o$ J( E) [) G B- Y( Q 韓國官方指出,三星尚未決定廠址,但將在今年內動工興建,預
/ K8 ]& A; U Q, q* i% D計在2013年底前完工營運,投產後的月產能將達到10萬片的規模。1 H1 a: B8 w, N
半導體業內人士指出,三星很可能會將新廠設在蘇州,因為蘇州
# J2 ?$ g! T" J7 U0 q- H是三星在韓國本土以外最大的記憶體生產基地,而且三星在當地擁有
, u. \" B! Q! ^! t! v- E, Y完整的產業鏈,包含電腦組裝、測廠、面板等,可以產生群聚效應。: Y4 B& ~, l; q! a |7 [
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三星的7.5代面板廠就位在蘇州,去年5月才正式動工興建,也是
( }* e( F/ |8 }& W第一家獲得中國政府核准建造的外資高世代面板廠,當初市場上即盛% I* V) ?! d. H* a
傳三星取得中方批准的條件之一,就是要在中國投資建造一座快閃記
) V/ P. `8 N: L. \& ?+ Y憶體廠。. H$ m+ ]( k: @" c8 g- Q
三星是目前全球最大的NAND快閃記憶體製造廠,市占率超過40%9 Q# q! F) O( Z7 @7 ^" t, c, c
,並擁有最先進的製程,而韓國官方為了避免技術外洩,對於高科技% n2 d+ w1 B5 Q, A
企業海外設廠都採取審查制度,三星本身也將成立一個專門委員會對
/ F2 u) r- ~& N" l6 W6 ?於技術嚴格把關。0 C: F& ?& {! E9 B: B! ]
據悉,這次三星新廠採用的20奈米是目前業界的最新製程技術,9 E! P( }7 H$ i, c2 |- Z! n
英特爾與美光合資的IMFT在上個月宣布啟動128GB的20奈米技術量產計
9 X8 Y+ `9 }" w6 p/ f畫。# |: I2 _3 v0 J1 g
韓國友利投資證券公司的分析師認為,在中國消費電子市場正日
0 N1 {: N. V, j8 f6 h& B% O漸蓬勃的情況下,三星這筆投資來得即時,而且NAND快閃記憶體的利
. @. w/ k+ l! I; l潤依舊很高,未來市場需求將會隨著智慧手機與平板電腦的普及而逐
6 B3 R: s L1 q' _漸上升。 (新聞來源:工商時報─記者林殿唯/綜合報導)+ d7 m9 z% e+ ]8 g2 o
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