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標題: 砸40億美元,三星將在陸蓋快閃記憶體廠 [列印本頁]

作者: 歐陽    時間: 2012-1-5 09:04
標題: 砸40億美元,三星將在陸蓋快閃記憶體廠
【時報-台北電】韓國官方昨(4)日表示,已經批准三星在中國建造' W: h4 X: b4 E
一座NAND快閃記憶體晶片廠,投資規模約為40億美元,不但將採用20& r6 [7 W& b4 B( b  d$ d8 s$ L
奈米以下的先進製程技術,也是三星在海外所建立的第2座快閃記憶體
( H5 h/ M1 t' K6 \2 l1 o* {( m% c工廠,反映出中國市場的地位日益重要。
2 \3 t2 n0 d" Z6 }  韓國官方指出,三星尚未決定廠址,但將在今年內動工興建,預
& x2 C1 U6 X! i) U; W計在2013年底前完工營運,投產後的月產能將達到10萬片的規模。
! [" o0 b, D/ l$ K0 \  半導體業內人士指出,三星很可能會將新廠設在蘇州,因為蘇州  Z# C8 m2 o1 {4 A2 j
是三星在韓國本土以外最大的記憶體生產基地,而且三星在當地擁有) B! S+ c2 ~( R5 F7 {
完整的產業鏈,包含電腦組裝、測廠、面板等,可以產生群聚效應。! r3 X" y  V% J, R0 s/ P& h
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  三星的7.5代面板廠就位在蘇州,去年5月才正式動工興建,也是/ X3 U: N4 b+ A5 q+ `( d
第一家獲得中國政府核准建造的外資高世代面板廠,當初市場上即盛
  o7 V, ^& I( l+ N- ^& E# D. }傳三星取得中方批准的條件之一,就是要在中國投資建造一座快閃記
1 D' F" B6 \$ e憶體廠。  w9 p  q0 l" u' G3 ~
  三星是目前全球最大的NAND快閃記憶體製造廠,市占率超過40%
+ l3 @0 R" ~! X! g,並擁有最先進的製程,而韓國官方為了避免技術外洩,對於高科技4 b) K# i) T" h* D
企業海外設廠都採取審查制度,三星本身也將成立一個專門委員會對
0 U3 k  V' K8 F$ A- ~, @- k; L於技術嚴格把關。
1 U0 C4 \  K9 O  據悉,這次三星新廠採用的20奈米是目前業界的最新製程技術,: k! |% }! T6 i* `
英特爾與美光合資的IMFT在上個月宣布啟動128GB的20奈米技術量產計; j1 v# a. z) e- s, V  [3 j0 Q  S
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  韓國友利投資證券公司的分析師認為,在中國消費電子市場正日) w% r$ O2 L+ k6 s
漸蓬勃的情況下,三星這筆投資來得即時,而且NAND快閃記憶體的利
/ {& h0 c& _4 D" e, A2 q潤依舊很高,未來市場需求將會隨著智慧手機與平板電腦的普及而逐0 I( C, Q" Y2 m4 B0 r- `% n* o
漸上升。 (新聞來源:工商時報─記者林殿唯/綜合報導)
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作者: 歐陽    時間: 2012-1-5 10:02
在中國消費電子市場正日
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0 s; G+ y1 Y9 E% v! A9 K漸上升。




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