高通下單，聯電拉高資本支出

歐陽

【時報-各報要聞】晶圓代工廠聯電(2303)昨（8）日召開法說會，決
2 L- p& P4 K  N! `& x) A定調升今年資本支出至20億美元，讓與會法人大感意外。聯電執行長
% ]* k% d: Y& f2 i孫世偉表示，因為看好行動裝置晶片需求，且為了承諾客戶提供足夠
# O) h  Z$ T0 {) r的40奈米及28奈米產能，所以才決定提高今年資本支出。
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- |* v8 M1 h/ g8 f3 T6 u# V1 N. x8 @　據了解，聯電拉高資本支出，主要原因就是獲得高通、德儀大訂單
# k' q& e, H2 l+ o9 p6 U0 _。
! H( S$ v, Y8 M1 v　聯電去年原訂資本支出為18億美元，但實際支出為16億美元，其中
* s5 |4 [- L2 V* W( c9 @2億美元遞延到今年，聯電因獲得高通及德儀等大客戶行動裝置晶片訂
單，要建置足夠的40奈米及28奈米產能，所以今年資本支出合計將拉
高到20億美元、年增25％。
3 @4 m. l: P  H8 {　法人表示，相較於台積電將資本支出由去年的72.86億美元，調降到
今年60億美元，減幅約達18％，聯電在景氣不確定性仍高的此刻，逆
勢拉高資本支出，代表聯電已成功提高行動裝置晶片的滲透率，對訂
) l6 @  s: z4 P; R( o) C2 b單掌握度也愈來愈高。
4 ]" D( q9 F5 G8 \2 ]5 B" _　孫世偉昨天表示，聯電樂觀看待未來行動通訊與運算市場的高階晶
, b% Y1 v* S9 x, H7 {4 e7 z* k* n片需求，為積極掌握這一絕佳的機會，完整佈建40奈米及28奈米解決
3 e# N( d, m, I方案，持續與領先客戶合作以爭取更多旗艦產品，並承諾提供充分產
能，所以今年資本支出將增加到20億美元。
0 L( U3 K1 G; f　孫世偉強調，聯電並不盲目擴充產能，此投資計畫經過審慎評估，
% W4 u$ d4 d" I/ j完整考量聯電在不同階段下高階製程成熟程度，以及客戶產能需求，
以現階段28奈米與客戶的合作進展及強烈需求，相信在量產技術就位
& h; ~' u+ R8 A7 z) o$ z後將帶來豐厚的收穫。
　聯電預估，今年底40奈米佔營收比重將達15％，28奈米亦可達到5％
，聯電已完成10項28奈米晶片設計定案（tape-out），其中一顆28奈
米的ARM架構應用處理器已開始送樣。據了解，這顆晶片是德儀最新款
OMAP 5多核心應用處理器。
　另外，聯電也開始佈建2.5D矽中介層（Interposer）解決方案，並
4 O! Q! D3 O. d# \4 A1 D+ K6 W為客戶完成40奈米及28奈米製程矽中介層設計定案。孫世偉表示，聯
$ u7 k7 r% t2 M5 D* ~% y電與封測廠將建立開放式技術平台，以提供最適切的服務，與爾必達
5 G' Q- S3 A0 G5 q/ r3 ~+ ~* X及力成合作的直通矽晶穿孔（TSV）技術已有很好的成果。(新聞來源
4 G) W$ Y8 y9 O* N! B2 a1 J：工商時報─記者涂志豪／台北報導)



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因為看好行動裝置晶片需求，且為了承諾客戶提供足夠
的40奈米及28奈米產能，所以才決定提高今年資本支出。
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威廉

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