高通下單，聯電拉高資本支出

歐陽

【時報-各報要聞】晶圓代工廠聯電(2303)昨（8）日召開法說會，決
$ P3 F. w% r& B  P0 j, K# X定調升今年資本支出至20億美元，讓與會法人大感意外。聯電執行長
. F* j- h3 |! O4 p. e( D- b孫世偉表示，因為看好行動裝置晶片需求，且為了承諾客戶提供足夠
的40奈米及28奈米產能，所以才決定提高今年資本支出。

/ \( `3 D; `# A　據了解，聯電拉高資本支出，主要原因就是獲得高通、德儀大訂單
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　聯電去年原訂資本支出為18億美元，但實際支出為16億美元，其中
- u9 h' h- x$ |* S9 W2億美元遞延到今年，聯電因獲得高通及德儀等大客戶行動裝置晶片訂
單，要建置足夠的40奈米及28奈米產能，所以今年資本支出合計將拉
, A6 B9 A% n: }高到20億美元、年增25％。
　法人表示，相較於台積電將資本支出由去年的72.86億美元，調降到
今年60億美元，減幅約達18％，聯電在景氣不確定性仍高的此刻，逆
! B( g( @( H* y3 ^勢拉高資本支出，代表聯電已成功提高行動裝置晶片的滲透率，對訂
2 s6 i$ c# ]6 Q4 @8 D+ V# K單掌握度也愈來愈高。
  f9 O, T! ?9 n　孫世偉昨天表示，聯電樂觀看待未來行動通訊與運算市場的高階晶
% J% d, Z+ v) U片需求，為積極掌握這一絕佳的機會，完整佈建40奈米及28奈米解決
) O! D0 S7 e+ Q方案，持續與領先客戶合作以爭取更多旗艦產品，並承諾提供充分產
, x$ B" s$ w, d  z+ s7 ?9 }% u能，所以今年資本支出將增加到20億美元。
　孫世偉強調，聯電並不盲目擴充產能，此投資計畫經過審慎評估，
  z% l/ x& f' C. ]5 A) @! Z完整考量聯電在不同階段下高階製程成熟程度，以及客戶產能需求，
9 W% m" n, d. q- g3 q以現階段28奈米與客戶的合作進展及強烈需求，相信在量產技術就位
" G8 N9 S. ^* Q# i4 w1 u後將帶來豐厚的收穫。
* E; d. R1 b' _　聯電預估，今年底40奈米佔營收比重將達15％，28奈米亦可達到5％
，聯電已完成10項28奈米晶片設計定案（tape-out），其中一顆28奈
& N) ?& f* t0 ~; f# E& @米的ARM架構應用處理器已開始送樣。據了解，這顆晶片是德儀最新款
, E' D) H% P5 A. g2 H7 {" r! AOMAP 5多核心應用處理器。
　另外，聯電也開始佈建2.5D矽中介層（Interposer）解決方案，並
, m3 Y; J( p5 P9 L為客戶完成40奈米及28奈米製程矽中介層設計定案。孫世偉表示，聯
電與封測廠將建立開放式技術平台，以提供最適切的服務，與爾必達
* A; c3 j& W) K  K及力成合作的直通矽晶穿孔（TSV）技術已有很好的成果。(新聞來源
：工商時報─記者涂志豪／台北報導)
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歐陽

因為看好行動裝置晶片需求，且為了承諾客戶提供足夠
的40奈米及28奈米產能，所以才決定提高今年資本支出。
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威廉

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