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【時報-各報要聞】晶圓代工廠聯電(2303)昨(8)日召開法說會,決
3 |& w" }0 a$ O7 z( c定調升今年資本支出至20億美元,讓與會法人大感意外。聯電執行長
0 [, g( F* t! Q) b$ M8 i* h; T孫世偉表示,因為看好行動裝置晶片需求,且為了承諾客戶提供足夠( x& p4 S+ [* x3 @0 v5 V# O
的40奈米及28奈米產能,所以才決定提高今年資本支出。
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據了解,聯電拉高資本支出,主要原因就是獲得高通、德儀大訂單
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聯電去年原訂資本支出為18億美元,但實際支出為16億美元,其中
' x: I. ~# ?( l9 c o: ^# E2億美元遞延到今年,聯電因獲得高通及德儀等大客戶行動裝置晶片訂( Q8 w8 i) Z- q$ @3 a! j
單,要建置足夠的40奈米及28奈米產能,所以今年資本支出合計將拉) T' ?) w; ]6 }% J+ x
高到20億美元、年增25%。# ]# Z' `/ d& o+ M
法人表示,相較於台積電將資本支出由去年的72.86億美元,調降到
3 t p" U8 D. ~" ]0 a6 `; r/ v今年60億美元,減幅約達18%,聯電在景氣不確定性仍高的此刻,逆3 [/ i9 p/ l& N# [; C$ @
勢拉高資本支出,代表聯電已成功提高行動裝置晶片的滲透率,對訂# h5 b+ i5 d4 n, t# K
單掌握度也愈來愈高。! G' p+ o) h/ ?5 F& ^" J- m6 j
孫世偉昨天表示,聯電樂觀看待未來行動通訊與運算市場的高階晶
0 _6 v% ^" V( S+ Y: @片需求,為積極掌握這一絕佳的機會,完整佈建40奈米及28奈米解決- Z% u& e9 R- G, s
方案,持續與領先客戶合作以爭取更多旗艦產品,並承諾提供充分產7 u) Y: R2 E9 f+ t6 v0 \$ c
能,所以今年資本支出將增加到20億美元。1 {) ?3 B& q# j) \& D
孫世偉強調,聯電並不盲目擴充產能,此投資計畫經過審慎評估,
# R4 [9 L& Q& d% R. W完整考量聯電在不同階段下高階製程成熟程度,以及客戶產能需求,, R( N) S+ W# r: l* m
以現階段28奈米與客戶的合作進展及強烈需求,相信在量產技術就位2 |) ~4 ^# }/ C8 ~- ?. X p' [
後將帶來豐厚的收穫。
2 \9 X6 [9 }6 w/ V- }5 M5 u1 o1 m 聯電預估,今年底40奈米佔營收比重將達15%,28奈米亦可達到5%" B9 Z s7 D8 i- Z" V) e
,聯電已完成10項28奈米晶片設計定案(tape-out),其中一顆28奈
; |8 O8 B1 J% [2 _) q& r: O米的ARM架構應用處理器已開始送樣。據了解,這顆晶片是德儀最新款' w! R% k U8 R3 a0 ?: N7 v: e
OMAP 5多核心應用處理器。, S" ?& L& f7 o" @
另外,聯電也開始佈建2.5D矽中介層(Interposer)解決方案,並- H4 J6 T' O6 i: j
為客戶完成40奈米及28奈米製程矽中介層設計定案。孫世偉表示,聯
- R: m0 U5 C! T; ^2 X/ y- }; G- ~電與封測廠將建立開放式技術平台,以提供最適切的服務,與爾必達6 Z) v$ Q7 P, k6 P q8 s2 `7 I
及力成合作的直通矽晶穿孔(TSV)技術已有很好的成果。(新聞來源
4 }) H! i! T; }" k9 S1 k* ^:工商時報─記者涂志豪/台北報導)
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