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【時報-各報要聞】晶圓二哥聯電(2303)，28奈米接單傳出捷報。設備
) ^/ E5 _- _: |3 T% [& _業者指出，聯電28奈米進展順利，在拿下德儀（TI）次世代ARM架構處
1 I4 c+ x' l! c1 q理器OMAP 5代工訂單後，日前再度成功突破台積電在28奈米市場設下# U$ N! U! {* b& h/ ~
的進入障礙，拿下手機晶片大廠高通（Qualcomm）的28奈米整合型基
4 W' o# `8 M% r( }( y" h頻晶片代工訂單。3 k5 u4 W. f2 U
3 ~4 A5 e0 E8 w5 V1 h( q
2008年底金融海嘯發生後，聯電決定調整營運模式，不再與台積! G' C0 K e5 w) T6 X. \* y& C" B
電進行製程競賽，朝向客戶導向的晶圓專工解決方案提供者（Custom
8 w5 v3 q E5 P8 \, \; Ber-Driven Foundry Solutions）的方向發展。但聯電並沒有因此停止6 S7 j; p9 g C* f% w7 g; Q7 j
先進製程研發，2008年底已產出業界第一個全功能28奈米製程SRAM晶$ M1 W2 {/ b0 k
片，多晶矽氮氧化矽（Poly/SiON）及高介電金屬閘極（HKMG）等兩種
2 T5 n: u/ u+ K" l技術亦在去年獲得驗證通過。! L! m& `) E9 H
聯電去年一整年都在佈建28奈米生態系統，包括與電子設計自動
0 h; d; L! G9 _$ V化工具（EDA）、矽智財（IP）等獨立第三方（third party）業者深
5 S2 W4 S" j, A4 n$ O3 w度合作，並與英商安謀（ARM）簽訂長期合作協議，在28奈米HKMG製程
+ O- h' n0 [/ N# E9 ~0 ^中整合安謀的ARM Artisan實體矽智財（Physical IP）等。
2 m4 b5 d$ d- [/ N! U: t6 Q/ S 聯電雖然28奈米進度仍落後台積電約半年時間，但今年卻可望是4 N3 X$ u- p$ u" Q$ c r
28奈米投資開始收成的一年，除了已確定成為德儀次世代ARM架構應用
3 V+ v4 p5 S; U: y" u, p處理器OMAP 5的最大晶圓代工廠，上半年就會進入量產，設備業者近
4 G, j; a* {% D7 _3 l0 c# n9 w期傳出，聯電也搶下高通28奈米整合型基頻晶片代工訂單，本季下旬
; r9 @5 I# B ^; W! b就會進入生產準備期。4 ]7 R* m: M& ]
聯電雖然是高通晶圓代工廠之一，但接單量一直不高，也不是先
^9 W7 P, i- W2 Y- k5 ]0 O. i# j進製程晶片主要代工廠，但聯電此次卻成功自對手手中搶下28奈米代
4 [' Z$ G7 m& r& E; v- W; e工訂單，擠進高通的先進製程晶圓代工廠行列，業者認為，這代表聯+ Z; S& H1 K/ c5 |* ?% F6 D
電在28奈米世代穩扎穩打的佈局策略十分成功。對此，聯電低調表示
) h/ T& M( f8 f$ t4 ^% K$ Q+ G* ^2 B，對客戶及接單一向不予評論。2 e) a; Z1 T: C- L) M, @
法人認為，高通今年3G基頻晶片策略在於攻下中國、印度等新興 `8 j3 h& A' C! Q
市場，需要龐大的低成本多頻多模基頻晶片產能支援，台積電的晶圓
' s/ F5 S2 }; b& S* N7 q代工價格高，聯電在報價上較有彈性，產能支援上也沒有台積電那麼
3 k% f) O$ g( J緊，應該是此次成功搶下高通28奈米訂單的重要關鍵。 (新聞來源：
0 t* W) c! \+ n! ?" T工商時報─記者涂志豪／台北報導)$ ^ V q) L4 F! i
. X: m7 {! @4 j" w( Z) V% _
8 H& y4 }& `- O1 a" n# q; C4 Y0 q* Y: {6 z
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發表於 2012-1-3 09:07:05
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