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- 2017-12-9
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【時報-各報要聞】晶圓二哥聯電(2303)，28奈米接單傳出捷報。設備
% T: L2 g& W( w# A$ A業者指出，聯電28奈米進展順利，在拿下德儀（TI）次世代ARM架構處
3 D8 S0 x' G. q$ b理器OMAP 5代工訂單後，日前再度成功突破台積電在28奈米市場設下. \ _/ z. l$ |* @
的進入障礙，拿下手機晶片大廠高通（Qualcomm）的28奈米整合型基; m! O* b; r% f1 O4 z7 i
頻晶片代工訂單。) v$ O& S! S* k$ {8 Z
, Q* o2 d$ l1 t/ E 2008年底金融海嘯發生後，聯電決定調整營運模式，不再與台積! r b8 U0 L& x
電進行製程競賽，朝向客戶導向的晶圓專工解決方案提供者（Custom. d+ a- n# ]7 }* A
er-Driven Foundry Solutions）的方向發展。但聯電並沒有因此停止% A( w1 \4 U9 B" f5 W( e
先進製程研發，2008年底已產出業界第一個全功能28奈米製程SRAM晶
G6 C! G! p8 I* d片，多晶矽氮氧化矽（Poly/SiON）及高介電金屬閘極（HKMG）等兩種
/ l4 }0 u/ |3 b* Y6 ]/ r4 P1 M技術亦在去年獲得驗證通過。1 ^4 \( A1 b+ a ~9 Q) V
聯電去年一整年都在佈建28奈米生態系統，包括與電子設計自動
K# ^ z/ p" f; Y% u化工具（EDA）、矽智財（IP）等獨立第三方（third party）業者深
" T! U9 E$ M9 H度合作，並與英商安謀（ARM）簽訂長期合作協議，在28奈米HKMG製程6 ?# k/ U1 d; |
中整合安謀的ARM Artisan實體矽智財（Physical IP）等。
5 ~. `, r3 D* K5 o8 V2 ^ 聯電雖然28奈米進度仍落後台積電約半年時間，但今年卻可望是6 ]9 W! O/ B( J- {, w8 T8 ?2 T+ c' z1 e
28奈米投資開始收成的一年，除了已確定成為德儀次世代ARM架構應用. y' W( Z1 h; N: ~& O C
處理器OMAP 5的最大晶圓代工廠，上半年就會進入量產，設備業者近
) ^) y7 z# d5 Q6 v2 W期傳出，聯電也搶下高通28奈米整合型基頻晶片代工訂單，本季下旬: J, `) @- K. P& g' L7 d: [
就會進入生產準備期。
1 y: a6 }& b4 U. h6 q4 { 聯電雖然是高通晶圓代工廠之一，但接單量一直不高，也不是先
& F2 [! Q, t# M1 u+ P7 c* X進製程晶片主要代工廠，但聯電此次卻成功自對手手中搶下28奈米代
3 t3 D5 e8 S8 m4 @! i$ d$ M工訂單，擠進高通的先進製程晶圓代工廠行列，業者認為，這代表聯3 v7 e3 {# @$ _# g0 f% {) C7 ]! v0 K
電在28奈米世代穩扎穩打的佈局策略十分成功。對此，聯電低調表示
0 P1 t( w z7 s1 _，對客戶及接單一向不予評論。+ K) v) V' I' D1 F. A' F, d' A
法人認為，高通今年3G基頻晶片策略在於攻下中國、印度等新興0 }; \+ a! z Z$ C
市場，需要龐大的低成本多頻多模基頻晶片產能支援，台積電的晶圓+ \8 E4 r; z( O/ U
代工價格高，聯電在報價上較有彈性，產能支援上也沒有台積電那麼9 g, C% P% _' t; K! e
緊，應該是此次成功搶下高通28奈米訂單的重要關鍵。 (新聞來源：- f' H# B, s( u2 l( P
工商時報─記者涂志豪／台北報導)
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發表於 2012-1-3 09:07:05
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