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- 2017-12-9
 
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【時報-各報要聞】晶圓二哥聯電(2303),28奈米接單傳出捷報。設備% R- K. c$ }1 e1 D5 ?
業者指出,聯電28奈米進展順利,在拿下德儀(TI)次世代ARM架構處: P- \0 `/ B9 _) K
理器OMAP 5代工訂單後,日前再度成功突破台積電在28奈米市場設下
3 e3 _7 u- C' p9 x的進入障礙,拿下手機晶片大廠高通(Qualcomm)的28奈米整合型基9 Y! w$ k/ v/ ^( A) o0 Y
頻晶片代工訂單。5 s7 Y; O) I; e- X) H: w. I
) C9 N, `: h7 C+ R2 L k
2008年底金融海嘯發生後,聯電決定調整營運模式,不再與台積
& I" _% g: m! t% j電進行製程競賽,朝向客戶導向的晶圓專工解決方案提供者(Custom
3 F, p ~7 z& v0 a Xer-Driven Foundry Solutions)的方向發展。但聯電並沒有因此停止2 T4 Y# |5 }6 R
先進製程研發,2008年底已產出業界第一個全功能28奈米製程SRAM晶
7 @, `3 X) k! Q: `片,多晶矽氮氧化矽(Poly/SiON)及高介電金屬閘極(HKMG)等兩種
0 }+ T9 [" z5 [0 Z% _0 h技術亦在去年獲得驗證通過。
# f" Q3 ]1 n! @+ ^ 聯電去年一整年都在佈建28奈米生態系統,包括與電子設計自動
9 F7 X9 n& z8 n化工具(EDA)、矽智財(IP)等獨立第三方(third party)業者深
# a9 \: S7 b/ f+ z5 `' i0 T度合作,並與英商安謀(ARM)簽訂長期合作協議,在28奈米HKMG製程; |- t9 ~5 u& Q4 L9 N. |" D! U
中整合安謀的ARM Artisan實體矽智財(Physical IP)等。
& ^2 ^5 a4 e5 o 聯電雖然28奈米進度仍落後台積電約半年時間,但今年卻可望是- r% K. Q5 w; l1 O* t
28奈米投資開始收成的一年,除了已確定成為德儀次世代ARM架構應用 f: W% s1 \+ ~: E, p8 C- y$ ]
處理器OMAP 5的最大晶圓代工廠,上半年就會進入量產,設備業者近/ b, s* ]' p" g
期傳出,聯電也搶下高通28奈米整合型基頻晶片代工訂單,本季下旬7 o+ e7 f' B5 M9 T
就會進入生產準備期。
4 }7 n% ~1 i$ Z1 z8 Z d9 c7 E7 q' V# _ 聯電雖然是高通晶圓代工廠之一,但接單量一直不高,也不是先
) q; l/ h1 ~8 U4 N+ d w+ I$ c進製程晶片主要代工廠,但聯電此次卻成功自對手手中搶下28奈米代
) V5 W- [) r4 L工訂單,擠進高通的先進製程晶圓代工廠行列,業者認為,這代表聯
: u2 `$ d: }. j4 g9 d電在28奈米世代穩扎穩打的佈局策略十分成功。對此,聯電低調表示
3 W* I' L, T1 _,對客戶及接單一向不予評論。
- `* K B$ g' O V" j5 G% a 法人認為,高通今年3G基頻晶片策略在於攻下中國、印度等新興3 T% V8 o% S" Y: `- d+ J3 b$ C# f
市場,需要龐大的低成本多頻多模基頻晶片產能支援,台積電的晶圓
+ D) X1 Y" ?& L% v" c; `代工價格高,聯電在報價上較有彈性,產能支援上也沒有台積電那麼9 f. M! X0 \% s% R
緊,應該是此次成功搶下高通28奈米訂單的重要關鍵。 (新聞來源:
1 d" z8 O3 D: B; T: k' |工商時報─記者涂志豪/台北報導)' P) A. `2 X( l8 q% q8 M! W: C8 k
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