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標題: 高通下單,聯電拉高資本支出 [列印本頁]

作者: 歐陽    時間: 2012-2-9 09:12
標題: 高通下單,聯電拉高資本支出
【時報-各報要聞】晶圓代工廠聯電(2303)昨(8)日召開法說會,決% l9 c" v5 G9 ?+ h! D% ]) @
定調升今年資本支出至20億美元,讓與會法人大感意外。聯電執行長
' U) y6 I5 s4 L2 L3 S+ z  l! h孫世偉表示,因為看好行動裝置晶片需求,且為了承諾客戶提供足夠
4 i$ `# H- i/ M* U8 D! s的40奈米及28奈米產能,所以才決定提高今年資本支出。; G4 z0 M8 v" t* R! {5 J

# R9 N- R1 N& Y# j# Q 據了解,聯電拉高資本支出,主要原因就是獲得高通、德儀大訂單
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 聯電去年原訂資本支出為18億美元,但實際支出為16億美元,其中
& K* T2 P+ g% ~( P2億美元遞延到今年,聯電因獲得高通及德儀等大客戶行動裝置晶片訂
& k# J$ t8 g4 k  N單,要建置足夠的40奈米及28奈米產能,所以今年資本支出合計將拉
& g; @/ ~* @% k4 R9 F/ c* R高到20億美元、年增25%。/ c1 b+ y( s3 ~* P( C* m* [
 法人表示,相較於台積電將資本支出由去年的72.86億美元,調降到
3 R9 ^2 {) E) I2 t今年60億美元,減幅約達18%,聯電在景氣不確定性仍高的此刻,逆9 o4 K0 u1 s% e* R! U6 ?6 S
勢拉高資本支出,代表聯電已成功提高行動裝置晶片的滲透率,對訂
, s/ B" T6 g4 M5 \8 R' T單掌握度也愈來愈高。
0 g0 R6 @( z7 {, w3 ?, w- W 孫世偉昨天表示,聯電樂觀看待未來行動通訊與運算市場的高階晶5 o" q) p: ~9 _4 Y. j! F
片需求,為積極掌握這一絕佳的機會,完整佈建40奈米及28奈米解決
" m5 c# L+ ~, R  w4 g% b方案,持續與領先客戶合作以爭取更多旗艦產品,並承諾提供充分產
1 M) p/ O& v& I0 P) v! t能,所以今年資本支出將增加到20億美元。5 T* n# e2 F- I0 R7 X" b5 C, x9 n
 孫世偉強調,聯電並不盲目擴充產能,此投資計畫經過審慎評估,
( Q: G! p. m/ I! G- U4 M, Q% I/ Z完整考量聯電在不同階段下高階製程成熟程度,以及客戶產能需求,
# e1 O3 C: _3 s2 F* a1 ~1 d$ J以現階段28奈米與客戶的合作進展及強烈需求,相信在量產技術就位
, {+ S5 l, z) g) m: K. Z( t後將帶來豐厚的收穫。" G* l. V6 C5 q. x9 m( A
 聯電預估,今年底40奈米佔營收比重將達15%,28奈米亦可達到5%
* }6 F& h& l# s9 R) U,聯電已完成10項28奈米晶片設計定案(tape-out),其中一顆28奈- {; ]2 n8 m- E' T' O  d  Z
米的ARM架構應用處理器已開始送樣。據了解,這顆晶片是德儀最新款
* ~' U5 n: _) V  j& m+ |OMAP 5多核心應用處理器。  l, n9 K6 Q0 I  [& t/ |
 另外,聯電也開始佈建2.5D矽中介層(Interposer)解決方案,並' b, T; _  n/ K, ]6 T
為客戶完成40奈米及28奈米製程矽中介層設計定案。孫世偉表示,聯7 n4 K" v8 ~4 Q
電與封測廠將建立開放式技術平台,以提供最適切的服務,與爾必達
- P) J+ K2 x" i6 ~1 [及力成合作的直通矽晶穿孔(TSV)技術已有很好的成果。(新聞來源: e+ P& G# u! z3 I4 L: W
:工商時報─記者涂志豪/台北報導)
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作者: 歐陽    時間: 2012-2-10 07:37
因為看好行動裝置晶片需求,且為了承諾客戶提供足夠
- p- l7 [, d4 n7 `8 p的40奈米及28奈米產能,所以才決定提高今年資本支出。7 P' m5 ], i9 M% G1 J9 q& j* R

作者: 威廉    時間: 2012-2-11 20:35
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