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【時報-台北電】韓國官方昨（4）日表示，已經批准三星在中國建造
/ T6 c" @7 a1 a4 w: V一座NAND快閃記憶體晶片廠，投資規模約為40億美元，不但將採用20
" t% N K# y7 ~5 s. a; m奈米以下的先進製程技術，也是三星在海外所建立的第2座快閃記憶體9 E! G3 E+ H7 a" R
工廠，反映出中國市場的地位日益重要。+ q% k) P. J2 F7 v. ^9 P0 [6 e) h
韓國官方指出，三星尚未決定廠址，但將在今年內動工興建，預5 }' y. h% C& s4 N: i. a& G
計在2013年底前完工營運，投產後的月產能將達到10萬片的規模。
/ P6 g3 @. e g, w5 D) S 半導體業內人士指出，三星很可能會將新廠設在蘇州，因為蘇州3 k0 W6 j S$ ]8 X
是三星在韓國本土以外最大的記憶體生產基地，而且三星在當地擁有- U; m( i$ S, R- i' C5 [
完整的產業鏈，包含電腦組裝、測廠、面板等，可以產生群聚效應。
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三星的7.5代面板廠就位在蘇州，去年5月才正式動工興建，也是. W" Z! p g( L; e+ M
第一家獲得中國政府核准建造的外資高世代面板廠，當初市場上即盛
4 _5 `9 T' [2 L+ |傳三星取得中方批准的條件之一，就是要在中國投資建造一座快閃記
' D' j& l8 r3 J憶體廠。
: Y7 x% B' w5 J 三星是目前全球最大的NAND快閃記憶體製造廠，市占率超過40％
3 y ^0 e0 _& p! c) R' } Z，並擁有最先進的製程，而韓國官方為了避免技術外洩，對於高科技
) h4 q4 Y' ?) }企業海外設廠都採取審查制度，三星本身也將成立一個專門委員會對
8 B4 S& t& p$ J- ?於技術嚴格把關。' s' O3 H5 e: o* |: ]
據悉，這次三星新廠採用的20奈米是目前業界的最新製程技術，9 B. s3 z1 G2 h2 W$ c7 v6 b; F, P6 Z
英特爾與美光合資的IMFT在上個月宣布啟動128GB的20奈米技術量產計
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韓國友利投資證券公司的分析師認為，在中國消費電子市場正日
+ |- l! u8 o& g5 Z% E2 H* H漸蓬勃的情況下，三星這筆投資來得即時，而且NAND快閃記憶體的利
# @! @! z H( q& h, \6 \9 @潤依舊很高，未來市場需求將會隨著智慧手機與平板電腦的普及而逐
) }. @9 {( G) |2 }$ w( [0 w漸上升。 (新聞來源：工商時報─記者林殿唯／綜合報導)
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發表於 2012-1-5 09:04:02
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