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標題: 砸40億美元,三星將在陸蓋快閃記憶體廠 [列印本頁]

作者: 歐陽    時間: 2012-1-5 09:04
標題: 砸40億美元,三星將在陸蓋快閃記憶體廠
【時報-台北電】韓國官方昨(4)日表示,已經批准三星在中國建造
* Z4 f" e: i9 U3 a  P一座NAND快閃記憶體晶片廠,投資規模約為40億美元,不但將採用20
3 d7 M% |. c+ ^/ j奈米以下的先進製程技術,也是三星在海外所建立的第2座快閃記憶體
% h: s) y0 p1 r工廠,反映出中國市場的地位日益重要。( l0 H/ C  O3 s
  韓國官方指出,三星尚未決定廠址,但將在今年內動工興建,預
+ K( J) j( I) q2 B/ T' a5 ^- [( r計在2013年底前完工營運,投產後的月產能將達到10萬片的規模。+ l0 O5 I2 Z  d2 H! C- }- \
  半導體業內人士指出,三星很可能會將新廠設在蘇州,因為蘇州. v5 O4 q" O/ i0 V8 P" W6 j5 w: m
是三星在韓國本土以外最大的記憶體生產基地,而且三星在當地擁有
$ {" d! W3 y8 L( l8 |' B完整的產業鏈,包含電腦組裝、測廠、面板等,可以產生群聚效應。( J) I8 c& `9 P" c4 Q5 i0 Z9 A
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  三星的7.5代面板廠就位在蘇州,去年5月才正式動工興建,也是
& B% _% l  M" O第一家獲得中國政府核准建造的外資高世代面板廠,當初市場上即盛
  O: X; ~( A; ]4 W傳三星取得中方批准的條件之一,就是要在中國投資建造一座快閃記( N3 l$ c2 O, d  X' B  i6 L
憶體廠。
- c, Y/ m8 U& a1 |+ X4 r0 h  三星是目前全球最大的NAND快閃記憶體製造廠,市占率超過40%
* h  d) y% ~1 o* F7 ]  t9 O,並擁有最先進的製程,而韓國官方為了避免技術外洩,對於高科技
3 E) t2 b1 U2 r8 R% s- ^* Z企業海外設廠都採取審查制度,三星本身也將成立一個專門委員會對$ |$ t& ~" n" r/ X' }" ~5 I; h
於技術嚴格把關。- W" q6 Z: S# z2 |
  據悉,這次三星新廠採用的20奈米是目前業界的最新製程技術,7 }5 J, i3 u6 t4 O
英特爾與美光合資的IMFT在上個月宣布啟動128GB的20奈米技術量產計
& [$ f  ]& ]; J- G- S畫。1 w3 @% ~$ T0 J8 g! m
  韓國友利投資證券公司的分析師認為,在中國消費電子市場正日
' S$ s. B6 E. }: E3 U漸蓬勃的情況下,三星這筆投資來得即時,而且NAND快閃記憶體的利3 k6 y" R2 n. S4 p, }0 o7 g
潤依舊很高,未來市場需求將會隨著智慧手機與平板電腦的普及而逐' w  G& ]. H6 f2 F' ^& i; G
漸上升。 (新聞來源:工商時報─記者林殿唯/綜合報導)
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作者: 歐陽    時間: 2012-1-5 10:02
在中國消費電子市場正日
2 P9 a8 U1 x7 Y4 I% g7 `漸蓬勃的情況下,三星這筆投資來得即時,而且NAND快閃記憶體的利0 e0 \5 B- x  k# h
潤依舊很高,未來市場需求將會隨著智慧手機與平板電腦的普及而逐# F) O6 h; e" ]$ N3 y
漸上升。




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