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- 2017-12-9
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【時報-各報要聞】晶圓二哥聯電(2303)，28奈米接單傳出捷報。設備
9 P) }* k/ O2 s; a" s. q- K% K" p業者指出，聯電28奈米進展順利，在拿下德儀（TI）次世代ARM架構處- X: n2 F$ J! d% m
理器OMAP 5代工訂單後，日前再度成功突破台積電在28奈米市場設下8 ~! {% e+ `4 L" G, U
的進入障礙，拿下手機晶片大廠高通（Qualcomm）的28奈米整合型基; O: {$ m5 ~' [
頻晶片代工訂單。6 D/ P3 F9 s9 b
+ \8 Q2 t9 ^ L4 [
2008年底金融海嘯發生後，聯電決定調整營運模式，不再與台積
- I. B6 k) n7 x L% R- \電進行製程競賽，朝向客戶導向的晶圓專工解決方案提供者（Custom6 x1 e; y' A. s% _ l% e6 C
er-Driven Foundry Solutions）的方向發展。但聯電並沒有因此停止3 _' g3 X, T* ~6 d: k
先進製程研發，2008年底已產出業界第一個全功能28奈米製程SRAM晶
. m) {3 m- p; j. M- Z片，多晶矽氮氧化矽（Poly/SiON）及高介電金屬閘極（HKMG）等兩種& X5 y2 _% z2 s0 M) X
技術亦在去年獲得驗證通過。" X- }; \: c. I8 i; \2 z. v3 u+ I8 L; n
聯電去年一整年都在佈建28奈米生態系統，包括與電子設計自動
6 d4 u$ X% }) g" o: c0 @化工具（EDA）、矽智財（IP）等獨立第三方（third party）業者深
8 L0 R7 }$ I. @2 }, |% B度合作，並與英商安謀（ARM）簽訂長期合作協議，在28奈米HKMG製程
( ^, [7 k1 u( a( r; Z2 t中整合安謀的ARM Artisan實體矽智財（Physical IP）等。
6 Q# W+ E3 K6 R p 聯電雖然28奈米進度仍落後台積電約半年時間，但今年卻可望是
! m5 k, h. k D0 T28奈米投資開始收成的一年，除了已確定成為德儀次世代ARM架構應用
0 r# J/ J& E: g+ Y; p. m處理器OMAP 5的最大晶圓代工廠，上半年就會進入量產，設備業者近8 ~# f- m/ e& Y: o- Q0 i' Y9 Y5 I
期傳出，聯電也搶下高通28奈米整合型基頻晶片代工訂單，本季下旬# D; ?5 q7 a, O* n3 k5 C
就會進入生產準備期。
- y( Z7 a$ E* v5 h 聯電雖然是高通晶圓代工廠之一，但接單量一直不高，也不是先
x, d' @+ \7 A2 V$ p. r3 q+ ^進製程晶片主要代工廠，但聯電此次卻成功自對手手中搶下28奈米代/ G0 Q7 ], u) E
工訂單，擠進高通的先進製程晶圓代工廠行列，業者認為，這代表聯* k6 v/ x, ~& t- r. l
電在28奈米世代穩扎穩打的佈局策略十分成功。對此，聯電低調表示! l0 l; k4 X' l
，對客戶及接單一向不予評論。# `. Z! d: V( L9 U" L; F
法人認為，高通今年3G基頻晶片策略在於攻下中國、印度等新興6 v' m& L" V( y3 _& W! U
市場，需要龐大的低成本多頻多模基頻晶片產能支援，台積電的晶圓
$ L" w0 n/ s+ r8 A& B$ U代工價格高，聯電在報價上較有彈性，產能支援上也沒有台積電那麼% B. T+ \0 d2 M6 t1 ^
緊，應該是此次成功搶下高通28奈米訂單的重要關鍵。 (新聞來源：0 h: c1 X5 ^( t. k, _
工商時報─記者涂志豪／台北報導)% t) `4 ]9 B3 \2 T4 g) W8 Q
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發表於 2012-1-3 09:07:05
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