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標題: 砸40億美元,三星將在陸蓋快閃記憶體廠 [列印本頁]

作者: 歐陽    時間: 2012-1-5 09:04
標題: 砸40億美元,三星將在陸蓋快閃記憶體廠
【時報-台北電】韓國官方昨(4)日表示,已經批准三星在中國建造
  x. w. Y* O6 z' a" r7 Y0 v一座NAND快閃記憶體晶片廠,投資規模約為40億美元,不但將採用207 q$ j5 g! M0 ^, r
奈米以下的先進製程技術,也是三星在海外所建立的第2座快閃記憶體
: c) R- T9 N9 F% d  V4 K, Q2 d工廠,反映出中國市場的地位日益重要。' h* y  U* P7 j7 C$ l
  韓國官方指出,三星尚未決定廠址,但將在今年內動工興建,預
/ ~1 q, r$ R! W4 s, H+ D計在2013年底前完工營運,投產後的月產能將達到10萬片的規模。! {" J' H9 Y2 u% L$ E  d0 T+ Z( |. N* S) k
  半導體業內人士指出,三星很可能會將新廠設在蘇州,因為蘇州; Q) t; U* M$ g! _3 x5 d
是三星在韓國本土以外最大的記憶體生產基地,而且三星在當地擁有
7 f. [" {& I' H4 e7 Z完整的產業鏈,包含電腦組裝、測廠、面板等,可以產生群聚效應。4 I6 ?0 o$ h9 c4 G: o
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  三星的7.5代面板廠就位在蘇州,去年5月才正式動工興建,也是
% k5 ^6 p6 ~" Z& |$ a. s8 Y第一家獲得中國政府核准建造的外資高世代面板廠,當初市場上即盛
: O7 ?( x- J; I3 F( ?3 c傳三星取得中方批准的條件之一,就是要在中國投資建造一座快閃記  @# x- l* H5 a
憶體廠。
  Y! V2 m* l) Y7 q% ?* c: C3 S  三星是目前全球最大的NAND快閃記憶體製造廠,市占率超過40%$ w$ Y( g) E$ Y9 p
,並擁有最先進的製程,而韓國官方為了避免技術外洩,對於高科技4 e1 E% c& K  M# }' B6 ?
企業海外設廠都採取審查制度,三星本身也將成立一個專門委員會對6 z6 n# T8 q8 d' T8 Q% b% o% I
於技術嚴格把關。, Y7 V0 O* B4 b& F( m6 l0 U
  據悉,這次三星新廠採用的20奈米是目前業界的最新製程技術,
6 L' F/ K3 }. ~0 @- B英特爾與美光合資的IMFT在上個月宣布啟動128GB的20奈米技術量產計9 J: C0 X- W" E" l
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  韓國友利投資證券公司的分析師認為,在中國消費電子市場正日9 J/ r: n  b7 u% U8 @
漸蓬勃的情況下,三星這筆投資來得即時,而且NAND快閃記憶體的利
4 A- }5 G) x6 o- D8 i潤依舊很高,未來市場需求將會隨著智慧手機與平板電腦的普及而逐
1 o8 o, q  {* J1 h漸上升。 (新聞來源:工商時報─記者林殿唯/綜合報導)  ]$ P/ o' T  q* u3 l% c

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作者: 歐陽    時間: 2012-1-5 10:02
在中國消費電子市場正日3 i6 N8 w4 {  w$ J- I
漸蓬勃的情況下,三星這筆投資來得即時,而且NAND快閃記憶體的利
# N8 R: u# g' A; M1 g- Z/ r潤依舊很高,未來市場需求將會隨著智慧手機與平板電腦的普及而逐
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