砸40億美元，三星將在陸蓋快閃記憶體廠

歐陽

【時報-台北電】韓國官方昨（4）日表示，已經批准三星在中國建造
/ j$ O$ ]& {1 H7 K" \* x一座NAND快閃記憶體晶片廠，投資規模約為40億美元，不但將採用20
奈米以下的先進製程技術，也是三星在海外所建立的第2座快閃記憶體
工廠，反映出中國市場的地位日益重要。
3 H; R! H/ X, \' L* s3 p　　韓國官方指出，三星尚未決定廠址，但將在今年內動工興建，預
; w! E" C- O" X計在2013年底前完工營運，投產後的月產能將達到10萬片的規模。
　　半導體業內人士指出，三星很可能會將新廠設在蘇州，因為蘇州
  F- u. K$ G- K9 X; f& l9 N是三星在韓國本土以外最大的記憶體生產基地，而且三星在當地擁有
5 b- w3 T: j' H  V& K3 O完整的產業鏈，包含電腦組裝、測廠、面板等，可以產生群聚效應。

　　三星的7.5代面板廠就位在蘇州，去年5月才正式動工興建，也是
第一家獲得中國政府核准建造的外資高世代面板廠，當初市場上即盛
傳三星取得中方批准的條件之一，就是要在中國投資建造一座快閃記
憶體廠。
　　三星是目前全球最大的NAND快閃記憶體製造廠，市占率超過40％
' b1 w: e* m0 B) ^  L2 z6 f，並擁有最先進的製程，而韓國官方為了避免技術外洩，對於高科技
企業海外設廠都採取審查制度，三星本身也將成立一個專門委員會對
, M) s  M: ], Y於技術嚴格把關。
- Z; }/ Q5 X3 E# c! i0 N0 B0 Q* X　　據悉，這次三星新廠採用的20奈米是目前業界的最新製程技術，
; s; g0 X  @  z/ z* f  ~3 t3 ^  R6 H英特爾與美光合資的IMFT在上個月宣布啟動128GB的20奈米技術量產計
7 Z! p( Q& @# U8 z% M: |畫。
: o3 N' v  S# U( A# d) V1 A　　韓國友利投資證券公司的分析師認為，在中國消費電子市場正日
漸蓬勃的情況下，三星這筆投資來得即時，而且NAND快閃記憶體的利
潤依舊很高，未來市場需求將會隨著智慧手機與平板電腦的普及而逐
漸上升。 (新聞來源：工商時報─記者林殿唯／綜合報導)



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在中國消費電子市場正日
8 L0 X6 x; e$ {6 `漸蓬勃的情況下，三星這筆投資來得即時，而且NAND快閃記憶體的利
7 m, V. i3 d% {  D8 J8 s潤依舊很高，未來市場需求將會隨著智慧手機與平板電腦的普及而逐
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