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- 2017-12-9
 
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【時報-各報要聞】晶圓二哥聯電(2303),28奈米接單傳出捷報。設備
5 ^! d6 d/ Q% q6 F( ^- s- `業者指出,聯電28奈米進展順利,在拿下德儀(TI)次世代ARM架構處
5 }( J' F$ a$ s# X- ~/ I8 `理器OMAP 5代工訂單後,日前再度成功突破台積電在28奈米市場設下1 q$ }# e% w+ N& i5 X! X) D) N
的進入障礙,拿下手機晶片大廠高通(Qualcomm)的28奈米整合型基
{" ?% M' z0 ?) G) Y頻晶片代工訂單。- m! u1 F* ^# X8 M" z! [
' b% S2 D6 w6 \ F" Y6 K 2008年底金融海嘯發生後,聯電決定調整營運模式,不再與台積
( [. s; Z: w: j* W1 W電進行製程競賽,朝向客戶導向的晶圓專工解決方案提供者(Custom1 a7 {% P" Z1 ?: v( a h8 |
er-Driven Foundry Solutions)的方向發展。但聯電並沒有因此停止
$ N: B4 r B6 M; M" W6 C先進製程研發,2008年底已產出業界第一個全功能28奈米製程SRAM晶& G7 n0 @; d- O' k0 z
片,多晶矽氮氧化矽(Poly/SiON)及高介電金屬閘極(HKMG)等兩種
% I) H/ [8 t! s- M/ C" K技術亦在去年獲得驗證通過。3 S2 \( D0 u6 \$ n
聯電去年一整年都在佈建28奈米生態系統,包括與電子設計自動
3 K* E U, ~/ ^8 G化工具(EDA)、矽智財(IP)等獨立第三方(third party)業者深
! v& I. r8 x& t* Y: [度合作,並與英商安謀(ARM)簽訂長期合作協議,在28奈米HKMG製程- M/ V) v' e# \. F; n
中整合安謀的ARM Artisan實體矽智財(Physical IP)等。, ~1 l; f( Y" y
聯電雖然28奈米進度仍落後台積電約半年時間,但今年卻可望是
/ a: f; U3 Y I28奈米投資開始收成的一年,除了已確定成為德儀次世代ARM架構應用9 Y! k7 G; q# L2 x
處理器OMAP 5的最大晶圓代工廠,上半年就會進入量產,設備業者近
, s: V$ q9 \3 x# V7 ?期傳出,聯電也搶下高通28奈米整合型基頻晶片代工訂單,本季下旬# X6 o: n$ w6 @. ^" ^+ x
就會進入生產準備期。5 b# [& L) f- }/ K; T+ C9 j
聯電雖然是高通晶圓代工廠之一,但接單量一直不高,也不是先
% C# z& A3 x7 W# p# d( k進製程晶片主要代工廠,但聯電此次卻成功自對手手中搶下28奈米代
* L# u6 e7 |+ d1 o ^1 P- e工訂單,擠進高通的先進製程晶圓代工廠行列,業者認為,這代表聯7 s/ G! E- {, `8 t: f
電在28奈米世代穩扎穩打的佈局策略十分成功。對此,聯電低調表示' d6 r) Q6 S9 Y& ], }! ~
,對客戶及接單一向不予評論。1 {- U4 k( B, p" [6 s
法人認為,高通今年3G基頻晶片策略在於攻下中國、印度等新興$ t( E. H3 C& k, v
市場,需要龐大的低成本多頻多模基頻晶片產能支援,台積電的晶圓
8 A5 B, K' b9 k, U代工價格高,聯電在報價上較有彈性,產能支援上也沒有台積電那麼' H# H* p8 X1 z5 L% u
緊,應該是此次成功搶下高通28奈米訂單的重要關鍵。 (新聞來源:
+ c3 A `$ _- j5 y- N+ }工商時報─記者涂志豪/台北報導)4 p9 q% a% O. d# `( U5 G x* E# I- h i4 \
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