高通下單，聯電拉高資本支出

歐陽

【時報-各報要聞】晶圓代工廠聯電(2303)昨（8）日召開法說會，決
/ x# t- u, E( x9 j+ ~7 O3 F定調升今年資本支出至20億美元，讓與會法人大感意外。聯電執行長
孫世偉表示，因為看好行動裝置晶片需求，且為了承諾客戶提供足夠
1 {7 w0 y  W; U5 C3 D- K2 V的40奈米及28奈米產能，所以才決定提高今年資本支出。
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. |7 |) ~  Y0 l# W9 F　據了解，聯電拉高資本支出，主要原因就是獲得高通、德儀大訂單
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　聯電去年原訂資本支出為18億美元，但實際支出為16億美元，其中
/ G4 h9 h) a6 e, T0 w2億美元遞延到今年，聯電因獲得高通及德儀等大客戶行動裝置晶片訂
$ o5 n8 E' D4 D5 u單，要建置足夠的40奈米及28奈米產能，所以今年資本支出合計將拉
6 R& Y8 Z9 y' W# p8 {+ U高到20億美元、年增25％。
4 }# a5 ^/ {, }- Y2 g& n9 e　法人表示，相較於台積電將資本支出由去年的72.86億美元，調降到
' }2 k, O- e4 q  f) N今年60億美元，減幅約達18％，聯電在景氣不確定性仍高的此刻，逆
勢拉高資本支出，代表聯電已成功提高行動裝置晶片的滲透率，對訂
9 u' }  I  c' L  b# D. y單掌握度也愈來愈高。
& n8 Y" a) [& d( V" {　孫世偉昨天表示，聯電樂觀看待未來行動通訊與運算市場的高階晶
片需求，為積極掌握這一絕佳的機會，完整佈建40奈米及28奈米解決
方案，持續與領先客戶合作以爭取更多旗艦產品，並承諾提供充分產
' @5 q# }6 s4 G8 S! a8 I9 h能，所以今年資本支出將增加到20億美元。
　孫世偉強調，聯電並不盲目擴充產能，此投資計畫經過審慎評估，
* |  a: a+ [, [' Y完整考量聯電在不同階段下高階製程成熟程度，以及客戶產能需求，
+ S0 L$ q* a9 r8 L* X3 W以現階段28奈米與客戶的合作進展及強烈需求，相信在量產技術就位
  L) t! S) f  l+ @( B! G* @6 D) Z- ?" I後將帶來豐厚的收穫。
　聯電預估，今年底40奈米佔營收比重將達15％，28奈米亦可達到5％
，聯電已完成10項28奈米晶片設計定案（tape-out），其中一顆28奈
/ a4 `3 h- o. l/ j8 x米的ARM架構應用處理器已開始送樣。據了解，這顆晶片是德儀最新款
7 i* P0 c/ G/ v4 p" R9 I, zOMAP 5多核心應用處理器。
　另外，聯電也開始佈建2.5D矽中介層（Interposer）解決方案，並
為客戶完成40奈米及28奈米製程矽中介層設計定案。孫世偉表示，聯
電與封測廠將建立開放式技術平台，以提供最適切的服務，與爾必達
及力成合作的直通矽晶穿孔（TSV）技術已有很好的成果。(新聞來源
8 ?# b$ N: c/ Y' B/ T$ z. `：工商時報─記者涂志豪／台北報導)



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歐陽

因為看好行動裝置晶片需求，且為了承諾客戶提供足夠
0 e4 A7 ~) Y- c  _! w/ t的40奈米及28奈米產能，所以才決定提高今年資本支出。
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威廉

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