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- 2017-12-9
 
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【時報-各報要聞】晶圓二哥聯電(2303),28奈米接單傳出捷報。設備
4 o% W0 N: u# f+ v8 s業者指出,聯電28奈米進展順利,在拿下德儀(TI)次世代ARM架構處
9 Q5 A5 r/ {9 w) o0 v理器OMAP 5代工訂單後,日前再度成功突破台積電在28奈米市場設下. p3 H; u! I! {8 ?+ M- ^ j
的進入障礙,拿下手機晶片大廠高通(Qualcomm)的28奈米整合型基 I+ m8 |1 x v: M9 y8 `( i- U
頻晶片代工訂單。' ~; s5 l& H- ~ E, q% z7 O
\1 h2 ~* y2 O) }, U1 v+ O* [ 2008年底金融海嘯發生後,聯電決定調整營運模式,不再與台積
7 G# S0 h, Z! {; q: |電進行製程競賽,朝向客戶導向的晶圓專工解決方案提供者(Custom7 a) I( w! t! _: u3 @+ L
er-Driven Foundry Solutions)的方向發展。但聯電並沒有因此停止
% z! x( P" H" V- l先進製程研發,2008年底已產出業界第一個全功能28奈米製程SRAM晶$ t" x$ H5 y* O* t7 X- Z* `
片,多晶矽氮氧化矽(Poly/SiON)及高介電金屬閘極(HKMG)等兩種) K) O& K9 @: t' u& G8 h8 L
技術亦在去年獲得驗證通過。
* E$ r* I H6 v% T. c' l 聯電去年一整年都在佈建28奈米生態系統,包括與電子設計自動
- l2 P& N/ Z" x$ H化工具(EDA)、矽智財(IP)等獨立第三方(third party)業者深
( o2 |( ~5 b$ |8 @7 t" B* b0 ~度合作,並與英商安謀(ARM)簽訂長期合作協議,在28奈米HKMG製程7 u0 I) L: R& W& `. n% ] D
中整合安謀的ARM Artisan實體矽智財(Physical IP)等。
1 U% l& s& k4 _+ e& K p 聯電雖然28奈米進度仍落後台積電約半年時間,但今年卻可望是8 [% y3 s- U6 e: \
28奈米投資開始收成的一年,除了已確定成為德儀次世代ARM架構應用
) z! _+ T8 x9 s8 ?+ N9 K" b7 ^處理器OMAP 5的最大晶圓代工廠,上半年就會進入量產,設備業者近1 r! E& \2 e; Y% n* p
期傳出,聯電也搶下高通28奈米整合型基頻晶片代工訂單,本季下旬1 X3 N2 Y" S; y2 E' |( d0 d
就會進入生產準備期。
& j; H0 @8 B# i% E. a 聯電雖然是高通晶圓代工廠之一,但接單量一直不高,也不是先
, C% x$ ?6 `1 v4 y進製程晶片主要代工廠,但聯電此次卻成功自對手手中搶下28奈米代) C$ L9 S9 ~$ ]: B- w9 z
工訂單,擠進高通的先進製程晶圓代工廠行列,業者認為,這代表聯( x0 U( E1 u+ i g3 }' r9 @
電在28奈米世代穩扎穩打的佈局策略十分成功。對此,聯電低調表示
" y& C/ {! _9 s1 Y. m,對客戶及接單一向不予評論。
5 r* }5 M: r& V/ U* z 法人認為,高通今年3G基頻晶片策略在於攻下中國、印度等新興
6 M1 O# A1 X; ~4 Y市場,需要龐大的低成本多頻多模基頻晶片產能支援,台積電的晶圓
, M; O7 E( G4 `2 ^/ G. A8 p代工價格高,聯電在報價上較有彈性,產能支援上也沒有台積電那麼' z" m; Y% s6 Q& p
緊,應該是此次成功搶下高通28奈米訂單的重要關鍵。 (新聞來源:: n6 p7 R" ~" P0 h2 r9 H& E1 Z
工商時報─記者涂志豪/台北報導)3 |! s# W; I, F6 w
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