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- 2017-12-9
 
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【時報-各報要聞】晶圓二哥聯電(2303),28奈米接單傳出捷報。設備
/ i) A' L1 {0 L; z9 G業者指出,聯電28奈米進展順利,在拿下德儀(TI)次世代ARM架構處3 Q; S0 G* U2 }9 Z
理器OMAP 5代工訂單後,日前再度成功突破台積電在28奈米市場設下
* {- M6 L; e# m' `# p8 n6 Z+ S1 R4 x的進入障礙,拿下手機晶片大廠高通(Qualcomm)的28奈米整合型基
( c6 |8 \2 b# o$ I4 O頻晶片代工訂單。
* q+ L2 b) n; o; r) R7 O2 r6 p$ U
( |: [' F& J3 @1 y2 M+ a2 T, e i 2008年底金融海嘯發生後,聯電決定調整營運模式,不再與台積7 B: b- L, I$ e# n# z
電進行製程競賽,朝向客戶導向的晶圓專工解決方案提供者(Custom% f4 I5 k* u+ a" w1 t) z; g! Z
er-Driven Foundry Solutions)的方向發展。但聯電並沒有因此停止9 \4 d; i+ h2 ^) N0 U
先進製程研發,2008年底已產出業界第一個全功能28奈米製程SRAM晶
! O8 F1 h: A) Y片,多晶矽氮氧化矽(Poly/SiON)及高介電金屬閘極(HKMG)等兩種
3 z1 L) Y4 i, y2 R3 D5 v5 V) c x技術亦在去年獲得驗證通過。
* H. N; c8 {) M 聯電去年一整年都在佈建28奈米生態系統,包括與電子設計自動- i5 `* p6 w7 n9 p
化工具(EDA)、矽智財(IP)等獨立第三方(third party)業者深
- O8 _% s, f) y( Z度合作,並與英商安謀(ARM)簽訂長期合作協議,在28奈米HKMG製程& a: B2 X- t, I& t! B. g5 t, V
中整合安謀的ARM Artisan實體矽智財(Physical IP)等。
3 ?, R# c5 |5 q! G& L 聯電雖然28奈米進度仍落後台積電約半年時間,但今年卻可望是 R( l/ b3 w1 p& I$ `6 f
28奈米投資開始收成的一年,除了已確定成為德儀次世代ARM架構應用+ \( c# K) H. T1 Z1 ^: \0 y9 w
處理器OMAP 5的最大晶圓代工廠,上半年就會進入量產,設備業者近
( o; A1 } ?3 ^4 m* a+ T# E" w5 V期傳出,聯電也搶下高通28奈米整合型基頻晶片代工訂單,本季下旬
4 a1 p; Z9 P1 p2 W9 w就會進入生產準備期。' I7 u" r! u7 l r. R1 f5 {3 i" D7 g
聯電雖然是高通晶圓代工廠之一,但接單量一直不高,也不是先7 Q A# e* [& w
進製程晶片主要代工廠,但聯電此次卻成功自對手手中搶下28奈米代
8 s+ S+ `+ b2 n8 ?5 b/ F R工訂單,擠進高通的先進製程晶圓代工廠行列,業者認為,這代表聯( v( A8 ^) Z$ g" ^0 W; v2 {$ c! x
電在28奈米世代穩扎穩打的佈局策略十分成功。對此,聯電低調表示/ x1 @1 `( X' T Q, |
,對客戶及接單一向不予評論。. j& E8 d% U5 A
法人認為,高通今年3G基頻晶片策略在於攻下中國、印度等新興
( _' W2 D& T- s, }: e* l市場,需要龐大的低成本多頻多模基頻晶片產能支援,台積電的晶圓
9 W' Q9 z2 {' _# h7 Q代工價格高,聯電在報價上較有彈性,產能支援上也沒有台積電那麼
4 b4 I- X5 Q+ p9 F緊,應該是此次成功搶下高通28奈米訂單的重要關鍵。 (新聞來源:1 P7 C5 L$ ^* [- I) a) m; E- N
工商時報─記者涂志豪/台北報導)1 w8 ]& J% b9 _8 B% V7 O6 u
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