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標題: 高通下單，聯電拉高資本支出 [列印本頁]
作者: 歐陽    時間: 2012-2-9 09:12
標題: 高通下單，聯電拉高資本支出
【時報-各報要聞】晶圓代工廠聯電(2303)昨（8）日召開法說會，決8 i" S& i, K: X8 S
定調升今年資本支出至20億美元，讓與會法人大感意外。聯電執行長) F( k3 p% G6 E1 z7 i
孫世偉表示，因為看好行動裝置晶片需求，且為了承諾客戶提供足夠
6 {' }- z# i1 e的40奈米及28奈米產能，所以才決定提高今年資本支出。* h5 N0 {  \/ K  G, t6 @. t

; ^$ c. M8 M+ S0 \　據了解，聯電拉高資本支出，主要原因就是獲得高通、德儀大訂單) W1 T4 U+ _& q0 w" v& J
。3 a1 M: V0 e# _) G
　聯電去年原訂資本支出為18億美元，但實際支出為16億美元，其中
4 \7 h1 Y- ]6 l4 L) H2億美元遞延到今年，聯電因獲得高通及德儀等大客戶行動裝置晶片訂
4 O- F7 ]" H: G% b, S單，要建置足夠的40奈米及28奈米產能，所以今年資本支出合計將拉% l# s8 M/ R, u: T  ?9 r3 E4 n( I
高到20億美元、年增25％。7 ?  r# d& d  O9 ?" }3 {  \
　法人表示，相較於台積電將資本支出由去年的72.86億美元，調降到* R! Q) ~% D' U/ Z" q
今年60億美元，減幅約達18％，聯電在景氣不確定性仍高的此刻，逆
1 J, r  Y9 M/ C" q' h$ w* E* h) c勢拉高資本支出，代表聯電已成功提高行動裝置晶片的滲透率，對訂7 H) {' q: T8 R2 W
單掌握度也愈來愈高。$ V, F) a* n  [* c
　孫世偉昨天表示，聯電樂觀看待未來行動通訊與運算市場的高階晶
/ j$ G! i% v6 G9 o1 G8 d片需求，為積極掌握這一絕佳的機會，完整佈建40奈米及28奈米解決
( `  c4 k! n1 d2 _3 l" \7 {方案，持續與領先客戶合作以爭取更多旗艦產品，並承諾提供充分產4 P# v( x2 a& [1 b5 J& Y
能，所以今年資本支出將增加到20億美元。' _' P. T2 S- S/ w
　孫世偉強調，聯電並不盲目擴充產能，此投資計畫經過審慎評估，
) A) w5 o& J( d6 F) X% B完整考量聯電在不同階段下高階製程成熟程度，以及客戶產能需求，0 m! z/ S& I: A7 M( V" v
以現階段28奈米與客戶的合作進展及強烈需求，相信在量產技術就位
1 z) l' |& ?3 v/ s7 g6 u後將帶來豐厚的收穫。
. Z$ U* I9 T& `! Q* i　聯電預估，今年底40奈米佔營收比重將達15％，28奈米亦可達到5％
5 N7 l" y; q/ }$ i2 R1 d( g，聯電已完成10項28奈米晶片設計定案（tape-out），其中一顆28奈
. x" C( U! |) ?米的ARM架構應用處理器已開始送樣。據了解，這顆晶片是德儀最新款
4 y7 W6 S- T! Y9 `) R* dOMAP 5多核心應用處理器。- c% o3 x2 Y! o) D
　另外，聯電也開始佈建2.5D矽中介層（Interposer）解決方案，並
( T' J, M+ [$ L3 P: b為客戶完成40奈米及28奈米製程矽中介層設計定案。孫世偉表示，聯, e" f  |7 ~7 p& B
電與封測廠將建立開放式技術平台，以提供最適切的服務，與爾必達4 k& _. E7 k! m
及力成合作的直通矽晶穿孔（TSV）技術已有很好的成果。(新聞來源
- a0 O; M3 E8 c# z. c! `：工商時報─記者涂志豪／台北報導)7 }! @/ X& m! y: b

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作者: 歐陽    時間: 2012-2-10 07:37
因為看好行動裝置晶片需求，且為了承諾客戶提供足夠
5 |2 j7 M6 k8 U的40奈米及28奈米產能，所以才決定提高今年資本支出。8 Q5 r. J2 l! ?& k
作者: 威廉    時間: 2012-2-11 20:35
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