砸40億美元，三星將在陸蓋快閃記憶體廠

歐陽

【時報-台北電】韓國官方昨（4）日表示，已經批准三星在中國建造
$ Y! y3 z9 p2 I9 f一座NAND快閃記憶體晶片廠，投資規模約為40億美元，不但將採用20
奈米以下的先進製程技術，也是三星在海外所建立的第2座快閃記憶體
工廠，反映出中國市場的地位日益重要。
  k; F, c* ^# I" f& k* F  D+ M/ r　　韓國官方指出，三星尚未決定廠址，但將在今年內動工興建，預
計在2013年底前完工營運，投產後的月產能將達到10萬片的規模。
　　半導體業內人士指出，三星很可能會將新廠設在蘇州，因為蘇州
# e0 F$ v8 n8 d是三星在韓國本土以外最大的記憶體生產基地，而且三星在當地擁有
完整的產業鏈，包含電腦組裝、測廠、面板等，可以產生群聚效應。
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- T# b! V! f8 `! }3 |; s) _　　三星的7.5代面板廠就位在蘇州，去年5月才正式動工興建，也是
第一家獲得中國政府核准建造的外資高世代面板廠，當初市場上即盛
/ l& W/ J# F8 }6 x傳三星取得中方批准的條件之一，就是要在中國投資建造一座快閃記
4 s. g; k% z% x憶體廠。
　　三星是目前全球最大的NAND快閃記憶體製造廠，市占率超過40％
% o& b3 w( [0 O3 e) f1 L: l6 n1 m& @，並擁有最先進的製程，而韓國官方為了避免技術外洩，對於高科技
0 b: k0 Y5 g( [  T1 T企業海外設廠都採取審查制度，三星本身也將成立一個專門委員會對
. C6 B0 |( b5 K! b- j+ b& _1 g於技術嚴格把關。
0 V9 [% p+ s7 p% J　　據悉，這次三星新廠採用的20奈米是目前業界的最新製程技術，
; z9 n! ^% Y) j* h0 I! g0 T7 Q英特爾與美光合資的IMFT在上個月宣布啟動128GB的20奈米技術量產計
0 x. O+ E& ^" `0 ~8 j. }, B" E  s畫。
　　韓國友利投資證券公司的分析師認為，在中國消費電子市場正日
2 ?  N% o; u+ M5 p! M, F# D漸蓬勃的情況下，三星這筆投資來得即時，而且NAND快閃記憶體的利
5 e6 U3 k9 U' q( |7 n0 B6 O7 p潤依舊很高，未來市場需求將會隨著智慧手機與平板電腦的普及而逐
漸上升。 (新聞來源：工商時報─記者林殿唯／綜合報導)
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歐陽

在中國消費電子市場正日
漸蓬勃的情況下，三星這筆投資來得即時，而且NAND快閃記憶體的利
潤依舊很高，未來市場需求將會隨著智慧手機與平板電腦的普及而逐
漸上升。