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- 2017-12-9
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【時報-各報要聞】晶圓二哥聯電(2303),28奈米接單傳出捷報。設備
& h4 i4 Q6 X5 b- h業者指出,聯電28奈米進展順利,在拿下德儀(TI)次世代ARM架構處$ t# l3 y" g6 c; J5 B6 Y, E& C, A; N
理器OMAP 5代工訂單後,日前再度成功突破台積電在28奈米市場設下+ j; u! f% p% b" ]/ n/ a
的進入障礙,拿下手機晶片大廠高通(Qualcomm)的28奈米整合型基0 U% A" f' \$ t) |1 ^! `1 U3 X8 j8 _% M
頻晶片代工訂單。
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2008年底金融海嘯發生後,聯電決定調整營運模式,不再與台積
5 h! a; {! K; q, v, o0 k5 Q7 M電進行製程競賽,朝向客戶導向的晶圓專工解決方案提供者(Custom
5 b1 o" x% B$ h' g! rer-Driven Foundry Solutions)的方向發展。但聯電並沒有因此停止
- d1 f# }7 G! l# s8 W先進製程研發,2008年底已產出業界第一個全功能28奈米製程SRAM晶- r# _6 D ~# N5 h& q4 h
片,多晶矽氮氧化矽(Poly/SiON)及高介電金屬閘極(HKMG)等兩種8 }( }! Z/ `& R/ L& |
技術亦在去年獲得驗證通過。% ` F7 l0 y; d- L" ?
聯電去年一整年都在佈建28奈米生態系統,包括與電子設計自動 f: k+ [9 E: \& t
化工具(EDA)、矽智財(IP)等獨立第三方(third party)業者深
8 {2 _/ ]. |: T' P度合作,並與英商安謀(ARM)簽訂長期合作協議,在28奈米HKMG製程
+ K" v/ n% F# V' K. e3 n/ q5 R中整合安謀的ARM Artisan實體矽智財(Physical IP)等。
' ^( P C0 r: n6 |7 d) u5 n6 z 聯電雖然28奈米進度仍落後台積電約半年時間,但今年卻可望是
6 e# e: y+ R+ a5 j* j9 u% r$ a28奈米投資開始收成的一年,除了已確定成為德儀次世代ARM架構應用& ?- T3 u2 B J, m, ~ j
處理器OMAP 5的最大晶圓代工廠,上半年就會進入量產,設備業者近
& O7 j+ Q+ E8 V$ _' f4 n3 V期傳出,聯電也搶下高通28奈米整合型基頻晶片代工訂單,本季下旬
: E3 n& @* t; y+ }: Z' v就會進入生產準備期。
, w, C. E! j- o( Z! X* U0 n 聯電雖然是高通晶圓代工廠之一,但接單量一直不高,也不是先
7 v4 V* t1 i. h進製程晶片主要代工廠,但聯電此次卻成功自對手手中搶下28奈米代4 _! }% P p _4 c+ L( V, c
工訂單,擠進高通的先進製程晶圓代工廠行列,業者認為,這代表聯3 @# h; Q l9 G
電在28奈米世代穩扎穩打的佈局策略十分成功。對此,聯電低調表示
# e2 y: u1 x' C$ K8 O$ _# S,對客戶及接單一向不予評論。, j7 y% ?2 C/ C4 X1 J1 u! Y
法人認為,高通今年3G基頻晶片策略在於攻下中國、印度等新興
8 H9 d! i8 Q+ B& e% ?$ K9 Q市場,需要龐大的低成本多頻多模基頻晶片產能支援,台積電的晶圓
' n3 F3 I5 v5 \/ c& X; w' ]代工價格高,聯電在報價上較有彈性,產能支援上也沒有台積電那麼
$ B+ U7 X/ n2 K* L緊,應該是此次成功搶下高通28奈米訂單的重要關鍵。 (新聞來源:
" T0 y' X7 U" }8 Q. Z* x1 M工商時報─記者涂志豪/台北報導). E0 O* i6 v7 r5 Q2 x
& F3 ]( s/ y [& B. r' M- H* N- h4 e* ^4 Q7 [5 N8 R) e" t) x; c0 ?
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